Single pulse avalanche energy что это

01.10.202305.07.2022 admin 0 Comments

Single pulse avalanche energy что это

Интересует следующий вопрос по части теории MOSFET/IGBT.У них есть такие параметры, как максимальный импульсный ток(Drain Current Pulsed) и энергия обвала(Avalanche Energy).Вопрос мой вот в чём: если у меня в ключе проскакивают короткие(десятки-сотни нс) импульсы тока, с двух-трёх кратным превышением Drain Current Pulsed, но их общая энергия за рабочий промежуток времени значительно меньше Avalanche Energy и температура кристалла в норме причинит ли это вред ключу (не только вынос, но и ускоренный износ кристалла)?

Добавлено: Mon Apr 11, 2011 4:44 pm

Добавлено: Насчёт прямого напряжения я что-то не понял.Прямое напряжение к ключу(открытому) приложить нельзя, можно только пропустить некоторый ток, который даст данное напряжение.Но в шитах приводится значение в джоулях, которые в вольты и амперы не переводятся, т.к. не указано время.Как я понимаю, энергия лавины означает выделение данного кол-ва энергии в виде тепла на кристалле одномоментно(т.е. за малый промежуток времени, за который кристалл условно не отводит тепло при его некоторой заданной температуре), при котором происходит лавинный пробой.Это так, или я ошибаюсь?И(если это так) значит ли это, что если не превышать эту энергию(в условиях нормальной температуры) можно не беспокоиться за здоровье тр-ра?

Добавлено: Mon Apr 11, 2011 6:03 pm

в файлах есть и расчёты. Только разбираться надо. БУдет время, постараюсь объяснить.

Добавлено: Mon Apr 11, 2011 6:40 pm

Пример для 1 мДж, 100 нс и IRFP460:
Δt=0.007*0.57*((1e-3)/(100e-9)) = 39,9°
Хотя для 100 нс коэффициент k должен быть явно ниже; раз этак в пять, если не больше.

Получить многоамперный субмикросекундный импульс тока могут помешать индуктивности монтажа и элементов. Он там точно будет?

Пружина > Прямое напряжение к ключу(открытому) приложить нельзя, можно только пропустить некоторый ток, который даст данное напряжение.
О нём и речь. Однако при насыщении MOSFET напряжение на нём может дойти до лавинного пробоя.

Пружина > Но в шитах приводится значение в джоулях, которые в вольты и амперы не переводятся, т.к. не указано время.
Для твоего случая это значение бесполезно. Оно пригодится, когда потребуется оценить пригодность транзистора для ловли энергии выбросов с индуктивностей при закрытом ключе.

neon
Там в основном с индуктивностей ловят при малых токах и больших длительностях.

Добавлено: Mon Apr 11, 2011 7:08 pm

Спасибо за подробные разъяснения.

Добавлено: Mon Apr 11, 2011 8:57 pm

Серая область слева вверху недостижима из-за конечного сопротивления канала открытого MOSFET.

Источник

Single pulse avalanche energy что это

IGBT-транзистор – гибридный прибор

IGBT-транзисторы или биполярные транзисторы с изолированным затвором (Insulated-Gate Bipolar Transistor) – мощные коммутационные полупроводниковые приборы представляющие собой интегральную структуру, состоящую из входного полевого транзистора и силового биполярного транзистора. Используются в 99,999% как ключевые приборы. По электрическим свойствам представляют собой «грейпфрут» полевого транзистора с изолированным затвором и биполярного транзистора. Управление IGBT-транзистором осуществляется напряжением как полевого транзистора, во включенном состоянии имеют некоторое напряжение насыщения цепи коллектор-эмиттер; сравнительно медленное выключение («токовый хвост», как рудимент, доставшийся в наследство от биполярных транзисторов). Подробнее про внутреннюю структуру IGBT-транзисторов изложено в [Энциклопедия устройств на полевых транзисторах. Дьяконов В.П. и др. СОЛОН-Пресс. 2002. 512 с.]. Первые мощные полевые транзисторы были созданы в СССР.

Практически все выпускаемые IGBT-транзисторы n-канальные. Теоретически существующие p-канальные IGBT-транзисторы по причине невостребованности на рынке отсутствуют.

— высокие коммутируемые мощности;

— большие значения рабочего напряжения;

— устойчивость к токовым перегрузкам;

— малые мощности управления.

Области использования IGBT-транзисторов:

— в силовых импульсных преобразователях и инверторах (мощностью более 1 кВт);

— в системах индукционного нагрева;

— в системах управления двигателями (частотно-регулируемые привода).

Таким образом, IGBT-транзисторы используются только в качестве ключевых элементов.

Во многих случаях IGBT-транзисторы содержат в своем составе интегрированный быстродействующий обратный диод.

Условное обозначение и внутренняя структура IGBT-транзистора

Условное обозначение и эквивалентная упрощенная внутренняя структура IGBT-транзистора и реальная эквивалентная схема представлены на рисунке ниже.

В некоторых типах IGBT-транзисторов интегрирован отдельный реверсный быстродействющий диод.

Ниже перечислены основные параметры IGBT-транзистора, которые приводятся в справочных листках.

1. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Collector-to-Emitter Voltage или Collector-to-Emitter Breakdown Voltage) V_CES – максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером транзистора.

2. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер V_CE(on) – падение напряжение между коллектором и эмиттеров в открытом состоянии. При заданном токе коллектора и температуре.

3. Максимальное напряжение затвор-исток (Gate-to-Emitter Voltage) V_GE – максимальное управляющее напряжение затвор-эмиттер. При превышении этого напряжения возможен пробой затворного диэлектрика и выход транзистора из строя.

4. Максимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Continuous Collector Current) I_C – максимальная величина постоянно протекающего тока коллектора. В реальности для IGBT-транзисторов ток существенно зависит от температуры корпуса транзистор и рабочий ток приводится для двух значений температуры 25° С и 100° С.

6. Пороговое напряжение затвора (Gate Threshold Voltage) V_GE(th) – напряжение затвора, при котором транзистор начинает переходить в проводящее состоянии.

7. Температурный коэффициент снижения максимального напряжение коллектор-эмиттер (Temperature Coeff. of Breakdown Voltage) ∆V_(BR)CES/∆T_J – коэффициент показывающий снижение максимального напряжение коллектор-эмиттер с увеличением температуры.

9.Ток коллектора при нулевом напряжении затвор-эмиттер (Zero Gate Voltage Collector Current) I_CES – ток утечки через коллекторный переход при выключенном состоянии транзистора.

11. Энергия рассеивания кристалла (Single Pulse Avalanche Energy) E_AS – максимальная энергия, которая может быть рассеяна на кристалле транзистора без его разрушения.

12. Максимальная рассеиваемая мощность (Maximum Power Dissipation) P_D – максимальная тепловая мощность, которая может быть отведена от корпуса транзистора (при заданной температуре корпуса транзистора).

17. Ток утечки затвора (Gate-to-Emitter Leakage Current) I_GES – ток затвора при некотором (как правило, максимальном) напряжении затвор-исток.

18. Общий заряд затвора (Total Gate Charge) Q_g – суммарный заряд затвора необходимый для перевода транзистора в проводящее состояние.

21. Время задержки включения (Turn-On Delay Time) t_d(on) – время за которое транзистор накапливает заряд затвора, при котором транзистор начинает открываться.

22. Время роста тока через транзистор (Rise Time) – время, за которое происходит нарастание тока коллектора транзистора от 10% до 90%.

23. Время задержки выключения (Turn-Off Delay Time) t_d(off) – время за которое заряд затвора становится меньшим заряда включения, и транзистор начинает закрываться.

26. Потери энергии на выключение транзистора (Turn-Off Switching Loss) E_off – энергия, выделяемая в кристалле при переходном процессе выключения транзистора при заданном напряжении коллектор-эмиттер, напряжении затвора и токе коллектора.

27. Суммарные потери энергии на включение-выключение транзистора (Total Switching Loss) E_ts— суммарные потери энергии на рабочий цикл включения-выключения транзистора при заданном напряжении коллектор-эмиттер, напряжении затвора и токе коллектора.

29. Индуктивность вывода стока (Internal Emitter Inductance) L_E – паразитная индуктивность вывода эмиттера транзистора.

31. Постоянный прямой ток через обратный диод (Continuous Source-Drain Diode Current) I_S – максимальное значение постоянно протекающего прямого тока через паразитный p-n диод.

32. Импульсный ток через обратный диод (Pulsed Diode Forward Current) I_SM – максимальное значение постоянно протекающего прямого тока через паразитный p-n диод.

33. Падение напряжения на диоде (Body Diode Voltage) V_SD – прямое падение напряжения на диоде. При заданных температуре и токе истока.

35. Заряд восстановления паразитного диода (Body Diode Reverse Recovery Charge, Reverse recovery charge) Q_rr – заряд, необходимый для восстановления обратной проводимости паразитного диода.

37. Входная емкость (Input Capacitance) C_ies – сумма емкостей «затвор-коллектор» и «затвор-эмиттер» (при некотором напряжении коллектор-эмиттер).

38. Выходная емкость (Output Capacitance) C_oes – сумма емкостей «затвор-коллектор» и «коллектор-эмиттер» (при некотором напряжении коллектор-эмиттер).

39. Проходная емкость (Reverse Transfer Capacitance) C_res – емкость «затвор-коллектор».

Паразитные емкости IGBT-транзистора

Паразитные емкости IGBT-транзистора (рисунок IGBT.2) являются причиной снижения его быстродействия.

Классификация IGBT-транзисторов по быстродействию

По скорости переключения IGBT-транзисторы классифицируются на четыре группы как представлено в таблице IGBT.1 :

Таблица IGBT.1 Классификация IGBT-транзисторов по скорости переключения [Мощные и эффективные IGBT седьмого поколения от IR. Донцов Александр. Силовая электроника №5, 2013].

F, кГц

E_ts, мДж

S-Standart (стандарт)

Как видно из таблицы повышение быстродействия (уменьшение потерь на переключение) сопровождается увеличением потерь на проводимость.

По сравнению с MOSFET-транзисторами IGBT-транзисторы имеют меньшую скорость переключения, но большую устойчивость к токовым перегрузкам. Потери на проводимость в MOSFET-транзисторе пропорциональны квадрату тока, а в IGBT-транзисторе пропорциональны току. По этой причине превышение номинальной величины тока критично для MOSFET-транзистора поскольку приводит к катастрофическим потерям и вполне допустимо для IGBT-транзистора. Именно по этой причине IGBT-транзисторы широко используются там, где возможны импульсные токовые перегрузки – сварочные инверторы, системы пуска двигателей и т.д.

IGBT-модули

Поскольку основной областью применения IGBT-транзисторов является мощная преобразовательная техника, то они часто соединяются в IGBT-модули (так называемые «кирпичи»), как правило, имеющие полумостовую топологию. Модули имеют интегрированные обратные диоды, отдельные силовые клеммы и выводы управляющих сигналов затворов.

В общей классификации IGBT-модуль по внутренней электрической схеме может представлять собой (рисунок IGBT.3):

— двойной модуль (half-bridge), где два IGBT соединены последовательно (полумост);

— прерыватели, в которых единичный IGBT последовательно соединён с диодом;

— однофазный или трёхфазный мост.

MOSFET vs. IGBT. Области применения

Выбор типа ключевого элемента для того или иного преобразователя и стабилизатора является одним из основных вопросов. Ответ на вопрос о том, какой тип приборов MOSFET или IGBT использовать определяется рабочими характеристиками импульсного преобразователя:

Условное разграничение областей применения MOSFET и IGBT представлено на рисунке IGBT.4 [Выбор ключевых транзисторов для преобразователей с жёстким переключением. Александр Полищук. СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА. Октябрь 2004. c. 8-11].

Выбор определяют следующие положения:

— с ростом частоты пропорционально возрастают динамические потери на переключение – это существенно для IGBT-транзисторов;

— с ростом мощности статические потери IGBT возрастают пропорционально коммутируемому току, а статические потери в MOSFET возрастают пропорционально квадрату коммутируемого тока;

— с ростом рабочего (максимального) напряжения свыше 1000 В сложно найти MOSFET-транзисторы применение которых было бы экономически целесообразно;

— с ростом частоты снижается коэффициент заполнения.

Источник

Power Electronics

Часовой пояс: UTC + 4 часа

Снабберы

Магистр

Зарегистрирован: 06-09, 12:59
Сообщения: 8805
Откуда: Одесса

Магистр

Зарегистрирован: 12-09, 23:03
Сообщения: 9156
Откуда: Саратов

Снаббер разносит во времени ток и напряжение, мгновенная мощность падает на порядки, снижение скорости снижает перенапряжения. Все поддается расчету и прогнозируется. Это надежность.

Магистр

Зарегистрирован: 06-09, 12:59
Сообщения: 8805
Откуда: Одесса

Бывалый

Зарегистрирован: 11-09, 15:44
Сообщения: 751
Откуда: Беларусь, Минск

И ещё.
Мне всё же непонятно. На старом форуме, кажется, выяснили про снабберы всё, нашли такой, который обеспечивает косому мосту идеальное переключение, почти без потерь, простой, как грабли, уж во всяком случае, проще, чем RCD, практически не требует переделки косого моста, загоняет трансформатор в сторону, противоположную насыщению, и что, никому это не надо?
Или народ как во всё времена, неприемлет хоть и хорошее, но новое?
Или просто потому, что не может быть пророков в своём отечестве?

Multik

Не рви душу. Народ просто не знает про
Single Pulse Avalanche Energy, а эта энергия и определяет
живучесть ключа и именно её гасят демпферы.
Для профи, наличие демпфера не подлежит сомнению, а
«лепильщики» всяческих самоделок могут обойтись и без
них. Глядищь и поработает один экземпляр и даже долго.
Но, как говорят умные люди,-«Медную проволочку можно многократно
согнуть, но в конце концов она сломается».

Источник

Параметры полевых транзисторов: что написано в даташите

Силовые инверторы, да и многие другие электронные устройства, редко обходятся сегодня без применения мощных MOSFET (полевых) или IGBT-транзисторов. Это касается как высокочастотных преобразователей типа сварочных инверторов, так и разнообразных проектов-самоделок, схем коих полным полно в интернете.

Параметры выпускаемых ныне силовых полупроводников позволяют коммутировать токи в десятки и сотни ампер при напряжении до 1000 вольт. Выбор этих компонентов на современном рынке электроники довольно широк, и подобрать полевой транзистор с требуемыми параметрами отнюдь не является проблемой сегодня, поскольку каждый уважающий себя производитель сопровождает конкретную модель полевого транзистора технической документацией, которую всегда можно найти как на официальном сайте производителя, так и у официальных дилеров.

Прежде чем приступить к проектированию того или иного устройства, с применением названных силовых компонентов, всегда нужно точно знать, с чем имеешь дело, особенно когда выбираешь конкретный полевой транзистор. Для этого и обращаются к datasheet’ам. Datasheet представляет собой официальный документ от производителя электронных компонентов, в котором приводятся описание, параметры, характеристики изделия, типовые схемы и т.д.

Давайте же посмотрим, что за параметры указывает производитель в даташите, что они обозначают и для чего нужны. Рассмотрим на примере даташита на полевой транзистор IRFP460LC. Это довольно популярный силовой транзистор, изготовленный по технологии HEXFET.

HEXFET подразумевает такую структуру кристалла, когда в одном кристалле организованы тысячи параллельно-включенных МОП-транзисторных ячеек гексагональной формы. Это решение позволило значительно снизить сопротивление открытого канала Rds(on) и сделало возможным коммутацию больших токов. Однако, перейдем к обзору параметров, указанных непосредственно в даташите на IRFP460LC от International Rectifier (IR).

В самом начале документа дано схематичное изображение транзистора, приведены обозначения его электродов: G-gate (затвор), D-drain (сток), S-source (исток), а также указаны его главные параметры и перечислены отличительные качества. В данном случае мы видим, что этот полевой N-канальный транзистор рассчитан на максимальное напряжение 500 В, сопротивление его открытого канала составляет 0,27 Ом, а предельный ток равен 20 А. Пониженный заряд затвора позволяет использовать данный компонент в высокочастотных схемах при невысоких затратах энергии на управление переключением. Ниже приведена таблица (рис. 1) предельно допустимых значений различных параметров в различных режимах.

Id @ Tc = 25°C; Continuous Drain Current Vgs @ 10V — максимальный продолжительный, непрерывный ток стока, при температуре корпуса полевого транзистора в 25°C, составляет 20 А. При напряжении затвор-исток 10 В.

Id @ Tc = 100°C; Continuous Drain Current Vgs @ 10V — максимальный продолжительный, непрерывный ток стока, при температуре корпуса полевого транзистора в 100°C, составляет 12 А. При напряжении затвор-исток 10 В.

Idm @ Tc = 25°C; Pulsed Drain Current — максимальный импульсный, кратковременный ток стока, при температуре корпуса полевого транзистора в 25°C, составляет 80 А. При условии соблюдения приемлемой температуры перехода. На рисунке 11 (Fig 11) дается пояснение относительно соответствующих соотношений.

Pd @ Tc = 25°C Power Dissipation — максимальная рассеиваемая корпусом транзистора мощность, при температуре корпуса в 25°C, составляет 280 Вт.

Linear Derating Factor — с повышением температуры корпуса на каждый 1°C, рассеиваемая мощность возрастает еще на 2,2 Вт.

Eas Single Pulse Avalanche Energy — максимальная энергия единичного импульса на стоке составляет 960 мДж. Пояснение дается на рисунке 12 (Fig 12).

Iar Avalanche Current — максимальный прерываемый ток составляет 20 А.

Ear Repetitive Avalanche Energy — максимальная энергия повторяющихся импульсов на стоке не должна превышать 28 мДж (для каждого импульса).

dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt — предельная скорость нарастания напряжения на стоке равна 3,5 В/нс.

Soldering Temperature, for 10 seconds — допустимая при пайке максимальная температура составляет 300°C, причем на расстоянии минимум 1,6мм от корпуса.

Mounting torque, 6-32 or M3 screw — максимальный момент при креплении корпуса не должен превышать 1,1 Нм.

Далее следует таблица температурных сопротивлений (рис 2.). Эти параметры будут необходимы при подборе подходящего радиатора.

Rjc Junction-to-Case (кристалл-корпус) 0.45 °C/Вт.

Rcs Case-to-Sink, Flat, Greased Surface (корпус-радиатор) 0.24 °C/Вт.

Rja Junction-to-Ambient (кристалл-окружающая среда) зависит от радиатора и внешних условий.

Следующая таблица содержит все необходимые электрические характеристики полевого транзистора при температуре кристалла 25°C (см. рис. 3).

V(br)dss Drain-to-Source Breakdown Voltage — напряжение сток-исток, при котором наступает пробой равно 500 В.

ΔV(br)dss/ΔTj Breakdown Voltage Temp.Coefficient — температурный коэффициент, напряжения пробоя, в данном случае 0,59 В/°C.

Rds(on) Static Drain-to-Source On-Resistance — сопротивление сток-исток открытого канала при температуре 25°C, в данном случае, составляет 0,27 Ом. Оно зависит от температуры, но об этом позже.

Idss Drain-to-Source Leakage Current — ток утечки стока, он зависит от напряжения сток-исток и от температуры. Измеряется микроамперами.

Igss Gate-to-Source Forward Leakage и Gate-to-Source Reverse Leakage — ток утечки затвора. Измеряется наноамперами.

Qg Total Gate Charge — заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора.

Qgs Gate-to-Source Charge — заряд емкости затвор-исток.

В данном случае эти параметры измерены при напряжении сток-исток, равном 400 В и при токе стока 20 А. На рисунке 6 дано пояснение относительно связи величины напряжения затвор-исток и полного заряда затвора Qg Total Gate Charge, а на рисунках 13 a и b приведены схема и график этих измерений.

td(on) Turn-On Delay Time — время открытия транзистора.

tr Rise Time — время нарастания импульса открытия (передний фронт).

td(off) Turn-Off Delay Time — время закрытия транзистора.

tf Fall Time — время спада импульса (закрытие транзистора, задний фронт).

В данном случае измерения проводились при напряжении питания 250 В, при токе стока 20 А, при сопротивлении в цепи затвора 4,3 Ом, и сопротивлении в цепи стока 20 Ом. Схема и графики приведены на рисунках 10 a и b.

Ld Internal Drain Inductance — индуктивность стока.

Ls Internal Source Inductance — индуктивность истока.

Данные параметры зависит от исполнения корпуса транзистора. Они важны при проектировании драйвера, поскольку напрямую связаны с временными параметрами ключа, особенно это актуально при разработке высокочастотных схем.

Ciss Input Capacitance — входная емкость, образованная условными паразитными конденсаторами затвор-исток и затвор-сток.

Crss Reverse Transfer Capacitance — емкость затвор-сток (емкость Миллера).

Данные измерения проводились на частоте 1 МГц, при напряжении сток-исток 25 В. На рисунке 5 показана зависимость данных параметров от напряжения сток-исток.

Следующая таблица (см. рис. 4) описывает характеристики интегрированного внутреннего диода полевого транзистора, условно находящегося между истоком и стоком.

Is Continuous Source Current (Body Diode) — максимальный непрерывный длительный ток диода.

Ism Pulsed Source Current (Body Diode) — максимально допустимый импульсный ток через диод.

Vsd Diode Forward Voltage — прямое падение напряжения на диоде при 25°C и токе стока 20 А, когда на затворе 0 В.

trr Reverse Recovery Time — время обратного восстановления диода.

Qrr Reverse Recovery Charge — заряд восстановления диода.

ton Forward Turn-On Time — время открытия диода обусловлено главным образом индуктивностями стока и истока.

Дальше в даташите приводятся графики зависимости приведенных параметров от температуры, тока, напряжения и между собой (рис 5).

Приведены пределы тока стока, в зависимости от напряжения сток-исток и напряжения затвор-исток при длительности импульса 20 мкс. Первый рисунок — для температуры 25°C, второй — для 150°C. Очевидно влияние температуры на управляемость открытием канала.

На рисунке 6 графически представлена передаточная характеристика данного полевого транзистора. Очевидно, чем ближе напряжение затвор-исток к 10 В, тем лучше открывается транзистор. Влияние температуры также просматривается здесь довольно отчетливо.

На рисунке 7 приведена зависимость сопротивления открытого канала при токе стока в 20 А от температуры. Очевидно, с ростом температуры увеличивается и сопротивление канала.

На рисунке 8 показана зависимость величин паразитных емкостей от приложенного напряжения сток-исток. Можно видеть, что уже после перехода напряжением сток-исток порога в 20 В, емкости меняются не значительно.

На рисунке 9 приведена зависимость прямого падения напряжения на внутреннем диоде от величины тока стока и от температуры. На рисунке 8 показана область безопасной работы транзистора в зависимости от длительности времени открытого состояния, величины тока стока и напряжения сток-исток.

На рисунке 11 показана зависимость максимального тока стока от температуры корпуса.

На рисунках а и b представлены схема измерений и график, показывающий временную диаграмму открытия транзистора в процессе нарастания напряжения на затворе и в процессе разряда емкости затвора до нуля.

На рисунке 12 изображены графики зависимости средней термической реакции транзистора (кристалл-корпус) на длительность импульса, в зависимости от коэффициента заполнения.

На рисунках a и b показаны схема измерений и график разрушительного действия на транзистор импульса при размыкании индуктивности.

На рисунке 14 показана зависимость максимально допустимой энергии импульса от величины прерываемого тока и температуры.

На рисунках а и b показаны график и схема измерений заряда затвора.

На рисунке 16 показана схема измерений параметров и график типичных переходных процессов во внутреннем диоде транзистора.

На последнем рисунке изображен корпус транзистора IRFP460LC, его размеры, расстояние между выводами, их нумерация: 1-затвор, 2-сток, 3-исток.

Так, прочитав даташит, каждый разработчик сможет подобрать подходящий силовой или не очень, полевой или IGBT-транзистор для проектируемого либо ремонтируемого силового преобразователя, будь то сварочный инвертор, частотник или любой другой силовой импульсный преобразователь.

Зная параметры полевого транзистора, можно грамотно разработать драйвер, настроить контроллер, провести тепловые расчеты, и подобрать подходящий радиатор без необходимости ставить лишнее.

Если Вам понравилась эта статья, поделитесь ссылкой на неё в социальных сетях. Это сильно поможет развитию нашего сайта!

Подписывайтесь на наш канал в Telegram!

Просто пройдите по ссылке и подключитесь к каналу.

Не пропустите обновления, подпишитесь на наши соцсети:

Источник

Портал agro-sss.ru

Single pulse avalanche energy что это

Single pulse avalanche energy что это