Vcc vdd vss что

Подсистема питания в микроконтроллере

Для питания любого МК требуются, как минимум, два провода: положительный («плюс», «Power supply») и отрицательный («минус», «Ground reference»). Обозначают их в даташитах и на схемах следующими сокращениями (Рис. 2.8):

Таблица 2.4. Варианты обозначения выводов питания МК

Пары условных обозначений в даташитах

Несколько замечаний о принятых в международной инженерной практике условностях 3. Напряжение на выводе биполярного транзистора по отношению к общему проводу GND обозначается буквой «V» (англ. «Voltage») и одним из подстрочных индексов: «В» (англ. «Base», база), «С» (англ. «Collector», коллектор), «Е» (англ. «Emitter», эмиттер). К примеру, Vc — это напряжение на коллекторе относительно GND. Напряжение между двумя выводами транзистора обозначается двойным индексом: VCE — это напряжение между коллектором и эмиттером.

Индекс, образованный двумя одинаковыми буквами указывает на источник питания: Vcc — положительный, VEE — отрицательный контакт. Образно можно представить себе транзистор проводимости п—р—п, у которого коллектор соединяется с питанием (С-С), а эмиттер с «массой» (Е-Е). Транзисторы проводимости р—п—р в эту стройную теорию не помещаются, сказывается тот факт, что они изначально по технологическим причинам были меньше распространены.

Для полевых ^-канальных транзисторов существуют аналогичные названия, соответственно, VDD (плюс питания, напряжение «сток — сток», «Drain-to-Drain») и Vss (минус питания, напряжение «исток — исток», «Source-to-Source»).

Поскольку современные МК состоят из полевых транзисторов, то логично было бы их выводы питания обозначить парой «^dd’^ss^» а не «^cc’GND», как у микросхем ТТЛ-логики. Однако, здесь начинается самое интересное (Табл. 2.4). Единообразие отсутствует даже в М К одной фирмы и одного семейства.

Пример 1. Микросхема Z86L33 фирмы Zilog, выполненная в корпусе с 28 выводами, имеет название цепей питания «^dq-^ss»’ а та же микросхема в корпусе с 40 выводами — «KCC-GND».

Пример 2. В семействе ATmega фирмы Atmel принято обозначение «KCC-GND» (далее в книге как основное), а в семействе ARM той же фирмы «Kdd-GND».

Пример 3. МК К1816ВЕ49 имеет два вывода питания, один из них Vcc является основным, а другой VDD служит для подключения резервной батареи.

Наверное, дальше всех в казуистике названий продвинулась микросхема TMS320F фирмы Texas Instruments, имеющая вывод общего провода с «двойной фамилией» KSS1AGND.

Тем, кто часто работаете разными семействами МК, пригодится простое мнемоническое правило — поскольку за буквой «С» латинского алфавита сразу следует буква «D», значит Vcc и VDD относятся к одной и той же цепи, т.е. к питанию. Вывод GND ни с чем не спутаешь, это «земля», «общий провод». Остаётся обозначение Vss, которое методом исключения приравнивается к GND.

Кстати, слово «вывод» (англ. «pin» — булавка) употребляется в электронике для микросхем, транзисторов, конденсаторов, диодов, резисторов, оптопар, катушек индуктивности. Слово «контакт» — для разъёмов, переключателей, джамперов, реле, перемычек, а вот сленговые названия «ноги, ножки» более характерны человеку, нежели электронному изделию.

Организация питания в МК

Двухпроводное питание современным МК досталось по наследству от «прадедушек» i8048/i8051. Сейчас оно в основном применяется в малогабаритных МК с числом выводов 6. 18, например, в Atmel ATtiny, Microchip PIC10/12. Мера вынужденная, т.к. свободных выводов катастрофически не хватает.

С развитием технологии в состав М К стали вводить аналоговые узлы АЦП/ЦАП, которые весьма чувствительны к помехам. Произошёл естественный переход на трёх- (Рис. 2.9), четырёх- (Рис. 2.10, а. в) и многопроводные (Рис. 2.11, а, б) схемы питания.

Добавление цепей AVCC (Analog УСС) и AGND (Analog GND) позволяет развязать между собой аналоговые и цифровые части микросхемы, уменьшить импульсные помехи, повысить инструментальную точность каналов АЦП и ЦАП.

Переменные резисторы ЯА и RD отличаются между собой по сопротивлениям. Во времени они тоже изменяются по разным законам. Например, в рабочем режиме «цифровой» ток значительно больше «аналогового». Следовательно, RA больше, чем Rd. В ждущем режиме ситуация может измениться с точностью до наоборот.

Резисторы Rg, Ry — это омические сопротивления, непосредственно измеренные тестером между выводами микросхем. Их наличие или отсутствие не поддаётся логическому предсказанию и обычно не указывается в даташитах. Например, в одном и том же семействе Atmel ATmega у микросхем ATmega8 и ATmega 16 питание выполняется, соответственно, по схемам, изображённым на Рис. 2.10, в и Рис. 2.10, б.

В каждом конкретном случае разобщённость внутренних цепей надо проверять экспериментально, не надеясь на знаменитый славянский «авось». Абсолютные значения сопротивлений резисторов RG, Rw у разных фирм отличаются, что связано с особенностями технологии изготовления.

Многопроводные схемы особенно характерны для 16- и 32-битных МК, у которых питание разделяется на несколько потоков. А именно: ядро процессора, периферийные буферы, аналоговая часть, система фазовой автоподстройки частоты (ФАПЧ), генераторный блок и т.д. Названия цепей встречаются самые экзотические: VDDA2, KDD18, KDDC0RE, К33, DVCC, VDDAKSS4, DVSS, KSSA. Рекордсменом в этой области можно считать М К семейства Atmel АТ91 САР, где в одном корпусе насчитывается 12 неповторяющихся названий выводов питания и 8 вариаций названий общего провода. Каждая из силовых цепей в свою очередь продублирована несколькими одноимёнными выводами с разных сторон четырёхгранного корпуса, что позволяет равномернее распределить токовую нагрузку.

Фильтрация помех

Если посмотреть на осциллограмму тока потребления МК, то в ней можно заметить низкочастотную (НЧ) и высокочастотную (ВЧ) составляющие. Как следствие, колебания тока приводят к появлению НЧ- и ВЧ-помех на зажимах питания. Для их ослабления используют стандартные решения в виде связки конденсаторов (Рис. 2.12, Рис. 2.13), 1С- и ДС-фильтров (Рис. 2.14, Рис. 2.15).

Неполярные конденсаторы С1, C3 ослабляют ВЧ-помехи. Их наличие обязательно возле любого МК, причём максимально близко от выводов питания (не более 50 мм). Конденсаторы должны быть керамические, например, К10-17 или поверхностно монтируемые чип-коденсаторы ходовых размеров 0603. 1206.

Базовый номинал ёмкости 0.1 мкФ выбран условно, как легко запоминающийся. Устройство будет нормально функционировать и при 0.068 мкФ, и при 0.15. 0.22 мкФ. Иногда параллельно конденсатору С1 ставят ещё одну неполярную ёмкость 1000 пФ, которая снижает уровень радиоизлучений. Обычно такой способ применяют в профессиональной аппаратуре, чтобы войти в допуск при проверках изделия на электромагнитную совместимость и радиопомехи.

Полярный конденсатор С2 желательно использовать танталовый (а не алюминиевый), поскольку он лучше подавляет импульсные помехи. При выборе ёмкости можно руководствоваться эмпирическим правилом, которое заимствовано из многолетней практики применения сетевых источников питания — 1000 мкФ на каждый ампер тока нагрузки. К примеру, если цифровая часть МК потребляет ток 10. 30 мА, то достаточно поставить конденсатор С2 ёмкостью 10. 30 мкФ с рабочим напряжением не менее 6.3 В. Знатоки рекомендуют выбирать более высоковольтные конденсаторы с напряжением 10. 16 В, поскольку повышается надёжность в эксплуатации и, главное, снижается внутренний импеданс, что позволяет лучше фильтровать помехи.

Конденсатор С2 обязателен при батарейном питании в качестве накопителя энергии, а также при значительных колебаниях и скачках напряжения. В некоторых случаях его функцию выполняет конденсатор фильтра сетевого выпрямителя или стабилизатора напряжения. Как вариант, конденсатор С2 может физически размещаться вблизи других цифровых микросхем и косвенно воздействовать на цепь питания МК.

Ферритовая «бусинка» FBI (Ferrite Bead) представляет собой проводник, пропущенный через ферритовое кольцо или цилиндр. Этот элемент способствует снижению высокочастотных излучений, которые можно зафиксировать лишь специальными измерительными радиоприёмниками в экранированной «безэхо-вой» камере. Такие испытания обязательны при сертификации продукции.

В любительской практике фильтр FBI ставится редко, разве что в связной спортивной аппаратуре, где помехи от МК могут существенно повлиять на качество принимаемого радиосигнала и значительно ухудшить чувствительность.

Таблица 2.5. Пределы изменения напряжения питания МК

Напряжение питания [6]

2.7. 3.6; 3.0. 3.6; 4.5. 5.5; 4.75. 5.25

1.8. 5.5; 1.8. 6.5; 2.0. 5.5; 2.7. 5.5

Диапазон питания

Традиционно в любительских разработках используют питание 5 В, хотя в последнее время всё чаще переходят на диапазон 2.7. 3.6 В. Судя по форумам в Интернете, МК с узким и широким диапазоном питания изготавливаются по одному и тому же технологическому процессу, но вследствие естественного разброса параметров, разбраковываются на группы «хуже — лучше». Это не означает, что МК с диапазоном 4.5. 5.5 В не будет работать при пониженном до 3 В питании. Будет! Однако нельзя гарантировать его устойчивый запуск при крайних значениях температуры, тактовой частоты и нагрузок.

Общее правило — когда требуется максимальное быстродействие, то повышают напряжение питания и выбирают узкодиапазонный МК, когда требуется минимальный ток потребления — наоборот.

Подводя итоги обзора подсистемы питания, предлагается для идеализированного МК выбрать следующие усреднённые характеристики:

Практические рекомендации

Как показывает печальный опыт электронщиков, М К весьма «нежные» устройства по отношению к броскам питания и не любят перегрузок напряжения, даже кратковременных. Если имеется вероятность попадания на микросхему в аварийном режиме уровней более 5.5. 7 В (для каждого МК в даташите по-разному), то необходимо ставить элементы защиты — стабилитроны, сапрессоры.

Частая ошибка увлечённых экспериментаторов заключается в установке МК в панельку «задом-наперёд», противоположной стороной. Получается, что вместо плюса питания может подаваться минус, линии портов могут соединяться с об

щим проводом и т.д. Подавляющее большинство МК такие опыты выдерживают с достоинством и без разрушения. Здесь важно следить за длительностью воздействия неблагоприятных факторов, чем меньше время, тем лучше. Подача питания обратной полярности вызывает температурный разогрев корпуса МК, но если вовремя снять напряжение, то микросхема, как правило, остаётся целой.

Нумерация выводов питания МК не стандартизована, в отличие от серийных микросхем ТТЛ- и КМОП-логики. Известное правило: «Старший по номеру вывод — это Ксс, а вдвое меньший по номеру вывод — это GND» распространяется лишь на некоторые типы МК (в частности, Atmel ATmega8515), и то, для совместимости с цоколёвкой микросхем с ядром MCS-51. Лучшим вариантом с точки зрения помехоустойчивости и частотных свойств является размещение выводов подсистемы питания в центре корпуса (например, Atmel ATmega8535). При этом сокращается путь тока от источника питания к процессорному ядру и снижается индуктивность выводов. На низких тактовых частотах это не стол ь существенно, а на высоких — приносит ощутимую пользу.

Если корпус микросхемы четырёхгранный, то «земляных» выводов GND, как правило, много и они дублируют друг друга со всех четырёх сторон. Таким нехитрым способом повышается суммарная максимальная токовая нагрузка на линии портов МКдо 200. 400 мА без перегрева кристалла.

При разработке топологии печатной платы следует придерживаться общих рекомендаций по проектированию аналого-цифровых устройств:

Источник: Рюмик С.М. 1000 и одна микроконтроллерная схема. (Выпуск 1)

Источник

В чем разница между Vcc, Vdd, Vee и Vss

Попадалось множество принципиальных электрических схем, на устройствах, подключаемых к компьютеру, где Vcc и Vdd взаимозаменяемы.

1 ответ 1

Обозначения цепей питания проистекают из области анализа схем на транзисторах, где, обычно, рассматривается схема с транзистором и резисторами подключенными к нему. Напряжение (относительно земли) на коллекторе (collector), эмиттере (emitter) и базе (base) обозначают Vc, Ve и Vb. Резисторы подключенные к выводам транзистора обозначим Rc, Re и Rb. Напряжение на дальних (от транзистора) выводах резисторов часто обозначают Vcc, Vee и Vbb.

На практике, например для NPN транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, Vcc соответствуют плюсу, а Vee минусу источника питания. Соответственно для PNP транзисторов будет наоборот. Аналогичные рассуждения для полевых транзисторов N-типа и схемы с общим истоком дают объяснение обозначений Vdd и Vss (D — drain, сток; S — source, исток): Vdd — плюс, Vss — минус.

Обозначения напряжений на выводах вакуумных ламп могут быть следующие: Vp (plate, anode), Vk (cathode, именно K, не C), Vg (grid, сетка).

Для микросхем питающихся от одного или нескольких источников одной полярности минус часто обозначают GND (земля). Земля может быть разной, например, сигнальная, соединение с корпусом, заземление.

Не знаю разрешено ли указывать сторонние ресурсы, но мне кажется будет нечестным умалчивать автора. РадиоКот

Источник

Что такое vdd и vss: Обозначение цепей питания в иностранных материалах

Обозначение цепей питания в иностранных материалах

Обозначение цепей питания в иностранных материалах

Каждый человек увлекающийся электроникой сталкивается с материалами иностранного происхождения. И будь то схема электронного устройства или спецификация на чип, там могут встречаться множество различных обозначений цепей питания, которые вполне могут ввести в замешательство начинающего или незнакомого с этой темой радиолюбителя. В интернете достаточно информации чтобы внести ясность в этот вопрос. Далее кратко изложено то что было найдено о происхождении обозначений и их применении.

Аналогичные рассуждения для полевых транзисторов N-типа и схемы с общим истоком дают объяснение обозначений V_DD и V_SS (D — drain, сток; S — source, исток): V_{DD —} плюс, V_{SS —} минус.

Обозначения напряжений на выводах вакуумных ламп могут быть следующие: V_P (plate, anode), V_K (cathode, именно K, не C), V_G (grid, сетка).

Для схем с двух полярным питанием V_CC и V_DD могут интерпретироваться как наибольшее положительное, а V_EE и V_SS как самое отрицательное напряжение в схеме относительно земли.

Для микросхем питающихся от одного или нескольких источников одной полярности минус часто обозначают GND (земля). Земля может быть разной, например, сигнальная, соединение с корпусом, заземление.

Вот перечень некоторых обозначений (далеко не полный).

Земля (минус питания)

Аналоговая земля (минус питания)

Цифровая земля (минус питания)

Плюс питания
(наибольшее положительное напряжение)

Земля, минус питания
(самое отрицательное напряжение)

Опорное напряжение
(для АЦП, ЦАП, компараторов и др. )

(возможно pp = programming power)

Напряжение питания ядра
(например, в ПЛИС)

Напряжение питания периферийных схем
(например, в ПЛИС)

Как видно, часто обозначения образуются путём добавления слова, одной или нескольких букв (возможно цифр), которые соответствуют буквам в слове отражающем функцию цепи (например, как Vref).

Иногда обозначения Vcc и Vdd могут присутствовать у одной микросхемы (или устройства), тогда это может быть, например, преобразователь напряжения. Так же это может быть признаком двойного питания. В таком случае, обычно, Vcc соответствует питанию силовой или периферийной части, Vdd питанию цифровой части (обычно Vcc>=Vdd), а минус питания может быть обозначен Vss.

Совмещение в современных микросхемах различных технологий, традиции, или какие-то другие причины, привели к тому, что нет чёткого критерия для выбора того или иного обозначения. Поэтому бывает, что обозначения «смешивают», например, используют V_CC вместе с V_SS или V_DD вместе с V_EE, но смысл, обычно, сохраняется — V_CC > V_SS, V_DD > V_EE. Например, практически повсеместно, можно встретить в спецификации на микросхемы серии 74HC (HC = High speed CMOS), 74LVC и др., обозначение питания как Vcc. Т.е. в спецификации на CMOS (КМОП) микросхемы используется обозначение для схем на биполярных транзисторах.

Текстов какого либо стандарта (ANSI, IEEE) по этой теме найти не удалось. Именно поэтому в тексте встречаются слова «может быть», «иногда», «обычно» и подобные. Несмотря на это, приведённой информации вполне достаточно, чтобы чуть лучше ориентироваться в иностранных материалах по электронике.

Информация собрана из различных источников в сети Интернет.
Специально для сайта radiokot.ru

Все вопросы в Форум.

Как вам эта статья?

Заработало ли это устройство у вас?

В чем разница между V CC VCC, V DD VDD, V EE VEE, V SS VSS

Я думаю, что у меня может быть определенный ответ на это. Это название взято из стандарта IEEE 1963 года 255-1963 «Буквенные символы для полупроводниковых устройств» (IEEE Std 255-1963). Я фанат истории электроники, и это может быть интересно другим (фанатикам), поэтому я сделаю этот ответ немного шире, чем необходимо.

Стандарт определяет 11 суффиксов (букв) с. Эти:

Этот стандарт предшествует МОП-транзистору (который был запатентован в августе 1963 года) и, таким образом, не имеет букв для источников и стоков. С тех пор он был заменен новым стандартом, который определяет буквы для Drain и Source, но у меня нет этого стандарта в наличии.

Дополнительные нюансы стандарта, которые определяют дополнительные правила написания символов, делают чтение более увлекательным. Удивительно, как все это стало общеизвестным, что теперь спокойно принимается и понимается даже без нормативной справки.

Параграф 1.3 определяет, как пишутся подписки, особенно когда их несколько. Пожалуйста, прочитайте слова стандарта:

Так, например, V _bE означает среднеквадратическое значение (заглавная V) компонента переменного тока (нижний регистр b) Напряжения на базе полупроводникового устройства в отношении значения постоянного тока Напряжения эмиттера полупроводникового устройства (верхний регистр E ).

Таким образом, V _CCB означает напряжение питания постоянного тока на коллекторе полупроводникового устройства относительно базы устройства, а V _CC означает напряжение питания постоянного тока на коллекторе относительно земли.

На первый взгляд может показаться, что дублирование индекса приведет к двусмысленности, но на самом деле это не так. Прежде всего, случаи, которые кажутся неоднозначными, довольно редки; чтение V _CC означает, что напряжение от коллектора устройства к коллектору того же самого устройства является абсолютно нулевым, поэтому нет смысла описывать его. Но что произойдет, если устройство имеет две базы? Стандарт дает ответ. Напряжение от базы 1 устройства до базы 2 устройства записывается как V _B1-B2

Остается один вопрос: таинственный случай схем CMOS. Как уже указывалось в других ответах, стандарт именования, по-видимому, не выполняется в отношении схем CMOS. На этот вопрос я могу предложить только понимание того, что я работаю в полупроводниковой компании. _{(«Whoah» ожидается здесь.)}

Если бы кто-то мог предложить нормативную ссылку на последний обсуждаемый вопрос, я был бы безмерно благодарен!

В чем разница между

Я думаю, что у меня может быть определенный ответ на это. Это название взято из стандарта IEEE 1963 года 255-1963 «Буквенные символы для полупроводниковых устройств» (IEEE Std 255-1963). Я фанат истории электроники, и это может быть интересно другим (фанатикам), поэтому я сделаю этот ответ немного шире, чем необходимо.

Прежде всего, заглавная буква V начинается с пунктов 1.1.1 и 1.1.2 стандарта, которые определяют, что v и V являются символами количества, описывающими напряжение; в нижнем регистре это означает мгновенное напряжение (1.1.1), а в верхнем регистре это максимальное, среднее или среднеквадратичное напряжение (1.1.2). Для справки:

Стандарт определяет 11 суффиксов (букв) с. Это:

Этот стандарт предшествует МОП-транзистору (который был запатентован в августе 1963 года) и, таким образом, не имеет букв для источников и стоков. С тех пор он был заменен новым стандартом, который определяет буквы для Drain и Source, но у меня нет этого стандарта в наличии.

Дополнительные нюансы стандарта, которые определяют дополнительные правила написания символов, делают чтение более увлекательным. Удивительно, как все это стало общеизвестным, что теперь спокойно принимается и понимается даже без нормативной справки.

Параграф 1.3 определяет, как пишутся подписки, особенно когда их несколько. Пожалуйста, прочитайте слова стандарта:

Так, например, V _bE означает среднеквадратическое значение (заглавная V) компонента переменного тока (нижний регистр b) напряжения на базе полупроводникового устройства относительно значения постоянного тока напряжения эмиттера полупроводникового устройства (верхний регистр E ).

Таким образом, V _CCB означает напряжение питания постоянного тока на коллекторе полупроводникового устройства относительно базы устройства, а V _CC означает напряжение питания постоянного тока на коллекторе относительно земли.

Остается один вопрос: таинственный случай схем CMOS. Как уже указывалось в других ответах, стандарт именования, по-видимому, не выполняется в отношении схем CMOS. На этот вопрос я могу предложить только понимание того, что я работаю в полупроводниковой компании. _{(«Whoah» ожидается здесь.)}

Если бы кто-то мог предложить нормативную ссылку на последний обсуждаемый вопрос, я был бы безмерно благодарен!

Думаю, у меня есть однозначный ответ на этот вопрос. Это название происходит из стандарта IEEE 255-1963 1963 года «Буквенные символы для полупроводниковых устройств» (IEEE Std 255-1963). Я фанатик истории электроники, и это может быть интересно другим (фанатикам), поэтому я сделаю этот ответ немного шире, чем необходимо.

Стандарт определяет 11 суффиксов (букв) s.Это:

Этот стандарт предшествует МОП-транзистору (который был запатентован в августе 1963 года) и поэтому не имеет букв для источника и стока.С тех пор он был заменен более новым стандартом, который определяет буквы для Drain и Source, но у меня нет этого стандарта.

Дополнительные нюансы стандарта, которые определяют дополнительные правила написания символов, делают чтение увлекательным. Удивительно, как все это стало общеизвестным, которое теперь спокойно принимается и понимается даже без нормативной ссылки.

Параграф 1.3 определяет, как пишутся индексы, особенно когда их больше одного.Прочтите, пожалуйста, слова стандарта:

Так, например, V _bE означает среднеквадратичное значение (заглавная буква V) составляющей переменного тока (нижний регистр b) напряжения на базе полупроводникового устройства по отношению к значению постоянного тока напряжения эмиттера полупроводникового устройства ( верхний регистр E).

So V _CCB означает напряжение питания постоянного тока на коллекторе полупроводникового прибора относительно базы устройства, а V _CC означает напряжение питания постоянного тока на коллекторе относительно земли.

Остается один вопрос: загадочный случай схем CMOS. Как было хорошо указано в других ответах, стандарт именования, похоже, не выполняется в отношении схем CMOS. Отвечая на этот вопрос, я могу предложить только понимание, которое проистекает из того факта, что я работаю в полупроводниковой компании. _{(здесь ожидается «ого».)}

Если бы кто-нибудь мог предложить нормативную ссылку на последний обсуждаемый пункт, я был бы безмерно благодарен!

— Какая польза от конденсатора между Vdd и Vss (или Vcc и Vee)? Микроконтроллер

Сеть обмена стеков

Сеть Stack Exchange состоит из 176 сообществ вопросов и ответов, включая Stack Overflow, крупнейшее и пользующееся наибольшим доверием онлайн-сообщество, где разработчики могут учиться, делиться своими знаниями и строить свою карьеру.

Зарегистрируйтесь, чтобы присоединиться к этому сообществу

Кто угодно может задать вопрос

Кто угодно может ответить

Лучшие ответы голосуются и поднимаются наверх

Спросил 4 года, 3 месяца назад

Просмотрено 2к раз

На этот вопрос уже есть ответы :

Закрыт 4 года назад.

Я пытаюсь заставить свой STM32 обмениваться данными через Can. Поэтому я использую CAN-трансивер MCP 2551. Во многих схемах я видел 100 нФ между землей и Vdd. В чем причина этого? Вот пример:

7911 серебряный знак55 бронзовых знаков

Это называется развязывающим конденсатором или шунтирующим конденсатором источника питания.Он используется для подавления шума от контактов питания ИС.

кальций 3000, кальций 3000

2,18911 золотых знаков1111 серебряных знаков3232 бронзовых знака

Электротехнический стек Exchange лучше всего работает с включенным JavaScript

Нажимая «Принять все файлы cookie», вы соглашаетесь с тем, что Stack Exchange может хранить файлы cookie на вашем устройстве и раскрывать информацию в соответствии с нашей Политикой в ​​отношении файлов cookie.

Принимать все файлы cookie Настроить параметры

Различий между VCC, VDD, VSS, VEE и VPP

Vcc: c = circuit указывает значение цепи, то есть напряжение цепи доступа; Vdd: d = device указывает значение устройства, т. е.е. рабочее напряжение внутри устройства;

Vss: s = series обозначает общедоступное соединение, обычно называемое напряжением на клемме общего заземления схемы.

2. Некоторые ICS имеют как вывод VDD, так и вывод VCC, что указывает на то, что само устройство имеет функцию преобразования напряжения.

Так они и получили свое название:

VCC представляет собой источник питания, подключенный к коллектору транзистора (C).

Vee указывает источник питания, подключенный к эмиттеру транзистора (E).

VDD указывает источник питания стока (D), подключенного к трубке с эффектом фермы.

VSS представляет собой источник питания, который подключает источник (S) лампы эффекта фермы.

Обычно VCC и VDD являются источниками питания, а Vee и VSS либо отрицательными, либо заземленными.

Отличия VDD, VCC, VSS, VEE, VPP

VDD: напряжение питания (униполярное устройство), напряжение питания (цифровая цепь серии 4000), напряжение стока (полевая трубка)

VCC: напряжение питания (биполярное устройство), напряжение питания (цифровая цепь серии 74), несущая голоса (несущая с голосовым управлением)

VSS: заземление или минус питания

VEE: источник отрицательного напряжения, источник полевой трубки (S)

VPP: Программирование / стирание напряжения

Различия между VCC, VDD, VSS, VEE и VPP

Короткое замыкание между Vdd и Vss

Эдуардо, спасибо за ответ.

Вставка мертвого времени выполняется драйвером, устанавливается резистором и рассчитывается правильно, поэтому я уверен, что при управлении двигателем перекрестной проводимости нет. Я проверил действие остановки и не заметил большого увеличения Vbus. Фактически, время, когда uC умирало, было во время движения двигателя, а не во время остановки. Итак, я подумал, что проблема во времени включения / выключения H-моста, и некоторые помехи, которые возникли очень быстро на шине 5V. Теперь я вставил 5V TVS-диод с очень низким напряжением пробоя, чтобы избежать роста Vdd.Из-за недостатка места я вставил этот TVS через керамический конденсатор емкостью 100 мкФ на 5 В, а не около мкК, но для меня это единственный способ.

О текущих измерениях Я вставил ограничитель, который отключает драйвер, если ток слишком высок: когда драйвер отключен, МОП-транзисторы остаются открытыми, и ток может уменьшаться.Я проверял ток во многих ситуациях, в которых мог быть двигатель (это не новое приложение, а новое приложение с семейством KE), и я не заметил выходящих из-под контроля пиков. Как я уже говорил в предыдущих комментариях, на самом деле мы реализовали около сотни таких продуктов, и у нас не было никаких проблем раньше (с использованием микроконтроллеров семейства S08).

Объяснение входов напряжения ЖК-дисплея для ЖК-дисплеев

Требуется более подробное объяснение? См. Наш последний ресурс, посвященный входам напряжения ЖК-дисплея.

Эту статью о входах напряжения ЖК-дисплея предоставил: Пол Хэй, инженер-электрик.

Объяснение VCC, VDD, VSS, VEE, V0

Монохромные символьные, графические и статические дисплеи требуют разных входных напряжений. Различные символы напряжения на ЖК-дисплее могут сбивать с толку, но, хотите верьте, хотите нет, в этом безумии есть своя система.

Напряжение ЖК-дисплея: основные сведения о входах питания ЖК-дисплея

Напряжения VCC, VDD, VSS и VEE используются для описания напряжений на различных общих клеммах источника питания.Различия между этими напряжениями проистекают из их происхождения в транзисторных схемах, для которых они изначально использовались.

Эта терминология напряжения ЖК-дисплея исходит от выводов каждого типа транзисторов и их общих соединений в логических схемах. Другими словами, VCC часто применяется к коллекторам BJT (биполярного переходного транзистора), VEE к эмиттерам BJT, стокам VDD к FET (полевым транзисторам) и VSS к источникам FET. В большинстве технических паспортов КМОП (дополнительных металл-оксид-полупроводник) ИС теперь используются VCC и GND для обозначения положительных и отрицательных выводов питания.

ЖК-дисплеи: что обозначают буквы C, D, S и E?

В эпоху плейстоцена (1960-е или раньше) логика была реализована с помощью биполярных транзисторов. NPN (отрицательный-положительный-отрицательный) использовались, потому что они были быстрее. Имеет смысл называть положительное напряжение питания VCC, где «C» означает коллектор. Отрицательный источник питания был назван VEE, где «E» означает эмиттер.

Почему именно ВДД, а не просто ВД?

ПРИМЕРЫ ЖКД, ИСПОЛЬЗУЮЩИХ ДАННУЮ НОМЕНКЛАТУРУ:

Ниже приводится таблица данных символьного ЖК-дисплея:

Примечание : Большинство сегментных, символьных и графических дисплеев будут работать с напряжением VDD 5 В или 3,3 В. Можно управлять дисплеем с напряжением всего 3,0 В, но модуль может не работать очень хорошо при более низких температурах. Чем ниже температура окружающей среды, тем больше мощности требуется для привода сегментов.

Что такое V0 на ЖК-дисплее?

Примечание : чем ниже температура, тем выше напряжение ЖК-дисплея.

Что произойдет, если напряжение управления ЖК-дисплеем будет слишком низким?

Если подаваемое напряжение ЖК-дисплея падает слишком низко, дисплей «недостаточно активен», и на нем будут отображаться «серые» сегменты.Чем ниже напряжение ЖК-дисплея ниже допустимого порога, тем ниже будет контраст.

Что произойдет, если управляющее напряжение ЖК-дисплея будет слишком высоким?

Если ЖК-дисплей перегружен, можно увидеть двоение изображения. Здесь сегменты, которые не должны быть включены, становятся серыми. Они не такие темные, как сегменты, которые должны быть включены, но их можно увидеть и они могут запутать конечного пользователя.

Разъемы питания для настраиваемого ЖК-дисплея

Бывают случаи, когда клиенту необходимо заменить дисплей, который был снят с производства, или EOL (End-Of-Life) от предыдущего поставщика ЖК-дисплея.Распиновка предыдущего ЖК-дисплея может отличаться от стандартного стандартного дисплея Focus. Это не большая проблема.

Focus Displays изменит дизайн печатной платы в соответствии со старым выводом клиента. Это сэкономит время и деньги клиентов, так что им не придется переделывать свою печатную плату.

Подключение питания светодиодной подсветки

Входы напряжения ЖК-дисплея и насосы заряда

Решением для этого является интеграция накачки заряда (или схемы повышения напряжения) в схему ЖК-дисплея. Это решение работает в большинстве приложений, но если продукт будет работать во внутренней среде, необходимо соблюдать осторожность при компоновке печатной платы.

Focus Display Solutions не производит дисплеев с пометкой «Искробезопасный», но мы проектируем ЖК-дисплей в соответствии с требованиями инженера. Чтобы удовлетворить требования инженера-проектировщика, на дисплее может потребоваться два или три независимых входа. Focus может изменить дизайн печатной платы и разметить дорожки, чтобы учесть эти дополнительные входы.

Ваш ЖК-дисплей снят с производства или устарел? Вам нужен новый поставщик?

Focus Display Solutions может перепроектировать и разработать эквивалентный ЖК-дисплей.

Позвоните сегодня или свяжитесь с нами.

Vcc, Vdd, Vss | Форум электроники (схемы, проекты и микроконтроллеры)

(вам лучше написать это правильно при проектировании или анализе ваших схем)

(я не буду говорить о лампах)

Вспомните свои электронные валентные оболочки вокруг атома из ваших основных классов электричества. Любой студент, изучающий физику II (или выше) или химию, тоже знает эти факты, и лучше не соглашаться. Если они это сделают, они ссылаются на поток заряда.

На написание этого материала не уйдут месяцы (максимум 10 минут). Все очень просто. Остальные явления и эффекты можно за несколько часов выписать, но только не эту фигню.

Извлечение сетей VDD и VSS [6]

Объединение массивов

Проводники для VSS / VDD обычно намного шире, чем проводники, используемые для сигналов, поскольку они должны пропускать большие токи с очень небольшими перепадами напряжения. При переходе от одного слоя к другому необходимо использовать переходное отверстие. Но вместо использования большого переходного отверстия, пропорционального ширине проводника, вы обнаружите, что используется массив маленьких переходных отверстий. Есть вопросы, связанные с процессами, которые требуют такого подхода.

Такой большой набор переходных отверстий заставит симулятор поля генерировать очень сложную сетку, и симулятор будет очень медленно приближаться к решению.

Объединение массива в одно большое переходное отверстие

Мы хотели бы объединить массивные переходные отверстия в одно большое переходное отверстие. Хотя это внесет некоторую ошибку в наш полевой симулятор, размер ошибки был смоделирован и оказался незначительным, если сделаны соответствующие настройки для учета разницы в плотности проводников между матричными переходными отверстиями и сплошными переходными отверстиями.

Наше моделирование будет выполняться быстрее, если массив заменяется одним большим переходным отверстием.

Как объединить переходные отверстия

Мы обнаружили, что массивы переходных отверстий можно безопасно объединить в один большой прямоугольник, используя следующий поток:

1) GDSFILT используется для отделения слоев переходных отверстий от слоев «трассировки». Если мы пропустим этот шаг, мы закоротим множество проводников, а это не является нашим намерением.

2) QCKBOOL используется для увеличения размера переходных слоев.Размер прокладки зависит от расстояния между переходными отверстиями. Мы обнаружили, что размера 3 мкм достаточно, чтобы обеспечить перекрытие всех переходных отверстий в массиве, но чтобы смежные массивы не перекрывались.

3) QCKBOOL используется для объединения слоев переходных отверстий и последующего уменьшения размера получившегося большого прямоугольника на ту же величину, что и изначально. Это оставляет нам прямоугольник, который точно покрывает экстенты массива.

4) GDSFILT используется для объединения новых слоев переходных отверстий со слоями трассировки.Полученный файл GDSII теперь намного меньше и может быть отправлен в программу моделирования.

Чтобы показать, как это работает на геометрическом уровне, ниже мы нарисовали упрощенный массив (3×3 вместо 10×10).

a) Массив 3×3 из переходных отверстий 2 мкм на широкой трассе VDD / VSS. Мы упростили массив для наглядности. В реальной ИС массив может состоять от 100 до 900 членов.

b) переходные отверстия увеличены на 3,1 мкм со всех сторон с помощью программы Artwork’s Qckbool.Это приводит к небольшому перекрытию отдельных элементов массива.

c) Операция UNION (с использованием QckBool) объединяет перекрывающиеся переходные отверстия в один большой прямоугольник. Однако вы можете видеть, что теперь он «просачивается» за пределы своего первоначального объема.

d) Размер большого прямоугольника уменьшен на 3,1 мкм. Теперь он точно представляет исходные размеры массива переходных отверстий. Это то, что будет отправлено в программу моделирования.

Сводка по потоку слияния переходных отверстий

Необходимо выполнить слияние через сеть

Источник