Unganged dual ddr3 sdram что это

Влияние режимов контроллера памяти на быстродействие AMD Phenom X4 в реальных приложениях

В данном материале мы продолжим серию исследований различных особенностей функционирования систем на базе процессоров серии AMD Phenom, посвящённую изучению влияния опций и компонентов данных систем на их быстродействие в реальном ПО. Сегодня «героем дня» станет опция BIOS системных плат под Socket AM2+, управляющая режимом работы встроенного контроллера памяти AMD Phenom, и переключающая его в один из режимов: «Ganged» («спаренный») и «Unganged».

Официальное мнение состоит в том, что классический «спаренный» (ganged) режим обеспечивает максимальную производительность доступа к памяти при работе однопоточных приложений, в то время как unganged режим, по идее, должен обеспечивать более высокую скорость для многопоточных задач. С результатами синтетических тестов в обоих режимах можно ознакомиться, к примеру, вот в этом материале, однако сегодня нас будет интересовать не синтетика, а исключительно реальное, «рабочее» ПО.

Используемый тестовый стенд полностью аналогичен по составу тому, на котором мы уже тестировали Phenom X4 9850, за тем исключением, что в данном случае использовалась обычная DDR2-800 с таймингами 4-4-4-10-22-2T. Впрочем, учитывая то, что Phenom X4 9850 оказался вообще не очень чувствительным к скорости памяти, мы не считаем, что это могло иметь какое-то существенное значение (тем более что Ganged-режим также был перетестирован с DDR2-800). Тестовая методика — стандартная, последней версии.

Пакеты трёхмерного моделирования

Легко заметить, что более-менее существенная разница между двумя режимами наблюдается только в интерактивной части теста SPEC для 3ds max, и в этом случае режим Ganged показывает более высокий результат. В целом же по группе мы имеем мизерные 0,4%, о которых даже говорить не стоит, чьё бы преимущество они не олицетворяли.

CAD/CAM пакеты

Здесь наблюдается стабильная тенденция — режим Unganged не выиграл ни одного подтеста в группе. Но проигрыши опять мизерные: самый большой равняется 1,1%. Снова не о чем говорить.

Компиляция

Режим Ganged позволяет сэкономить 12 секунд на отрезке в полчаса.

Профессиональная работа с фотографиями

Здесь наоборот режим Ganged либо играет вничью, либо проигрывает, но значения проигрыша такие же несущественные, как и во всех предыдущих тестах.

Научно-математические пакеты

MATLAB в одном из подтестов приблизился к «рекорду» 3ds max, но в целом картина такая же индифферентная, как и во всех предыдущих тестах.

Веб-сервер

Наконец-то мы видим более-менее существенные значения — аж до 5%! При этом, что характерно, они говорят отнюдь не в пользу Unganged-режима.

Архиваторы

Разницы, можно считать, нет.

Кодирование медиаданных

Ну а в данном случае её просто нет, безо всяких «можно считать».

Игры однозначно голосуют в пользу Unganged-режима, причём три из семи — с достаточно весомыми значениями. Call of Duty — «чемпион статьи» — в этом игровом тесте разница между Ganged и Unganged режимами составила рекордные 6,5% (в пользу Unganged).

Любительская работа с фотографиями

Ещё одно приложение, достаточно серьёзно чувствительное к режиму работы встроенного контроллера памяти AMD Phenom — это ACDSee. Причём ему тоже больше по душе Unganged-режим.Заключение

В целом, результат исследования можно считать ничейным — за некоторыми весьма редкими исключениями, не выявлено однозначного преимущества одного из режимов над другим. Не выявлено также и каких-либо чётко прослеживаемых по классам ПО закономерностей и тенденций (в том числе в классах многопоточных и однопоточных приложений, что могло бы хоть как-то согласовываться с официальным позиционированием ganged и unganged режимов). Финальный минус 0,1% у Ganged-режима по большому счёту ни о чём не свидетельствует т.к. глядя на подробные результаты понимаешь, что результат ещё одного какого-нибудь приложения может превратить этот проигрыш в ничью, а может даже и в победу.

Так что наш вывод будет кратким: с точки зрения производительности реального, «рабочего» десктопного ПО, в подавляющем большинстве случаев абсолютно всё равно, в каком режиме работает контроллер памяти на Phenom. Случаются, конечно, исключения, но они очень редкие, и их характер вряд ли можно спрогнозировать (по крайней мере, на основании данных нашего тестирования).

Что же касается звучавшего в начале статьи вопроса о том «всё ли мы правильно делаем» — то разница в 0,1 балл (или 0,1%), пусть даже и в лучшую сторону, вряд ли может служить поводом для перехода на использование unganged-режима для Phenom в основных тестированиях. Тем более учитывая то, что режим по умолчанию, устанавливаемый системными платами — ganged, а разницу даже в 10 раз большую (1%) мы и так почти никогда не принимаем во внимание, списывая на возможные последствия погрешности измерений или округлений.

Источник

ganged и unganged что это

Q^ Я установил ЦП семейства Phenom и модули памяти, согласно руководству для задействования двухканального режима работы памяти, но в момент прохождения процедуры пост, системой отображается режим “unganged mode, 64-bit”. Как мне задействовать 128-бит двухканальный режим работы памяти?

Может быть Вы спросите какие преимущества даёт этот режим? Отвечу: теоретически пропускная способность памяти (а это быстродействие компьютера) увеличивается вдвое, но станет ли Ваш комп вдвое резвей? Исследования и эксперименты, проведенные вскоре после первого появления этого режима (на чипсетах от nVidia для процессоров Athlon) были проведени тесты и эксперименты, которые показали 10-15% рост производительности системы. Нельзя сказать что это ВСЕГО 10-15%, порой процессор, увеличивающий производительность системы на тот же порядок стоит В РАЗЫ больше, чем обыкновенный (который по приемлемой цене) так что организовать GANGED MODE — стоит!

P.S. спроста недодумаешься в меню «интеллектуального разгона зайти»
P.P.S. так что в отличие от сокета АМ2, 939 и 462 (Socket A) на АМ3 и АМ3+ (и FM2, я думаю) недостаточно правильно (парами и по цветам) расположить планки памяти!

#двухканальный режим #ganged #unganged mode #am2 #am3 #ам2 #ам3 #матплата #сокет #феном #АМД,

User Rating: / 98

What AMD says about the ganged vs unganged question

AMD has some excellent documentations that can be download for free. Let’s examine some extract of the “BIOS and Kernel Developer’s Guide (BKDG) For AMD Family 10h Processors ”. On section 2.8 we can find some considerations on ganged vs unganged mode. If you are interested in checking the doc, I suggest you to especially read these sections:

In short, the documentation indicates that:

In ganged mode, we have a 128 bit wide logical DIMM that map the first 64 bit on physical DDR channel A and the last 64 bit on DDR channel B. So we can state that a single 128 bit operation is effectively split between two memory channel; on the other hand, the DCTs can not operate independently. In other words, the physical address space is interleaved between the two DIMM in 64 bit steps

In unganged mode, each DCT can act independently and has its own 64 bit wide address space. In this mode the processor can be programmed to interleave the single, physical address space on the two normalized address space associated with the two memory channel; however, the finer possible interleaving unit is the cache line size (64 bytes)

AMD officially suggest to enable unganged mode to benefit from increased parallelism

Some CPU models (for example, the 8 and 12 core Magny Cours G34 processors), can only use the unganged mode.

I draw a graph that, hopefully, should help explaining the differences between ganged and unganged modes:

As you can see, in the ganged mode the physical address space is spread between the two memory channel with a 64 bit granularity: this means that two consecutive 64 bit access will read from two different memory channels and, more importantly, that a 128 bit access can utilize both channel.

On the other hand, in the unganged mode a (relatively) large portion of physical address space is bound to a single memory channel. In the graph above this portion is 64 bytes length, but the K10 processors can be programmed to use an even more coarse grained interleaving scheme. However, the normal interleaving unit in unganged mode is 64 byte length (as shown in the graph), as longer unit can cause a tangible performance loss.

From what we see, one should think that neither approach is the ideal one: the usual registers and operands size is 64 bit (8 byte), so it appear that both the ganged and unganged methods will read this 64 bit entity over only a single memory channel, effectively wasting bandwidth. A byte interleaved (or bit interleaved) mode should give as a great performance boost, right? Simply stated: no. The key point to understand here is that processors do not move in and out from memory data chunks of arbitrary length, but use a fixed-sized scheme: they move data from and to main memory only on a cache line base. On Phenom processor the cache line size is 64 byte long, so these processors move data from and to main memory only in 64 bytes chunks. This means that if we try to read a byte at address 0x0, the entire cache line (64 byte) will be fetched by the processor! While this can seems counterproductive, it has its reasons, especially related to space locality and cache design. It is beyond the scope of this article to explain why processors behave in this manner, but in short we can state that this design permit good performance boost (because exploit code and data space locality) and the creation of very dense caches.

As memory operations happens in 64 bytes chunks, it appear that ganged mode will always win: it can spread that 64 bytes operations on the two memory channel, while the unganged mode will only use a single memory channel. The reality, however, is the the unganged mode rarely suffer from this problem, because normally there are many outstanding memory request to be completed, so there are many outstanding cache line to be fetched from or stored to main memory. While the ganged mode will be faster in operating on a single cache line, the unganged mode can theoretically operate on two cache line at a given moment (with some restrictions). This parallelism can be realized because the memory controller incorporate an 8 entry depth memory controller queue (the “MCQ” box in the drawing above), for a total of 8 outstanding cache line requests.

However, simply stating that the unganged mode has the potential to be often on par with the ganged mode is not enough: in this case, we can simply use the ganged mode and forget about the unganged mode. The point is that the unganged mode has potential to be faster that ganged mode. Why? Because we must realize that main memory access don’t happen immediately, as the DRAM chip require many ns to be accessed: after this initial access time the data can be transferred quite quickly, but the initial access steps can be very slow (from a processor standpoint). Starting two memory operations at the same time, the memory controller has the possibility to hide at least partially the latency involved in the setup steps of the second operations. Obviously this is not always true, but it is a possibility indeed and, so, this can be an advantage of unganged vs ganged method. Moreover, using the unganged mode the memory controller can theoretically both write to and read from memory at the same time: this should help memory copy routines and multitasking operating system, where many processes can both read from and write to memory at the same time.

Summarizing the whole point, we can state that:

the ganged mode has the potential to be faster than unganged mode because it use a more fine grained interleave mode

the unganged mode has the potential to be faster than ganged mode because it can start two memory operations at the sime time, effectively hiding at least part of the latency involved in the second operation. Also, this mode permit to both read from and write to memory at the same time, with the intrinsic advantages that this possibility implies.

So, we don’t have a “magic setting” that will always give us the better possible performance. We should run some benchmarks to understand wich applications and scenarios benefits from one method rather than the other.

Автор Тема: Заставить работать ОЗУ в Двухканальном режиме(Dual) на ноутбуке (Прочитано 33835 раз)

0 Пользователей и 1 Гость смотрят эту тему.

Страница сгенерирована за 0.051 секунд. Запросов: 28.

Источник

DDR3-1600 SDRAM: технологический прорыв или маркетинговый пшик?

Проведённое недавно тестирование платформ, основанных на наборе логики Intel P35 и снабжённых DDR3 памятью, показало, что на данном этапе новая память не может обеспечить видимого преимущества в производительности по сравнению с привычной высокочастотной DDR2 SDRAM. Относительно высокие задержки серийных DDR3 модулей приводят к тому, что память, функционирующая на частоте 1333 МГц, проигрывает в скорости широкодоступной DDR2-1066 c таймингами 4-4-4-12 в достаточно большом числе приложений различного характера. Однако такое положение дел не должно стать поводом для поспешных выводов.

То, что самая скоростная DDR3 SDRAM, официально поддерживаемая чипсетами Intel на данный момент, имеет частоту 1333 МГц и тайминги 7-7-7 ещё ни чего не значит для тех производителей модулей, которые привыкли идти впереди отраслевых стандартов. Если вы следите за новостями, то знаете, что ведущие производители оверклокерских модулей памяти уже поставляют на рынок DDR3-1600 SDRAM и готовятся к началу продаж DDR3-1800. Достижение столь высоких частот стало возможно благодаря стараниям компании Micron, начавшей выпуск чипов Z9, продолжающих традиции знаменитых в среде оверклокеров микросхем DDR2 Micron D9, которые после проведения отбора и повышения напряжения питания оказываются способны к работе на частотах, значительно превышающих штатные. Несмотря на то, что номинально микросхемы Micron Z9 представляют собой чипы DDR3-1066, именно их использование позволило поднятие практических частот DDR3 SDRAM на новый уровень. Это даёт сторонникам всего нового отличный повод для надежды на превосходство DDR3 в производительности над DDR2 в реальных приложениях.

Собственно, эта статья и будет посвящена анализу того уровня быстродействия, который можно получить при использовании новейших оверклокерских DDR3-1600 модулей памяти от ведущих производителей. Впрочем, перед тем как перейти непосредственно к результатам тестов важно сделать одно замечание, касающееся сферы применимости DDR3-1600. Дело в том, что модули памяти с такой частотой не могут быть использованы в системах, основанных на Intel P35 ни при какой частоте процессорной шины из штатного набора 800/1066/1333 МГц. Этот набор логики попросту не имеет необходимых делителей для тактования памяти на столь высокой частоте. Поэтому, DDR3-1600 SDRAM в настоящее время представляет интерес исключительно для оверклокеров, разгоняющих процессоры увеличением частоты FSB. К счастью для производителей памяти, таких пользователей существует не так уж мало, благо современные процессоры семейства Core 2 могут похвастать значительным скрытым разгонным потенциалом, не задействовать который кажется просто неразумным.

реклама

Таким образом, вполне логичным представляется сравнение новой скоростной DDR3-1600 SDRAM именно с оверклокерскими модулями DDR2 памяти, чем мы и займёмся в рамках данного материала. Но прежде чем перейти к знакомству с результатами тестов, давайте подробнее рассмотрим участников сегодняшнего тестирования.

Конфигурация для проверки характеристик памяти

Для проверки практических характеристик тестируемых моделей, а также их разгонных возможностей, нами была собрана система, включающая следующие комплектующие:

Новые оверклокерские модули памяти

Super Talent W1600UX2G7

Поскольку компания Super Talent стала первым производителем оверклокерской памяти, задействовавшим чипы Micron для выпуска скоростной DDR3 SDRAM, начнём знакомство с DDR3-1600 памятью мы именно с её продукта.

Комплект Super Talent W1600UX2G7 состоит из двух модулей DDR3-1600 (PC3-12800) ёмкостью по 1 Гбайту каждый. Набор поставляется в стандартной пластиковой упаковке, помимо модулей включающей лишь картонный вкладыш с общими словами о преимуществах DDR3 памяти от Super Talent.

Сами модули выглядят несколько непривычно, чипы на них располагаются лишь с одной стороны. Впрочем, это неудивительно, так как они основаны на микросхемах ёмкостью 1 Гбит. Соответственно, чёрный алюминиевый радиатор, обеспечивающий отвод тепла от чипов, наклеен на модулях лишь с одной стороны, на другой же можно видеть голую поверхность PCB и наклейку с маркировкой. Этот стикер содержит информацию об артикуле продукта, объёме модулей, штатной частоте, таймингах и производителе чипов.

реклама

Super Talent гарантирует работоспособность комплекта W1600UX2G7 на частоте 1600 МГц при таймингах 7-7-7-18 и напряжении 1.8 В. Иными словами, для достижения заявленной частоты производитель предлагает использовать напряжение, превышающее штатное на 20%. Полная спецификация рассматриваемого продукта выгладит следующим образом:

По заверениям производителя, модули предварительно тестируются на работоспособность при заявленных параметрах на материнской плате ASUS P5K3 Deluxe.

Содержимое SPD модулей выглядит следующим образом.

Как видим, для достижения совместимости Super Talent указывает в SPD штатные характеристики чипов, при которых они должны функционировать с обычным напряжением в 1.5 В.

Что же касается реальных возможностей модулей памяти Super Talent W1600UX2G7, то, как показала практическая проверка, они лишь немного лучше заявленных в спецификации. Максимальные частоты, с которыми указанная память способна стабильно функционировать при различных задержках на своём штатном напряжении в 1.8 В, показаны на графике.

Как видим, при таймингах 7-7-7-18 модули оказались способны на стабильную работу лишь на частоте 1632 МГц, а при ухудшении задержек до 9-9-9-24 частота поднялась только до 1652 МГц. Зато при штатной частоте в 1600 МГц модули могут стабильно функционировать не только с таймингами 7-7-7-18, но и при «улучшенных» до 7-6-6-18 задержках.

Увеличение напряжения питания влияет на разгон Super Talent W1600UX2G7 достаточно сильно. При установке их вольтажа в 2.1 В максимальная частота, при которой модули смогли стабильно работать с таймингами 9-9-9-24, составила 1760 МГц, а при задержках 7-7-7-18 – 1672 МГц.

Впрочем, полученные результаты всё равно вызывают разочарование. Дело в том, что первые попавшие в руки оверклокеров экземпляры Super Talent W1600UX2G7 могли разгоняться до 2 ГГц, о чём имеется масса свидетельств. Однако полученные нами модули были выпущены уже после того, как Super Talent начала производство DDR3-1800 SDRAM, а значит, все самые скоростные чипы теперь уходят на выпуск этой памяти. Поэтому, надеяться на феноменальные результаты разгона DDR3-1600 памяти от Super Talent больше не приходится, что и подтверждают результаты наших опытов.

OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel Enhanced Bandwidth Edition

Не осталась в стороне от выпуска DDR3-1600 SDRAM и компания OCZ, которую смело можно отнести к числу ведущих поставщиков памяти для оверклокеров. Поэтому совершенно неудивительно, что в ассортименте у OCZ имеется несколько вариантов DDR3 памяти, основанной на чипах Micron. Нам же на тесты достались одни из самых продвинутых модулей OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel EB Edition.

Этот комплект, состоящий из пары гигабайтных модулей рассчитан на работу при частоте 1600 МГц с более агрессивными, чем Super Talent W1600UX2G7 таймингами 7-6-6-20. Правда, и штатное напряжение у модулей от OCZ повыше – оно декларируется на уровне 1.9 В.

Поставка OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel EB Edition стандартна – комплект модулей запечатан в стандартную пластиковую упаковку.

реклама

На одной из сторон каждого модуля прикреплена наклейка с артикулом продукта, его частотой, объёмом каждого модуля и штатными таймингами. Забавно, что сведения, имеющиеся на стикере полученного нами комплекта, слегка расходятся со спецификацией OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel EB Edition, имеющейся на официальном сайте.

Придерживаясь версии сайта, приведём полные характеристики рассматриваемого комплекта памяти:

реклама

Заметим, что OCZ отдельно обещает безопасность использования модулей и при более высоком напряжении 1.95 В, которое превышает номинальное напряжение для используемых чипов на 30%.

Следует заметить, что OCZ отдельно подчеркивает оптимизацию своих модулей DDR3-1600 SDRAM для материнских плат ASUS, на которых они и проходят предпродажное тестирование.

Содержимое SPD у OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel EB Edition достаточно стандартно, здесь всё ориентируется на совместимость и работоспособность плашек в любой материнской плате без повышения напряжения питания.

реклама

Практическое исследование рассматриваемых модулей на максимальные частоты при различных таймингах даёт следующие результаты.

Частоты на диаграмме получены при определённом спецификацией напряжении 1.9 В. И, надо заметить, OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel EB Edition показывает лучшие результаты, нежели Super Talent W1600UX2G7 при любых таймингах. Так, при задержках 7-7-7-18 она демонстрирует свою способность к стабильному функционированию на частотах до 1704 МГц, а послабление задержек до 8-8-8-21 даёт возможность достижения частоты 1808 МГц. При штатной же частоте 1600 МГц, как показывают проведённые тесты, OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel EB Edition может работать не только с таймингами 7-6-6-20, но и с более агрессивными задержками 7-6-5-18.

Увеличение напряжение улучшает разгоняемость OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel EB Edition – это характерная особенность чипов Micron. Так, при напряжении питания 2.1 В память оказывается стабильна при частоте 1752 МГц с таймингами 7-7-7-18.

Таким образом, в целом OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel EB Edition показывает более высокие результаты, нежели Super Talent W1600UX2G7. Впрочем, сказывается это и на стоимости. Разница в стоимости этих комплектов модулей с похожими характеристиками достигает порядка 15%, которые, учитывая достаточно высокие текущие цены на DDR3 SDRAM, выливаются в весьма солидную сумму.

реклама

Kingston KHX11000D3ULK2/2G

Нашлось в нашем тестировании место и модулям памяти от Kingston. Хотя полученные нашей лабораторией модули Kingston KHX11000D3ULK2/2G и ориентированы на работу лишь при частоте 1375 МГц, не включить их в настоящий материал мы не могли. Дело в том, что Kingston избрал другой путь повышения производительности DDR3 SDRAM, заключающийся не в увеличении её частоты, а в снижении латентности. Так, рассматриваемый комплект способен работать про CAS Latency, равной 5, что даёт нам полное право отнести его к числу скоростных и оверклокерских.

Таким образом, комплект модулей Kingston KHX11000D3ULK2/2G представляет собой пару гигабайтных модулей DDR3 SDRAM со штатной частотой 1375 МГц и таймингами 5-7-5-15. При этом штатное напряжение этой памяти установлено в 1.75 В.

реклама

На стикерах, наклеенных на радиаторах содержатся сведения об общем артикуле комплекта и штатном напряжении модулей. Более подробные сведения имеются на упаковке пары: там кроме артикула есть данные о суммарной ёмкости продукта, его штатной частоте и латентности.

Полный список характеристик Kingston KHX11000D3ULK2/2G выглядит следующим образом:

Важным плюсом модулей памяти Kingston KHX11000D3ULK2/2G перед другими оверклокерскими комплектами является его применимость при штатной частоте процессорной шины 1333 МГц. Материнские платы для энтузиастов, основанные на наборе логики Intel P35, имеют возможность тактовать системную память на частоте 1333 МГц, не требуя разгона FSB. Среди же представленных на рынке DDR3-1333 модулей памяти комплект Kingston KHX11000D3ULK2/2G предлагает наилучшее сочетание таймингов.

реклама

Содержимое SPD у Kingston KHX11000D3ULK2/2G стандартно, в неё заявленные в спецификации характеристики не занесены, оно ориентировано на возможность простого запуска памяти в «режиме совместимости».

Обратите внимание, модули Kingston KHX11000D3ULK2/2G снабжены встроенным термодатчиком. Это – одно из новых, но пока опциональных свойств DDR3 памяти.

Практическое изучение разгонных возможностей памяти от Kingston даёт весьма любопытную картину. На графике ниже приводятся максимальные частоты, при которых Kingston KHX11000D3ULK2/2G сохраняет способность к стабильному функционированию при своём штатном напряжении 1.75 В.

Хотя при тестовых наборах таймингов модули Kingston KHX11000D3ULK2/2G показывают всегда худшие результаты, чем продукты на базе чипов Micron, они действительно работают с частотой 1375 МГц при таймингах 5-7-5-15 – режиме, недоступном ни для OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel EB Edition, ни для Super Talent W1600UX2G7.

На повышение напряжения питания модули Kingston на чипах Elpida реагируют слабо: при увеличении вольтажа до 2.1 В максимальную частоту удалось нарастить лишь до 1486 МГц. Таким образом, Kingston KHX11000D3ULK2/2G интересна только своими низкими таймингами при частотах, близких к 1333 МГц.

Как мы тестировали

После подробного знакомства с новыми оверклокерскими комплектами памяти DDR3-1333 и DDR3-1600 само время обратить внимание на их практическую производительность в реальных системах. Смогут ли описанные выше продукты обеспечить более высокий уровень быстродействия, нежели модули DDR2 SDRAM, – это основной вопрос, стоящий на повестке дня.

Как уже было указано выше, тестирование DDR3-1600 возможно только в разогнанных системах на базе набора логики Intel P35 Express (на данный момент он единственный поддерживает DDR3 SDRAM), работающих с увеличенной частотой FSB. Для наших тестов мы решили избрать частоту FSB, равную 400 МГц. Такая конфигурация при задействовании различных делителей позволяет выставлять частоту памяти в 1000, 1200, 1333 и 1600 МГц, что вполне нас устраивает для очередного сравнения DDR3 и DDR2 памяти. Соответственно, тестовый процессор был разогнан до 3.6 ГГц, получаемых как 9 x 400 МГц. Тестирование DDR3 SDRAM происходило в описанной выше системе, основанной на материнской плате ASUS Blitz Extreme, производительность же DDR2 SDRAM измерялась в аналогичной системе, построенной на материнской плате ASUS P5K Deluxe. Со скоростью DDR3-1600 и DDR3-1333 сопоставлялась производительность оверклокерской DDR2-1000 SDRAM, работающей при задержках 4-4-4-12, и DDR2-1200 SDRAM, функционирующей с таймингами 5-5-5-15.

Полный перечень протестированных модулей памяти приведён в таблице, в ней же мы даём ссылки на скриншоты диагностических утилит, показывающих установки всех таймингов, включая второстепенные. Отметим, что при тестировании мы специально не настраивали второстепенные параметры, оставляя все их в значении Auto.

Что же касается остальных комплектующих, которые были использованы в процессе тестов, то их список приведён ниже:

Производительность: DDR3-1600 против DDR2

Синтетические тесты подсистемы памяти

В первую очередь давайте посмотрим на то, какие значения практической пропускной способности и латентности способна продемонстрировать DDR3 SDRAM. Для измерений мы воспользовались утилитой Everest Ultimate Edition 4.00.

При измерении скорости чтения из памяти максимальную пропускную способность демонстрирует DDR2-1200. Даже DDR3-1600, теоретическая скорость которой выше на треть оказывается не способна обойти оверклокерскую память предыдущего поколения. Очевидно, виной всему высокие задержки, присущие DDR3 SDRAM. Впрочем, DDR2-1000 с самыми агрессивными таймингами 4-4-4-12 при чтении из памяти показывает скорость ниже, и чем DDR3-1600, и чем DDR3-1333 с таймингами 5-7-5-15.

Скорость записи в память ограничивается практической пропускной способностью процессорной шины, поэтому результаты второго теста в Everest дать нам новую пищу для размышлений не могут.

При копировании данных в памяти первую скрипку играет латентность. Поэтому самый высокий результат в этом тесте у DDR2-1200 с таймингами 5-5-5-15, а на втором месте – DDR3-1333 с задержками 5-7-5-15 и DDR2-1000 с таймингами 4-4-4-12. Модули же DDR3 памяти с CAS Latency, равной 7 в этом тесте демонстрируют гораздо худший результат.

Практически измеренная латентность выявляет однозначное преимущество скоростной DDR2 памяти над DDR3 SDRAM, даже оверклокерского предназначения. Иными словами, сегодняшнее сравнение DDR2 и DDR3 SDRAM вновь превращается в тестирование в стиле «Пропускная способность против латентности».

Давайте обратимся к комплексным бенчмаркам и к тестам в реальных приложениях.

SuperPi, PCMark05, 3DMark06

Самый высокий результат в вычислительном тесте SuperPi показывает DDR2-1200 SDRAM. Однако ноздря в ноздрю с ней выступает и DDR3-1600 с таймингами 7-6-6-18, что позволяет надеяться на то, что для лидерства новой DDR3 памяти осталось лишь ещё немного нарастить частоту или снизить тайминги.

Примерно то же самое можно сказать и о результатах тестирования с использованием PCMark05. Кстати, обратите внимание на то, что DDR2-1000, несмотря на свою относительно невысокую по современным меркам частоту, даёт возможность системам, её использующим, щеголять неплохим быстродействием. Что ещё раз подтверждает тот факт, что списывать со счетов DDR2 явно преждевременно.

Скорость в 3DMark06 зависит от параметров подсистемы памяти достаточно слабо. Тем не менее, тенденции, подмеченные выше, проецируются и на результаты этого бенчмарка.

3D-игры

А вот игровые тесты дают возможность понаблюдать и другое положение дел. Во всех используемых нами играх DDR3-1600 SDRAM с таймингами 7-6-6-18 (это – штатный режим для OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel EB Edition) позволяет получить слегка более высокий уровень fps, нежели при использовании DDR2-1200. Впрочем, любые другие варианты DDR3 SDRAM из участвующих в данном тесте скоростной DDR2 проигрывают.

Отметим также, что DDR3-1333 с таймингами 5-7-5-15, к сожалению, не может составить конкуренцию DDR3-1600 SDRAM, обладающей более высокой пропускной способностью. Эта тенденция прослеживается во всех тестах, включая и игры. Иными словами, для оверклокеров памяти на чипах Micron оказывается несомненно более полезной, чем память с чипами Elpida.

Кодирование видео

При измерении скорости кодирования DDR3-1600 с наиболее агрессивными таймингами снова способна порадовать сторонников новых технологий. Впрочем, речь может идти только о сохранении паритета с наиболее скоростной участвующей в тестировании DDR2 SDRAM.

Офисные приложения

Во время архивации первые места по производительности занимает DDR2 память, зато при выполнении вычислений в Excel ситуация обратная. В этом приложении наивысшую скорость показывают платформы, оснащённые DDR3-1600 SDRAM.

Финальный рендеринг

Финальный рендеринг относится к классу задач, производительность в которых зависит от скорости подсистемы памяти весьма незначительно. Ещё раз доказывает этот факт приведённый график.

Выводы

Несмотря на произошедший прогресс, всё сказанное в нашем предыдущем материале о DDR3 памяти остаётся в силе. Впечатление, которое произвела на нас новая оверклокерская DDR3 память, к сожалению, хорошим назвать нельзя. Оно неоднозначно. Дело в том, что, согласно полученным результатам тестов, ни DDR3-1333 с экстремально низкими задержками, ни DDR3-1600 не смогли обеспечить однозначно лучшее быстродействие, чем проверенная временем DDR2 память. Хотя в некоторых задачах, например в играх, при кодировании видео контента и в Excel новая DDR3 SDRAM и показывает более высокую производительность, есть большое количество задач, где картина обратная.

Иными словами, производители DDR3 SDRAM движутся в правильном направлении. Ещё немного – и мы сможем сказать, что новая память достигла лучшего быстродействия, нежели оверклокерская память прошлого поколения. Но а пока в число однозначных плюсов новой технологии можно включить лишь более низкое энергопотребление и возможность создания модулей увеличенного объёма.

Впрочем, предел недавно появившихся чипов DDR3 от Micron пока исследован нами не полностью. Мы убедились в том, что память, основанная на этих микросхемах, прекрасно может работать на частоте 1600 МГц, однако в ближайшее время мы сможем познакомиться и с аналогичными DDR3-1800 модулями.

Компания Micron дала прекрасное поле для деятельности компаний, занимающихся разработкой и производством разогнанных модулей. Применяемые ранее в оверклокерских продуктах DDR3 чипы от Elpida столь высоким частотным потенциалом похвастать не могут, а DDR3-1333 память с пониженными таймингами на их основе всё-таки проигрывает даже DDR3-1600, не говоря о более скоростных продуктах.

При этом следует понимать, что рассмотренные в этой статье модули DDR3-1600 OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel EB Edition и Super Talent W1600UX2G7 – это нишевые продукты с исчезающе узкой сферой применимости. Они могут использоваться лишь в разогнанных системах, а привносимые ими преимущества весьма эфемерны. Одновременно с этим стоимость этих комплектов памяти не испугает лишь энтузиастов с исключительно крепкой психикой, особенно если принять во внимание тот факт, что этими же производителями предлагаются и более скоростные продукты. Аналогичный вердикт можно вынести и в адрес DDR3-1333 модулей Kingston KHX11000D3ULK2/2G, которые к тому же практически всегда уступают в производительности качественной DDR2 SDRAM.

Источник