тайминги оперативной памяти ddr3 1600 какие лучше
Все ли DDR3-1600 одинаково полезны? Сравнение разночастотных комплектов DDR3
Вступление
Вероятно у многих, при покупке оперативной памяти, возникает резонный вопрос о необходимости приобретения модулей с тактовой частоты выше стандартизированных значений. Действительно, при разгоне системы зачастую требуются планки способные выдерживать частоты от 1600 МГц и выше. Ставить же понижающий множитель DRAM – не путь истинного “оверклокера”. Идя на встречу пользователям (ну и себе, конечно, не забывают деньги в карман положить) большинство производителей выпускает модули и комплекты с проверено-стабильными высокими частотами. Самые простые экземпляры имеют характеристики вида: 1600 МГц при ровных таймингах 9-9-9. Цена за один подобный модуль в большинстве случаев на 15-20% выше, чем за память стандарта PC3-10600. Следующим шагом “крутизны” идут планки с более агрессивными задержками (8-8-8, 7-7-7 и т.д) и соответствующей ценой.
Впрочем, как многим из вас известно, даже самые дешёвая и простая оперативная память способна покорять частоты, значительно опережающие значения из заявленных технических характеристик. На что же способны варианты представленные на рынке в несколько ином ценовом сегменте истории неизвестно освещается не так часто. В действительности многие интернет ресурсы обходят стороной самые простые оверклокерские киты, предоставляя обзоры лишь топовых комплектов. Оно и понятно – производитель надаёт по голове если окажется, что протестированная, более дорогая память ничем не лучше остального “ширпотрёба” представленного на рынке.
Я решил исправитель эту нелепую ситуацию, и взял на тесты по две планки DRR3 1333 Мгц CL9 от Samsung и Kingston, а для сравнения возможностей отхватил в дополнение комплект Geil Black Dragon DDR3 1600 МГц CL8. Увы и ах, а заполучить подобные модули от OCZ в этот раз не удалось. Вообщем, по голове мне за такое сравнение никто не стукнет, а поэтому приступим…
реклама
Характеристики
Представленные выше модули относятся к двум разным категория. Самыми бюджетными решениями представляются планки стандарта PC3-10600 компаний Samsung и Kingston с идентичной ценой за один модуль. Кроме этого одинаковы и все их технические характеристики, начиная отсутствием профилей XMP и заканчивая рабочими таймингами. Модули Samsung можно купить исключительно по отдельности, комплекты не предусмотрены. С вариантом от Kingston есть возможность выбора – двух\трёхканальные киты либо покупка необходимого количества модулей вне комплектов.
В SPD планок Samsung прописаны четыре стандарта JEDEC все с номинальным напряжением 1.5 В. Модули произведены на второй неделе 2010 года, а максимальная пропускная способность (Max Bandwidth) заявлена как 10700, что на самом деле всё же ближе к реальным 10664 (1333×8) нежели указанные PC-10600 в характеристиках модулей.
Тайминги ОЗУ: разбираемся в нюансах
Что означают эти непонятные цифры на оперативной памяти для ПК? Ведь тайминги напрямую влияют на ее быстродействие, но их величина — это вовсе не объем и не скорость. Рассказываем понятным языком и объясняем, какие параметры лучше.
При выборе оперативной памяти для ПК многие пользователи сталкиваются с вопросом изучения характеристик чипов, в том числе рабочих частот и таймингов. Но если с первыми все понятно — чем они выше, тем быстрее память, то со вторыми не все так просто. Мы расскажем, для чего нужен этот параметр и как выбрать планку с оптимальными значениями таймингов.
ЧЧто влияет на скоростные параметры ОЗУ
От скоростных показателей оперативной памяти зависит как быстро будет осуществляться обмен данными между процессором и жестким диском и системой. Чем выше частота работы чипов, тем больше операций чтения/записи она может выполнить в единицу времени. Конечно, от объема оперативной памяти также зависит общее быстродействие ПК, но лишь в определенных программах.
Это можно сравнить с работой экскаватора: процессор (оператор) дает команды экскаватору (ковшу) забрать определенное количество грунта (данных) из котлована (жесткого диска). Чем больше ковш, тем больше грунта (данных) будут забраны и доступны к оперативному использованию. Но быстродействие ПК зависит от слаженной работы всех компонентов системы.
1 байт = 8 бит
Из этого можно вычислить, что DDR3 с частотой 1600 МГц сможет обработать 12800 бит/сек. Аналогично этому DDR4 2400 сможет попустить через себя данные со скоростью 19200 бит/сек. Таким образом, со скоростью обработки данных разобрались.
Теперь плавно переходим к таймингам. Эти цифры также указывают на наклейках на оперативной памяти в виде счетверённых через дефис цифр, например, 8-8-8-24, 9-9-9-24 и т.д. Эти цифры обозначают, какой промежуток времени (задержка) необходим модулю RAM для доступа к битам данных при выборке из таблицы массивов памяти.
Эта задержка характеризует, какое количество тактовых импульсов необходимо для считывания данных из ячеек памяти для 4-х таймингов. Самый важный из четырех цифр — первый, и на этикетке может быть написан только он.
Поэтому, в этих характеристиках действует обратный принцип: чем меньше числа, тем выше скорость. А меньшая задержка обеспечит быстрее считать или записать данные в ячейку памяти и затем достигнут процессора для обработки.
Тайминги замеряют период ожидания (CL, CAS Latency, где CAS — Acess Strobe) чипа памяти, пока он обрабатывает текущий процесс. Т.е. это время между получением команды на чтение и ее выполнением. Со следующими двумя цифрами все несколько сложнее. Вторая цифра в строке таймингов RAS-CAS, ) является ни чем иным, как отрезок времени между получением команды «Active» и выполнением поступающей после нее команды на чтение или запись. Здесь также — чем меньше, тем лучше.
Третья цифра, это RAS Precharge — время, за которое проходит между завершением обработки одной строки и переходом к другой. И последняя цифра демонстрирует параметр памяти Row Active. Он определяет задержку, в течение которой активна одна строка в ячейке.
ККакие тайминги лучше выбирать
Вы также можете подобрать себе оперативную память в качестве апгрейда. Здесь также нужно придерживаться правила равных таймингов, и не допускать, чтобы какой-то из них, например, опережал почти на треть цикла.
Если же вы намерены установить на ПК самую быструю память, что следует учесть, что, например, тайминги 4-4-4-8, 5-5-5-15 и 7-7-7-21 могут обеспечить очень быстрый доступ к данным, но процессор и материнская плата не смогут этим воспользоваться. При этом важно, чтобы в материнской была возможность вручную установить тайминги для ОЗУ.
ККак узнать тайминги оперативной памяти
Для этих целей не обязательно вскрывать корпус и вытаскивать из слотов планки оперативной памяти. Специальная бесплатная утилита CPU-Z позволит быстро узнать нужные цифры таймингов. Для вычиcления тайминга самостоятельно можно использовать довольно простую формулу:
Время задержки (сек) = 1 / Частоту передачи (Гц)
1 / 400 000 000 = 2,5 нсек (наносекунд)
периода полного цикла (время такта). А теперь считаем задержку для обоих вариантов, представленных в рисунках. При таймингах CL-11 модуль будет выдавать «тормоза» периодом 2,5 х 11 = 27,5 нсек. В CPU-Z это значение показано как 28. Как видно из формулы, чем ниже каждый из указываемых параметров, тем быстрее будет ваша оперативная память работать.
ККак вручную задать тайминги в BIOS
Такая возможность есть не в любой материнской плате — лишь в оверклокерских модификациях. Вы можете попробовать выставить тайминги вручную из предлагаемых системой значений, после чего нужно внимательно следить за стабильностью работы ПК под нагрузкой. Если в БИОС специальных настроек не предусмотрено, то стоит смириться с теми, которые установлены по умолчанию.
Подбираем тайминги для DDR3 ECC \ non-ECC
Основными параметрами оперативной памяти, как известно, являются объем, а также тактовая частота. Но помимо этого довольно важным, хотя и не всегда учитываемым параметром являются характеристики латентности памяти или так называемые тайминги. Тайминги оперативной памяти определяются количеством времени, которое требуется микросхемам ОЗУ, чтобы выполнить определенные этапы операций чтения и записи в ячейку памяти и измеряются в тактах системной шины. Таким образом, чем меньше будут значения таймингов модуля памяти, тем меньше модуль будет тратить времени на рутинные операции, тем большее быстродействие он будет иметь и, следовательно, тем лучше будут его рабочие параметры. Тайминги во многом влияют на производительность работы модуля ОЗУ, хотя и не так сильно, как тактовая частота.
Таблицы таймингов DDR3
Следующие таблички помогут подобрать наиболее удачные и работоспособные тайминги для памяти DDR3 в китайских материнских платах сокета 2011 и не только.
Важно помнить, что стабильность системы, как и возможность взять ту или иную частоту зависит не только от самой памяти, но и от используемого процессора (контроллер памяти находится именно в нём) и материнской платы.
Не лишним также будет узнать, какие чипы установлены в модуле памяти. Для чипов производства Samsung можно воспользоваться этой инструкцией, для чипов других производителей — не сложно нагуглить.
Классическая таблица таймингов с форума Overclockers
Еще один вариант таблицы. Обратите внимание на последние 4 столбца: параметр RFC выставляется в зависимости от ёмкости чипов. Определить его просто: поделите общий объём модуля на количество распаянных на нём чипов.
Некоторые особенности работы памяти на 2011 сокете
Для большинства конфигураций хорошим результатом будет работа памяти на частоте 1866 Мгц с задержками менее 70 ns. В четырехканале при этом достигается скорость
Взять частоту в 2133 Мгц — более сложная задача, доступная уже не каждому процессору и набору памяти.
Для систем, ограниченных порогом в 1600 Мгц, хорошим решением будет найти максимально низкие стабильные тайминги. Ну а оставаться на частоте в 1333 Мгц даже при низких таймингах смысла довольно мало, скорость памяти по современным меркам будет весьма посредственной.
Как узнать скорость записи\чтения и латентность памяти
Проще всего — запустив тест кэша и памяти в Aida64. После прохождения программа покажет все необходимые данные, а также текущую скорость памяти и основные тайминги. Сохранив скриншот этого окна, можно будет легко сравнить результаты после изменения конфигурации ram.
Результат теста кэша и памяти
Aida 64 — платный софт с ограниченным бесплатным функционалом. Но если покупать полноценную версию по каким-то причинам не хочется, ключ для активации легко находится в том же гугле.
Как проверить стабильность памяти
Если система запустилась на желаемой частоте с выбранными таймингами, это еще не значит, что она стабильна. Чтобы не словить синий экран в процессе игры или работы — проверяйте стабильность памяти. Стандартные тесты, вроде Aida64 могут и не выявить ошибки в работе ram. Лучше использовать для этого специальный софт, например TestMem5 (программа бесплатная).
Помимо стандартных настроек, существуют и пользовательские конфиги для TestMem. Одним из наиболее популярных считается конфиг от 1usmus. Для его использования — замените содержимое файла MT.cfg в папке bin программы. Стандартные настройки можно забэкапить в другой файл.
Memory Test config file v0.02
Copyrights to the program belong to me.
Serj
testmem.tz.ru
serj_m@hotmail.com
[Main Section]
Config Name=Default
Config Author=1usmus_v2
Cores=0
Tests=15
Time (%)=100
Cycles=5
Language=0
Test Sequence=6,12,2,10,5,1,4,3,0,13,9,7,8,1,11,14
[Global Memory Setup]
Channels=2
Interleave Type=1
Single DIMM width, bits=64
Operation Block, byts=64
Testing Window Size (Mb)=880
Lock Memory Granularity (Mb)=16
Reserved Memory for Windows (Mb)=128
Capable=0×1
Debug Level=7
[Window Position]
WindowPosX=1105
WindowPosY=691
[Test0]
Enable=1
Time (%)=100
Function=RefreshStable
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0×0
Pattern Param1=0×0
Parameter=0
Test Block Size (Mb)=0
[Test1]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=1
Pattern Param0=0x1E5F
Pattern Param1=0×45357354
Parameter=0
Test Block Size (Mb)=16
[Test2]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0x14AAB7
Pattern Param1=0x6E72A941
Parameter=254
Test Block Size (Mb)=32
[Test3]
Enable=1
Time (%)=100
Function=MirrorMove
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0×0
Pattern Param1=0×0
Parameter=1
Test Block Size (Mb)=0
[Test4]
Enable=1
Time (%)=100
Function=MirrorMove128
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0×0
Pattern Param1=0×0
Parameter=510
Test Block Size (Mb)=0
[Test5]
Enable=1
Time (%)=100
Function=MirrorMove
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0×0
Pattern Param1=0×0
Parameter=4
Test Block Size (Mb)=0
[Test6]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0x5D0
Pattern Param1=0x143FBC767
Parameter=125
Test Block Size (Mb)=1
[Test7]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0×0
Pattern Param1=0×0
Parameter=0
Test Block Size (Mb)=2
[Test8]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0x153AA
Pattern Param1=0xDC7728C0
Parameter=358
Test Block Size (Mb)=0
[Test9]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=0
Pattern Param0=0×0
Pattern Param1=0×0
Parameter=0
Test Block Size (Mb)=4
[Test10]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0x2305B
Pattern Param1=0x97893FB2
Parameter=477
Test Block Size (Mb)=8
[Test11]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0x98FB
Pattern Param1=0x552FE552F
Parameter=8568
Test Block Size (Mb)=16
[Test12]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0xC51C
Pattern Param1=0xC50552FE6
Parameter=787
Test Block Size (Mb)=32
[Test13]
Enable=1
Time (%)=100
Function=SimpleTest
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0xB79D9
Pattern Param1=0x253B69D94
Parameter=8968
Test Block Size (Mb)=64
[Test14]
Enable=1
Time (%)=100
Function=RefreshStable
DLL Name=bin\MT0.dll
Pattern Mode=2
Pattern Param0=0x2305A
Pattern Param1=0x17893AB21
Parameter=265
Test Block Size (Mb)=64
Успешным считается прохождение теста, при котором нет ни одной ошибки.
Где можно недорого докупить памяти
С массовым переходом на DDR4, память предыдущего поколения хоть и не сильно, но подешевела. Приобрести DDR3 можно на aliexpress, это наиболее выгодный и удобный способ.
Обычные десктопные модули можно купить здесь (Zifei), здесь (Atermiter) и вот тут (Kingston HyperX \ Fury). С недавних пор память выпускает даже Huananzhi.
Модули для ноутбуков продаются здесь и здесь.
Недорогая серверная DDR3 ECC REG есть у следующих продавцов:
Оригинальные серверные модули Samsung 1866 Мгц можно найти у этого продавца.
Поделиться «Подбираем тайминги для DDR3 ECC \ non-ECC»
Тестирование модулей оперативной памяти DDR3-1333 и DDR3-1600 объемом 8 Гбайт (страница 4)
Kingston KVR1333D3N9/8G (Elpida J4208EASE-DJ-F) DDR3-1333 8192 Мбайта
Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:
реклама
График с результатами разгона:
Оптимальные тайминги: X-(X-2)-(X-3).
Без потерь по частоте можно понизить RAS to CAS Delay (tRCD) на двойку и RAS Precharge (tRP) на тройку относительно CAS Latency (tCL).
Реакция на изменение напряжения: слабая, но есть во всем интервале от 1.35 В до 1.85 В и не зависит от установленных таймингов.
Минимальные тайминги для частоты 1333 МГц с напряжением 1.50 В: 8-6-5-15 1T
Samsung M378B1G73BH0-CH9 (SEC K4B4G0846B-HCH9) DDR3-1333 8192 Мбайта
Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:
реклама
График с результатами разгона:
Реакция на изменение напряжения:
Минимальные тайминги для стандартных частот:
Десятиминутная проверка в LinX:
Разгон на максимальную частоту памяти в CPUZ – 2600 МГц с таймингами 11-12-12-28 1T и напряжением 1.75 В:
Список модулей и комплектов памяти объемом 8 Гбайт
Чтобы облегчить поиск и выбор оперативной памяти для разгона, основанной на «правильных» микросхемах, силами участников оверклокерских форумов формируются списки, по которым можно определить, какие микросхемы памяти используются для производства тех или иных модулей и комплектов оперативной памяти. Есть даже отдельный сайт, целиком посвященный этой теме – RAM List.
Но на таких ресурсах сейчас в основном собирается информация по DDR3 памяти с плотностью микросхем в 1 Гбит (наиболее часто используемой оверклокерами из-за лучшего соотношения частот и таймингов) и по DDR3 памяти с плотностью микросхем в 2 Гбит (наиболее высокий разгон по частоте, пусть и с большими таймингами). А по DDR3 памяти с плотностью микросхем в 4 Гбит почти ничего нет, как из-за относительной новизны такой памяти, так и благодаря её меньшей распространенности (особенно среди оверклокеров).
По этой причине был собран свой собственный небольшой список, источником информации для которого послужили QVL-списки производителей материнских плат, сайты интернет-магазинов с фотографиями модулей памяти и другие.
реклама
Список модулей и комплектов памяти объемом 8 Гбайт на модуль
и использованных в них микросхем
Производитель модуля | Маркировка модуля | Тип памяти | Объём, Мбайт | Производитель микросхем | Маркировка микросхем |
A-DATA | AD3U1333W8G9-2 | DDR3-1333 | 2×8192 | Elpida | J4208BASE-DJ-F |
A-DATA | AXDU1333GW8G9-2G | DDR3-1333 | 2×8192 | Elpida | J4208BASE-DJ-F |
A-DATA | EL64C1D1624Z1 | DDR3-1600 | 8192 | Elpida | J4208BBBG-GN-F |
A-DATA | SU3U1333W8G9 | DDR3-1333 | 8192 | Elpida | J4208BASE-DJ-F |
AMD Memory (Patriot) | AE38G1601U2 | DDR3-1600 | 2×8192 | Micron | D9PBC (MT41J512M8RA-125:D) |
Corsair | Dominator CMP32GX3M4X1600C10 | DDR3-1600 | 4×8192 | Elpida | |
Corsair | Dominator GT CMT32GX3M4X1866C9 | DDR3-1866 | 4×8192 | Micron | |
Corsair | Vengeance CMZ8GX3M1A1600C10 | DDR3-1600 | 8192 | Elpida | |
Corsair | Vengeance CMZ16GX3M2A1600C10 | DDR3-1600 | 2×8192 | Elpida | |
Corsair | Vengeance CMZ32GX3M4X1600C10 | DDR3-1600 | 4×8192 | Elpida | |
Corsair | Vengeance CMZ16GX3M2A1866C10 | DDR3-1866 | 2×8192 | Micron | |
Corsair | Vengeance CMZ32GX3M4X1866C10 | DDR3-1866 | 4×8192 | Micron | |
Corsair | XMS3 CMX8GX3M1A1333C9 | DDR3-1333 | 8192 | Elpida | |
Corsair | XMS3 CMX16GX3M2A1600C11 | DDR3-1600 | 2×8192 | Elpida | |
Corsair | XMS3 CMX32GX3M4A1600C11 | DDR3-1600 | 4×8192 | Elpida | |
Crucial | CT102464BA1339 | DDR3-1333 | 8192 | Micron | D9PCH (MT41J512M8RA-15E:D) |
Crucial | CT2KIT102464BA1339 | DDR3-1333 | 2×8192 | Micron | D9PCH (MT41J512M8RA-15E:D) |
Crucial | CT3KIT102464BA1339 | DDR3-1333 | 3×8192 | Micron | D9PCH (MT41J512M8RA-15E:D) |
GeIL | GB316GB1600C10DC | DDR3-1600 | 2×8192 | Elpida | Elpida B-Die (remarked) |
G.Skill | F3-1866C10D-16GAB | DDR3-1866 | 2×8192 | Micron | D9NZZ (MT41K512M8RA-15E: D) |
G.Skill | F3-2133C9Q-32GXH | DDR3-2133 | 4×8192 | Samsung | |
Hynix | HMT41GU6MFR8C-H9 | DDR3-1333 | 8192 | Hynix | H5TQ4G83MFR-H9C |
Hynix | HMT41GU6MFR8C-PB | DDR3-1600 | 8192 | Hynix | H5TQ4G83MFR-PBC |
Kingston | KVR1333D3N9/8G | DDR3-1333 | 8192 | Elpida | J4208BASE-DJ-F J4208EASE-DJ-F |
Mushkin | Model 992017 | DDR3-1333 | 8192 | Elpida | J4208BASE-DJ-F |
Mushkin | Model 997017 | DDR3-1333 | 2×8192 | Elpida | J4208BASE-DJ-F |
Mushkin | Model 999017 | DDR3-1333 | 3×8192 | Elpida | J4208BASE-DJ-F |
Mushkin | Model 994017 | DDR3-1333 | 4×8192 | Elpida | J4208BASE-DJ-F |
NCP | NCPH10AUDR-13M28 | DDR3-1333 | 8192 | Elpida | Elpida B-Die (remarked) |
Patriot | PGD332G1333ELQK | DDR3-1333 | 8192 | Micron | D9PBC (MT41J512M8RA-125:D) |
Patriot | PSD38G13332 | DDR3-1333 | 4×8192 | Micron | D9PCH (MT41J512M8RA-15E:D) |
Samsung | M378B1G73AH0-CH9 | DDR3-1333 | 8192 | Samsung | SEC K4B4G0846A-HCH9 |
Samsung | M378B1G73BH0-CH9 | DDR3-1333 | 8192 | Samsung | SEC K4B4G0846B-HCH9 |
SanMax | SMD-16G28NP-16K-D-BK | DDR3-1600 | 2×8192 | Elpida | J4208BBBG-GN-F |
SanMax | SMD-32G28NP-16K-Q-BK | DDR3-1600 | 4×8192 | Elpida | J4208BBBG-GN-F |
SanMax | SMD-16G28CP-16K-D-BK | DDR3-1600 | 2×8192 | Micron | D9PBC (MT41J512M8RA-125:D) |
SanMax | SMD-32G28CP-16K-Q-BK | DDR3-1600 | 4×8192 | Micron | D9PBC (MT41J512M8RA-125:D) |
Silicon Power | SP008GBLTU133N02 | DDR3-1333 | 8192 | Elpida | Elpida B-Die (remarked) |
Transcend | TS1GLK64V3H | DDR3-1333 | 8192 | Micron | D9PBC (MT41J512M8RA-125:D) |
Заключение
В целом модули памяти объемом 8 Гбайт во многом схожи со своими предшественниками на 4 Гбайта. Они по-прежнему требуют использования высоких таймингов для разгона, способны работать на пониженном напряжении (1.35 В), и масштабируются по частоте примерно до 1.65 В. Нагрев микросхем памяти плотностью 4 Гбит незначителен даже при разгоне, так что в радиаторах для них необходимости нет. Но если цены на бюджетные «планки» по 4 Гбайта давно стабилизировались и находятся на уровне 600-700 рублей за модуль, то разброс цен на память объемом 8 Гбайт все еще достаточно большой – от 1500 до 2800 рублей за модуль. Причем по минимальной цене можно купить только то, что совершенно не подходит для разгона.
Модули памяти объемом 8 Гбайт остаются специфическим товаром и пока далеки от того, чтобы стать массовыми, но, несмотря на это, среди них уже есть «из чего выбирать и что разогнать». Если ваши потребности в объеме оперативной памяти все еще можно обеспечить при помощи четырех модулей объемом 4 Гбайта каждый, то на данный момент такой вариант будет выгоднее, чем два модуля по 8 Гбайт. В будущем, скорее всего, снижение цен на память с высокой плотностью продолжится, а разрыв цен между микросхемами Samsung и Elpida сократится. Но пока можно выбрать только два параметра из трех: объем, цена, разгонный потенциал.
реклама
Теперь рассмотрим преимущества и недостатки отдельно по каждому типу протестированных модулей памяти.
Silicon Power SP008GBLTU133N02 (S-POWER 40YT3EB) DDR3-1333 8192 Мбайта
[+] Наличие упаковки.
[+] Низкая цена, в районе 1500 рублей за модуль.
[+] Пожизненная гарантия.
[-] Запаянная упаковка не позволяет проверить память на совместимость и разгон, не повреждая товарный вид. Высока вероятность того, что память вскроют еще до продажи, чтобы проставить на модули наклейки с серийными номерами.
[-] Плохой разгон. На частоте 1600 МГц память смогла работать только с CAS Latency 11.
NCP NCPH10AUDR-13M28 (NCP NP15H51284GF-13) DDR3-1333 8192 Мбайта
[+] Низкая цена, в районе 1500 рублей за модуль.
[+] Пожизненная гарантия.
[-] Плохой разгон. На частоте 1600 МГц память смогла работать только после повышения напряжения до 1.75 В.
Patriot PSD38G13332 (Patriot PM512M8D3BU-15) DDR3-1333 8192 Мбайта
[+] Невысокая цена, лишь немногим выше, чем у памяти на микросхемах Elpida ревизии B (Silicon Power, NCP и прочие).
[+] Микросхемы Micron с плотностью 4 Гбит по разгону хоть и не могут сравниться с Samsung, но все же лучше всех разновидностей Elpida.
GeIL GB316GB1600C10DC (GeIL GL1L512M88BA15BW) DDR3-1600 2×8192 Мбайта
[+] Наличие профиля XMP.
[+] Необычный внешний вид модулей и светодиодная подсветка.
[+] Наличие упаковки.
[+] Использование восьмислойной печатной платы Brainpower.
[+] Пожизненная гарантия.
[-] Плохой разгон. Может работать на частоте чуть выше 1600 МГц даже с пониженным до 1.35 В напряжением, но уровень Micron (и тем более Samsung) недостижим.
реклама
Kingston KVR1333D3N9/8G (Elpida J4208EASE-DJ-F) DDR3-1333 8192 Мбайта
[+] Наличие упаковки.
[-] Высокая цена из-за использования дорогих микросхем Elpida ревизии A («A-Die»).
[-] Плохой разгон. Неспособность работать даже на частоте 1600 МГц.
Samsung M378B1G73BH0-CH9 (SEC K4B4G0846B-HCH9) DDR3-1333 8192 Мбайта
[+] Лучший разгон среди всей протестированной памяти объемом 8 Гбайт, вполне сравнимый с уровнем разгона модулей 4 Гбайт. Может работать как на высоких частотах (до 2400 МГц), так и на низких таймингах (6-7-7-15 1T при номинальной частоте 1333 МГц).
[-] Самый дорогой вариант памяти объемом 8 Гбайт с номиналом 1333 МГц. Но все равно дешевле оверклокерских комплектов, рассчитанных на работу с частотами от 1866 МГц и выше.
С точки зрения разгонного потенциала все протестированные модули (да и вообще всю память с объемом, равным восьми гигабайтам) можно разделить на три типа, в зависимости от производителя микросхем: