Spd write disable что это

Spd write disable что это

Publication 1.1 / May 4, 2015

So, if we open the Intel 8 Series PCH datasheet (public edition) on page 667 we will find that the Host Configuration Register (HOSTC) of the SMBus Controller uses bit 4 called “SPD Write Disable” that was previously reserved. According to the bit description it should be set to “1”. ASUS, MSI, Biostar and other motherboard manufacturers meet this requirement, although ASRock, for example, does not protect SPD from programming within BIOS firmware. This bit can be cleared by on PLTRST# assertion only. PLTRST# is a platform reset. The PCH asserts this signal to reset devices on the platform (such as SIO, FWH, LAN, processor, and so on). The PCH asserts PLTRST# during power-up and when software initiates a hard reset sequence through the Reset Control register (I/O port CF9h). Unfortunately, our investigations confirmed that the bit is set by BIOS again once the hard reset has been initiated. So, our goal is to modify BIOS firmware the way it does not set bit 4 of the HOSTC register.

OK, we have downloaded the latest BIOS update file for the ASUS H97-PRO Gamer motherboard for our experiment. Also, we will use UEFITool 0.20.4 utility to edit BIOS sections and QView 2.90 file editor for viewing and patching extracted BIOS section files. You can use any other HEX editor if you are not familiar with QView. But this tool is good at disassembling which we need to examine BIOS code. Keep in mind that any attempt to lunch QView on 64-bit Windows fails. In this case you can use a simple utility of HxD.

After running UEFITool, go to the “File” main menu and select “Open image file…” to open your downloaded BIOS firmware file. From the “File” main menu select “Search…” to call the Search dialog box. Activate the “Text” tab and enter “SmBusPei” without quotes to find this entrance. Click OK.

UEFITool should find a module that contains PE32 image with routines for SMBus Host Controller initialization. Double click on the “Unicode text «SmBusPei» found in User interface section at offset 0h” string to open the found node in the modules tree. Right-click on the “PE32 image section” and select “Extract as is…” to save it to file.

Do not close UEFITool since you will need it to perform the final step.

The next step is to patch the SMBus PE32 section file. But before patching we need any search criterion. According to the Intel 8 Series PCH datasheet SMBus Host Controller registers are located in the PCI configuration space at address “Bus:0, Device:1F, Function:3” and the HOSTC register has address 40h. To access this location in the memory mapped space software encodes both the addresses using the specific formula: PCIEXBAR+(Bus number[27:20]) +(Device number[19:15])+(Function number[14:12])+(Register number[11:0]), where PCIEXBAR stands for PCI Express Register Range Base Address Register which may be set to F8000000h or F0000000h by default. After encoding the search criterion would be “F80BF040” or “F00BF040”.

Now you can run QView utility to find something that matches our search criterion. After running QView, press Alt+D to select the drive letter where the SMBus PE32 section file is saved. Since it is a 16-bit application, please ignore any warning Windows messages. Press Alt+F to select and open the section file. Press F7 to call the search string dialog box and enter BF40B00F as HEX code to be searched.

QView will find this string as shown below.

Switch from the HEX mode to the Assembler mode by pressing F4 key. Activate 32-bit code addressing by pressing F2 key and move the cursor a few lines above by using up arrow key. Your result should look like as shown below.

Everything you need is to change “push 00000018” to “push 00000008”. OK, enable code editing by pressing Alt+F3. “Edit ON” must be displayed when you hold Alt key and press down F3 key. Edit opcode “6A18” to “6A08”. Press Alt+F9 to save changes. Now you can close QView by pressing Esc key. Patching is done!

So, what has been actually done? 18h is a value to be programmed to the HOSTC register of the SMBus Host Controller by BIOS. In binary 18h is 11000b, where bit 3 (Soft SMBus Reset) and bit 4 (SPD Write Disable) are set to “1”. We have cleared bit 4 to let the SMBus Host Controller normally operate and respond to SPD Write commands being initiated by software.

The final step is to replace existing PE32 image section of the BIOS firmware file with the patched one. Activate UEFITool window, right-click on the “PE image section” again and select “Replace as is…”.

Open the directory were your patched PE32 section file is located and select it. Don’t worry if UEFITool shows two “PE32 image section” nodes. Now save the edited BIOS image file by pressing Ctrl+S.

Your BIOS firmware file is ready to be flashed.

Alternative patching with HxD

Open the SMBus PE32 section file you have extracted. From the “File” main menu select “Find” to call the Find dialog. Enter BF40B00F in the “Search for” string, select “Hex-values” from the “Datatype” dropped-down list.

Click “OK”. HxD should find and highlight the found string.

Now move the cursor to two bytes left to offset D47 and change its value from 18h to 08h.

Save the SMBus PE32 section file.

Project by Vitaliy Jungle
Copyright © 2008 Showshock Softnology
All Rights Reserved

Источник

Spd write disable что это

Давайте попробуем произвести настройки северного моста чипсета, который обеспечивает работу быстродействующих компонентов системы: процессора, кэш-памяти, оперативной памяти и видеосистемы. Обычно эти параметры собраны в разделе Advanced Chipset Features, а в версиях BIOS с горизонтальной строкой меню — в меню Advanced или аналогичном.

В некоторых системных платах производства Gigabyte часть настроек чипсета скрыты, и для получения доступа к ним следует нажать клавиши Ctrl+Fl после входа в BIOS Setup.

Оперативная память — один из важнейших компонентов системы, оказывающих заметное влияние на скорость и стабильность работы компьютера. Модули памяти работают по сложным алгоритмам и требуют правильно устанавливать значения рабочих частот и различных временных интервалов. Для обычного (не разогнанного) режима работы системы нет необходимости заниматься наладкой памяти вручную, поскольку в современных модулях памяти все необходимые параметры устанавливаются автоматически. С помощью настройки BIOS вы можете отключить автоматическую наладку и задавать все параметры вручную. При этом можно повысить производительность системы, правда, вам придется взять на себя всю ответственность за стабильность ее работы.

В большинстве компьютеров используется память SDRAM, DDR или DDR2/3. Память стандарта EDO и FPM, выполненная в виде модулей SIMM, является устаревшей и не будем ею засорять себе мозг.

Настройка BIOS, оперативная память, тайминги оперативной памяти.

Оперативная память работает по управляющим сигналам от контроллера памяти, который расположен в северном мосту чипсета (Intel) или непосредственно в процессоре (Athlon 64/FX/X2 и Phenom). Чтобы обратиться к определенной ячейке памяти, контроллер вырабатывает последовательность сигналов с некоторыми задержками между ними. Задержки необходимы, чтобы модуль памяти успел выполнить текущую команду и подготовиться к следующей. Эти задержки называют таймингами и обычно измеряют в тактах шины памяти.

Если тайминги будут слишком большими, то чип памяти выполнит все необходимые действия и будет некоторое время простаивать, ожидая следующую команду. В этом случае память работает медленнее, но стабильнее. Если тайминги излишне маленькие, модуль памяти не сможет корректно выполнить свои задачи, в результате чего произойдет сбой в работе программы или всей операционной системы. Иногда при таких таймингах компьютер может вообще не загрузиться, тогда придется обнулять с помощью перемычки на системной плате.

У каждого модуля памяти свои значения таймингов, при которых производитель гарантирует быструю и стабильную работу памяти. Эти значения записаны в специальном чипе под названием SPD (Serial Presence Detect). Используя информацию SPD, BIOS может автоматически конфигурировать любой модуль памяти из числа тех, которые поддерживаются чипсетом системной платы.

Большинство версий BIOS позволяет отказаться от использования SPD и настроить память вручную. Можно попытаться снизить значения таймингов, чтобы ускорить работу памяти, но после этого следует тщательно протестировать систему.

Для современных модулей памяти SDRAM и DDR выделяют четыре основных тайминга и один параметр работы контроллера памяти. Для понимания их сути кратко рассмотрим работу контроллера памяти.

1. Цикл доступа к определенной ячейке памяти начинается с того, что контроллер устанавливает низкий уровень сигнала выборки строки RAS# (Row Address Strobe) и выставляет адрес строки на линиях адреса. При поступлении этой команды модуль памяти начинает процесс открытия строки, адрес которой был передан по адресным линиям.

2. Через определенный промежуток времени, необходимый, чтобы открыть выбранную строку, контроллер памяти устанавливает низкий уровень сигнала выборки столбца CAS# (Column Address Strobe). На линиях адреса уже будет установлен адрес столбца, который нужно открыть.

3. Через некоторое время после подачи сигнала CAS# модуль памяти начнет передачу запрошенных данных.

4. Для закрытия строки контроллер памяти отключает сигналы RAS# и CAS#, установив на соответствующих выводах высокий уровень. После этого начинается подзарядка закрываемой строки, но при этом может завершаться передача пакета с данными.

5. Если нужно прочитать данные из другой строки, новый сигнал выборки строки (RAS#) может быть подан только через некоторое время после закрытия предыдущей строки, которое необходимо для подзарядки закрываемой строки.

В соответствии с приведенным выше упрощенным описанием выделяют следующие тайминги (в порядке их значимости):

□ tCL, или CAS# Latency — задержка между подачей сигнала выборки столбца CAS# и началом передачи данных, то есть между этапами 2 и 3;

□ tRCD, или RAS# to CAS# delay — задержка между сигналом выборки строки RAS# и сигналом выборки столбца CAS# (этапы 1 и 2);

□ tRP, или RAS# Precharge — задержка для подзарядки строки после ее закрытия (этапы 4 и 5);

□ tRAS, или Active to Precharge Delay — минимальное время между командами открытия строки и ее закрытия (этапы 1-4);

□ CR, или Command Rate — дополнительный параметр, указывающий количество тактов для передачи команды от контроллера к памяти. Оказывает существенное влияние на производительность современных модулей памяти и может принимать значение 1 или 2 такта.

При указании характеристик модуля памяти тайминга обычно указывают по следующей схеме: tCL-tRCD-tRP-tRAS-CR, например модуль памяти Kingston, 1GB DDR2 РС2-5300 имеет тайминга в штатном режиме 4-4-4-12-1Т. Параметр Command Rate (CR) может не указываться, и тогда тайминги будут записываться последовательностью из четырех чисел (4-4-4-12). Если посчитать количество импульсов тактового генератора между основными этапами работы контроллера, то можно получить схему таймингов 2-3-3-7, что характерно для памяти DDR.

Для справки:

DRAM Timing Selectable, Timing Mode

Это основной параметр для настройки оперативной памяти, с помощью которого выбирается ручной или автоматический режим.

Возможные значения:

1. By SPD (Auto) — параметры модулей памяти устанавливаются автоматически с помощью данных из чипа SPD; это значение по умолчанию, и без особой необходимости менять его не следует;

2. Manual — параметры модулей памяти устанавливаются вручную. При выборе этого значения можно изменять установки рабочих частот и таймингов памяти. Ручная настройка оперативной памяти позволяет ускорить ее работу, но при этом в системе могут быть сбои.

Configure DRAM Timing by SPD, Memory Timing by SPD

Смысл этих параметров полностью аналогичен рассмотренному выше DRAM Timing

Selectable, а возможные значения будут такими:

1. Enabled (On) — параметры оперативной памяти устанавливаются автоматически в соответствии с данными SPD;

2. Disabled (Off) — оперативная память настраивается вручную.

Memory Frequency, DRAM Frequency, Memclock Index Value, Max Memclock

Параметр отображает или устанавливает частоту работы оперативной памяти. Эта частота в большинстве случаев задается автоматически в соответствии с информацией из SPD. Настраивая вручную, можно заставить память ускориться, однако далеко не каждый модуль при этом будет работать стабильно.

Возможные значения:

1. Auto — частота оперативной памяти устанавливается автоматически в соответствии с данными SPD (по умолчанию);

2. 100,120,133 (РС100, РС133) — возможные значения для памяти SDRAM;

3. 200, 266, 333, 400, 533 (DDR266, DDR333, DDR400, DDR533) — возможные значения для памяти DDR;

4. DDR2-400,DDR2-566, DDR2-667, DDR2-800, DDR2-889, DDR2-1067 — значения для памяти DDR2.

В зависимости от используемого чипсета список доступных значений может отличаться от приведенного, в нем будут указаны только те частоты, которые поддерживаются платой.

В некоторых платах рассматриваемый параметр доступен только для чтения, а для изменения частоты памяти следует использовать рассмотренный далее параметр FSB/Memory Ratio. В системных платах производства ASRock для ручной настройки памяти следует отключить параметр Flexibility Option.

FSB/Memory Ratio, System Memory Multiplier

Параметр определяет соотношение (множитель) между частотой FSB и частотой памяти. Данный параметр может использоваться вместо рассмотренного выше параметра Memory Frequency для установки частоты работы оперативной памяти.

Возможные значения:

1. Auto — соотношение между частотой FSB и памяти настраивается автоматически в соответствии с данными SPD;

2. 1:1; 1:1, 2; 1:1, 5; 1:1, 66; 1:2, 3:2; 5:4 — выбор одного из этих значений позволит вручную установить соотношение между частотами FSB и памяти. Для расчета частоты памяти следует учитывать, что частота FSB может указываться с учетом четырехкратного умножения (эффективное значение), а частота DDR — с учетом двукратного. Например, при эффективной частоте FSB 1066 МГц и множителе 1:1,5 результирующая частота памяти будет равна (1066:4) х 1,5 х 2 — 800 МГц. В зависимости от модели платы набор соотношений может несколько отличаться от приведенного выше;

3. 2, 00; 2, 50; 2, 66; 3, 00; 3, 33; 4,00 — при наличии подобного ряда частота памяти вычисляется умножением реальной частоты FSB на выбранный коэффициент;

4. Sync Mode — память работает синхронно с частотой FSB.

CAS# Latency, tCL, DRAM CAS# Latency

Параметр устанавливает задержки между подачей сигнала выборки столбца CAS# и началом передачи данных. Эта задержка необходима, чтобы модуль памяти мог сформировать для передачи содержимое запрошенной ячейки памяти. Ручная установка низких значений CAS# Latency увеличивает скорость работы модуля, то есть разгоняет его.

Возможные значения:

1. 1, 5; 2; 2, 5; 3 — для памяти DDR. Меньшие значения соответствует более быстрой работе памяти, однако не все модули могут работать при таких значениях;

2. 3; 4; 5; 6 — для памяти DDR2. Как и в случае с DDR, ускорение памяти достигается уменьшением значения tCL.

В некоторых версиях BIOS к числовому значению таймингов добавляется единица измерения, например 5Т (5 DRAM Clocks).

tRCD, RAS# to CAS# delay, DRAM RAS-to-CAS Delay

Параметр изменяет время задержки между сигналом выборки строки RAS# и сигналом выборки столбца CAS#. Эта задержка необходима, чтобы модуль памяти успел определить и активизировать требуемую строку. Чем меньше значение tRCD, тем быстрее доступ к ячейке, однако, как и в случае CAS Latency, слишком низкие значения могут привести к нестабильной работе памяти.

Возможные значения — от 1 до 7 тактов. Они определяют время задержки между сигналами CAS# и RAS#. Чем меньше значение tRCD, тем быстрее доступ к ячейке, однако, как и в случае CAS Latency, слишком низкие значения могут привести к нестабильной работе памяти.
Настройка BIOS, tRP, DRAM RAS# Precharge, RAS Precharge, SDRAM RAS Precharge, Row Precharge Time

Параметр задает минимально допустимое время, чтобы подзарядить строку после ее закрытия. Другими словами, он определяет паузу между закрытием одной строки и открытием другой с помощью нового сигнала RAS#. При меньших значениях этого параметра память работает быстрее, но слишком низкие могут привести к нестабильной работе памяти.

Возможные значения — от 1 до 7 тактов. Они означают минимальное время в тактах для подзарядки строки и формирования нового сигнала RAS.

tRAS, Active to Precharge Delay, DRAM RAS# Activate to Precharge, Min RAS# Active Time

Параметр устанавливает минимальное время между командой активизации строки и командой закрытия, то есть такое время, в течение которого строка может быть открыта. Слишком высокое значение этого параметра немного снижает производительность, поскольку на закрытие ячейки тратится лишнее время. Чтобы увеличить производительность, попробуйте установить минимальное значение tRAS или же подберите его экспериментально. По имеющимся из разных источников сведениям, параметр tRAS на общую производительность памяти влияет не очень существенно, а оптимальный вариант зависит от типа чипсета.

Возможные значения — от 3 до 18 тактов. Они определяют требуемое время задержки.

DRAM Command Rate, IT/ 2T Memory Timing

Параметр устанавливает задержку при передаче команд от контроллера к памяти. Возможные значения:

1. 2т (2т Command) — величина задержки равна двум тактам; обычно устанавливается по умолчанию и соответствует меньшей скорости, но большей надежности работы памяти;

2. IT (IT Command) — установка задержки в один такт, иногда это позволяет увеличить скорость оперативной памяти. Возможность нормальной работы памяти при таком значении сильно зависит от чипсета и модуля памяти и требует порой экспериментальной проверки. Не рекомендуется устанавливать 1Т при работе памяти на повышенных тактовых частотах или при одновременном использовании нескольких модулей памяти.

2Т Command

Параметр полностью аналогичен рассмотренному выше DRAM Command Rate, но имеет следующие значения:

1. Auto — задержка команд устанавливается в соответствии с данными SPD;

2. Enabled — установлена задержка в 2 такта;

3. Disabled — установлена задержка в 1 такт.
Дополнительные тайминги памяти

Как уже отмечалось, в некоторых системных платах имеются расширенные возможности для настройки памяти и количество доступных таймингов может достигать десятка, а иногда и двух десятков. Дополнительные тайминги оказывают меньшее влияние на производительность, чем рассмотренные выше основные тайминги, поэтому их в большинстве случаев следует оставить по умолчанию. Если же у вас есть время и желание экспериментировать, вы можете несколько повысить производительность системы памяти с их помощью.

Кратко рассмотрим значение дополнительных таймингов.

□ tRRD (RAS to RAS Delay) — задержка между активизацией строк разных банков.

□ tRC (Row Cycle Time), Row Active Time, Raw Pulse Width — длительность цикла строки памяти. Полный цикл состоит из времени от начала активизации строки до ее закрытия (tRAS) и задержки для формирования нового сигнала RAS# (tRP), то есть tRC = tRAS + tRP.

□ tWR (Write Recovery Time) — задержка между завершением операции записи и началом предзаряда.

□ tWTR (Write to Read Delay) — задержка между завершением операции записи и началом операции чтения.

□ tRTP (Precharge Time) — интервал между командами чтения и предварительного заряда.

□ tREF (Refresh period) — частота обновления памяти. Может устанавливаться в тактах или микросекундах.

□ tRFC (ROW Refresh Cycle Time) — минимальное время между командой обновления строки (Refresh) и командой активизации или другой командой обновления. В некоторых версиях BIOS имеется возможность установки данного тайминга для каждого модуля памяти, а параметры будут называться соответственно Trfс 0/½/3 for DIMM 0/½/3.

Важно:

Неудачное изменение любого из таймингов памяти может привести к нестабильной работе компьютера, поэтому при первом же сбое следует установить тайминги по умолчанию.
Bank Interleave

Параметр задает режим чередования при обращении к банкам памяти. В таком режиме регенерация одного банка выполняется в то же время, когда процессор работает с другим банком. Модули памяти объемом 64 Мбайт и более обычно состоят из четырех банков, и включение этого параметра ускоряет работу памяти.

Возможные значения:

1. Auto — режим чередования настраивается автоматически;

2. 2 Way, 4 Way — одно из этих значений устанавливает двух-или четырехбан- ковый режим чередования; рекомендуется использовать 4 Way как обеспечивающий наибольшую производительность, 2 Way может понадобиться, если в системе только один двухбанковый модуль памяти;

3. Disable — режим чередования отключен, что снизит пропускную способность памяти.

DRAM Burst Length, Burst Length

Параметр устанавливает размер пакета данных при чтении из оперативной памяти.

Возможные значения — 4, 8. Они определяют длину пакета данных. При 8 теоретически должна обеспечиваться большая производительность памяти, но практика показывает, что разница копеечная.

Источник

System Memory Multiplier (SPD) что это в биосе?

System Memory Multiplier (SPD) — опция в биосе, которая отвечает за множитель частоты оперативной памяти. Изменять нужно если вы разгоняете комп, также подчеркну, что во всем этом нужно разбираться, частота, множитель, вольтаж — нужно хорошо понимать что менять и в каких пределах. При разгоне значение меняется не только System Memory Multiplier (SPD), но и других опций. Также не стоит забывать об охлаждении, но это уже совсем другая история.

В опции System Memory Multiplier (SPD) могут быть разные значения, обычно цифрами идет, но есть и пункт Auto, по умолчанию он и стоит.

Как выглядит опция в биосе:

Если ее выбрать, то покажется примерно такое меню:

На этом все. Надеюсь информация помогла. Удачи.

Добавить комментарий Отменить ответ

Этот сайт использует Akismet для борьбы со спамом. Узнайте как обрабатываются ваши данные комментариев.

Источник

Thread: DRAM SPD write option

Thread Tools

Search Thread

Display

DRAM SPD write option

Can a good soul let me know how to get dram spd write access in the bios of the rampage VI extreme, trying to run thaiphoon to fix gskill rgb ram, but write capability must be enabled via the bios setup, I could not find that option so far.

ROG Guru: Black Belt Array Korth PC Specs

Join Date Mar 2015 Reputation 152 Posts 2,718

Exactly what are you trying to «fix»?

I doubt any RGB-specific data is encoded within the SPD.

And flashing your own values into the SPD EEPROM only changes what the DIMMs report to firmware, it can’t and won’t actually make the DDR4 silicon itself capable of running any faster. The SPD (and EPP/XMP) profiles are only «autodetect» defaults anyhow, the user can override them through system firmware and software.

The best way to muck around with SPD EEPROM would be through a simpler mainboard with dumber firmware which allows «direct» SMBus access. A complex overclocky motherboard like the ROG R6E is probably packed full of always-active «smart» UEFI firmcode which complicates or undermines attempts to reflash component-level EEPROMs.

nothing like it, like many I do have gskill rgb ram module that seems dead but are not due to some conflict between different rgb controlling software, with dram spd write enabled I can fix it. my question was about how to enable dram spd write in the bios on the rampage vi extreme, nothing else.
thanks for the message though.

ROG Guru: Black Belt Array Korth PC Specs

Join Date Mar 2015 Reputation 152 Posts 2,718

The free/demo version of Thaiphoon Burner software cannot Write SPDs, only the purchased versions can.
I’ve used free RWE software for writing SPDs before, I think it would work for this purpose although I’m not certain.

Источник