Ram 6gb что это
Что такое ОЗУ или RAM в телефонах и смартфонах
Изучая технические характеристики телефонов и смартфонов, пользователи часто задаются вопросом, что такое ОЗУ или RAM и на что оно влияет. Если вас также интересуют эти вопросы, то предлагаем вам ознакомиться с данной статьей.
Что такое ОЗУ или RAM
Аббревиатура ОЗУ расшифровывается как Оперативное Запоминающее Устройство и означает оперативную память. Фактически, термин Оперативное Запоминающее Устройство или ОЗУ — это более правильное название для оперативной памяти. Такой термин часто используют в профессиональной литературе для программистов и компьютерщиков.
Что касается аббревиатуры RAM, то она расшифровывается как Random Access Memory и также обозначает оперативную память. Все эти термины означают одно и тоже – оперативную память. Поэтому если в характеристиках телефона или смартфона указано «RAM 2 Gb» или «ОЗУ 2 Гб», то это означает, что объем оперативной памяти данного мобильного устройства составляет 2 Гигабайта.
Также в характеристиках телефонов или смартфонов можно встретить такие аббревиатуры как ПЗУ или ROM (вариант ROM используется редко). ПЗУ – это Постоянное запоминающее устройство, а ROM – это Read-only memory. Этими терминами обозначают постоянную память смартфона (ее еще иногда называют внутренней). Поэтому путать термины ПЗУ и ОЗУ либо RAM и ROM нельзя, они обозначают совершенно разные типы памяти и выполняют разные задачи. ОЗУ и RAM – это оперативная память, а ПЗУ и ROM – это постоянная (внутренняя) память.
Для чего нужна ОЗУ
Оперативная память или ОЗУ – это быстрая энергозависимая память, которая присутствует в любой компьютерной технике. Есть она и в мобильных устройствах, например, в телефонах, смартфонах и умных часах. ОЗУ используется для хранения данных, которые нужны процессору для работы. В частности, в оперативной памяти хранится код запущенных приложений и нужные им данные.
Как уже было сказано, основными особенностями ОЗУ являются высокая скорость работы и зависимость от питания. По факту оперативная память – это самая быстрая память в компьютере, если не считать регистры и кэш, которые находятся непосредственно в самом процессоре. Зависимость от питания означает, что оперативная память может хранить данные только пока присутствует напряжение электропитания. Как только напряжение пропадает, все данные в оперативной памяти обнуляются. Поэтому оперативная память используется только для временного хранения данных, которые нужны компьютеру для работы в данный момент. Для долговременного хранения данных используется постоянная память (ПЗУ, ROM), которая не зависит от питания и продолжает хранить информацию даже после полного выключения.
На что влияет объем ОЗУ
Производители телефонов, смартфонов и другой умной техники часто делают акцент на объеме ОЗУ. В рекламных материалах часто можно увидеть громкие заголовки, сообщающие о том, что устройство оснащено 2, 4, 6 или даже 8 гигабайтами оперативной памяти. Но, при этом производители редко объясняют, что конкретно получит пользователь если выберет устройство с таким объемом ОЗУ.
Большинство пользователей считают, что объем ОЗУ влияет на скорость работы их телефона. Частично так и есть, ведь чем больше объем оперативной памяти, тем реже системе нужно обращаться к постоянной памяти, которая заметно медленней. На практике, это означает, что телефон быстрее реагирует на действия пользователя, быстрее открывает приложения, реже перезагружает вкладки в браузере и т.д.
Но, нужно понимать, что скорость работы телефона также зависит от тактовой частоты процессора, количества вычислительных ядер, тактовой частоты оперативной памяти и программного обеспечения. Поэтому увеличение объема ОЗУ далеко не всегда дает улучшение, которое можно было бы заметить невооруженным взглядом.
Как посмотреть объем ОЗУ
Если вы хотите узнать, какой объем ОЗУ установлен в вашем телефоне или смартфоне, то для этого можно воспользоваться специальными приложениями, предоставляющими информацию об устройстве. Например, можно воспользоваться приложением AIDA64, которое доступно как на Android, так и на iOS.
Если у вас телефон на базе Android, то вам нужно запустить приложение AIDA64 и перейти в раздел «Система».
А в случае iOS нужно запустить приложение AIDA64 и открыть раздел «Memory».
Также вы можете просто ввести название вашего устройства в любую поисковую систему и посмотреть характеристики в интернете.
Что такое ОЗУ и как определить тип памяти вашего компьютера
Очень много пользователей компьютера часто задаются вопросом — что такое ОЗУ. Чтобы помочь нашим читателям подробно разобраться с ОЗУ, мы подготовили материал, в котором подробно рассмотрим, где его можно использовать и какие его типы сейчас используются. Также мы рассмотрим немного теории, после чего вы поймете, что собой представляет современная память.
Немного теории
Аббревиатура ОЗУ расшифровывается как — оперативное запоминающее устройство. По сути, это оперативная память, которая в основном используется в ваших компьютерах. Принцип работы любого типа ОЗУ построен на хранении информации в специальных электронных ячейках. Каждая из ячеек имеет размер в 1 байт, то есть в ней можно хранить восемь бит информации. К каждой электронной ячейке прикрепляется специальный адрес. Этот адрес нужен для того, чтобы можно было обращаться к определенной электронной ячейке, считывать и записывать ее содержимое.
Также считывание и запись в электронную ячейку должна осуществляться в любой момент времени. В английском варианте ОЗУ — это RAM. Если мы расшифруем аббревиатуру RAM (Random Access Memory) — память произвольного доступа, то становится ясно, почему считывание и запись в ячейку осуществляется в любой момент времени.
Информация хранится и перезаписывается в электронных ячейках только тогда, когда ваш ПК работает, после его выключения вся информация, которая находится в ОЗУ, стирается. Совокупность электронных ячеек в современной оперативке может достигать объема от 1 ГБ до 32 ГБ. Типы ОЗУ, которые сейчас используются, носят название DRAM и SRAM.
Классификация и виды SDRAM в современных компьютерах
Наиболее распространенным подвидом памяти DRAM является синхронная память SDRAM. Первым подтипом памяти SDRAM является DDR SDRAM. Модули оперативной памяти DDR SDRAM появились в конце 1990-х. В то время были популярны компьютеры на базе процессов Pentium. На изображении ниже показана планка формата DDR PC-3200 SODIMM на 512 мегабайт от фирмы GOODRAM.
Приставка SODIMM означает, что память предназначена для ноутбука. В 2003 году на смену DDR SDRAM пришла DDR2 SDRAM. Эта память использовалась в современных компьютерах того времени вплоть до 2010 года, пока ее не вытеснила память следующего поколения. На изображении ниже показана планка формата DDR2 PC2-6400 на 2 гигабайта от фирмы GOODRAM. Каждое поколение памяти демонстрирует все большую скорость обмена данными.
На смену формата DDR2 SDRAM в 2007 году пришел еще более быстрый DDR3 SDRAM. Этот формат по сегодняшний день остается самым популярным, хоть и в спину ему дышит новый формат. Формат DDR3 SDRAM сейчас применяется не только в современных компьютерах, но также в смартфонах, планшетных ПК и бюджетных видеокартах. Также память DDR3 SDRAM используется в игровой приставке Xbox One восьмого поколения от Microsoft. В этой приставке используется 8 гигабайт ОЗУ формата DDR3 SDRAM. На изображении ниже показана память формата DDR3 PC3-10600 на 4 гигабайта от фирмы GOODRAM.
В ближайшее время тип памяти DDR3 SDRAM заменит новый тип DDR4 SDRAM. После чего DDR3 SDRAM ждет судьба прошлых поколений. Массовый выпуск памяти DDR4 SDRAM начался во втором квартале 2014 года, и она уже используется на материнских платах с процессорным разъемом Socket 1151. На изображении ниже показана планка формата DDR4 PC4-17000 на 4 гигабайта от фирмы GOODRAM.
Пропускная способность DDR4 SDRAM может достигать 25 600 Мб/c.
Как определить тип оперативки в компьютере
Определить тип оперативной памяти, которая находится в ноутбуке или в стационарном компьютере можно очень легко, используя утилиту CPU-Z. Эта утилита является абсолютно бесплатной. Загрузить CPU-Z можно с ее официального сайта www.cpuid.com. После загрузки и установки, откройте утилиту и перейдите ко вкладке «SPD». На изображении ниже показано окно утилиты с открытой вкладкой «SPD».
В этом окне видно, что в компьютере, на котором открыта утилита, установлена оперативная память типа DDR3 PC3-12800 на 4 гигабайта от компании Kingston. Таким же образом можно определить тип памяти и ее свойства на любом компьютере. Например, ниже изображено окно CPU-Z с ОЗУ DDR2 PC2-5300 на 512 ГБ от компании Samsung.
А в этом окне изображено окно CPU-Z с ОЗУ DDR4 PC4-21300 на 4 ГБ от компании ADATA Technology.
Данный способ проверки просто незаменим в ситуации, когда нужно проверить на совместимость память, которую вы собираетесь приобрести для расширения ОЗУ вашего ПК.
Подбираем оперативку для нового системника
Чтобы подобрать оперативную память к определенной компьютерной конфигурации, мы опишем ниже пример, из которого видно как легко можно подобрать ОЗУ к любой конфигурации ПК. Для примера мы возьмем такую новейшую конфигурацию на базе процессора Intel:
Чтобы подобрать оперативку для такой конфигурации, нужно перейти на официальную страницу материнской платы ASRock H110M-HDS — www.asrock.com/mb/Intel/H110M-HDS.
На странице можно найти строку «Supports DDR4 2133», которая гласит, что для материнской платы подходит оперативка с частотой 2133 MHz. Теперь перейдем в пункт меню «Specifications» на этой странице.
В открывшейся странице можно найти строку «Max. capacity of system memory: 32GB», которая гласит, что наша материнская плата поддерживает до 32 гигабайт ОЗУ. Из данных, которые мы получили на странице материнской платы можно сделать вывод, что для нашей системы приемлемым вариантом будет оперативка такого типа — два модуля памяти DDR4-2133 16 ГБ PC4-17000.
Мы специально указали два модуля памяти по 16 ГБ, а не один на 32, так как два модуля могут работать в двухканальном режиме.
Вы можете установить вышеописанные модули от любого производителя, но лучше всего подойдут эти модули ОЗУ. Они представлены на официальной странице к материнской плате в пункте «Memory Support List», так как их совместимость проверена производителем.
Из примера видно, как легко можно узнать информацию по поводу рассматриваемого системника. Таким же образом подбирается оперативная память для всех остальных компьютерных конфигураций. Также хочется отметить, что на рассмотренной выше конфигурации можно запустить все новейшие игры с самыми высокими настройками графики.
Например, на этой конфигурации запустятся без проблем в разрешении 4K такие новые игры, как Tom Clancy’s The Division, Far Cry Primal, Fallout 4 и множество других, так как подобная система отвечает всем реалиям игрового рынка. Единственным ограничением для такой конфигурации будет ее цена. Примерная цена такого системника без монитора, включая два модуля памяти, корпус и комплектующие, описанные выше, составит порядка 2000 долларов.
Классификация и виды SDRAM в видеокартах
В новых видеокартах и в старых моделях используется тот же тип синхронной памяти SDRAM. В новых и устаревших моделях видеокарт наиболее часто используется такой тип видеопамяти:
Чтобы узнать тип вашей видеокарты, объем ее ОЗУ и тип памяти, нужно воспользоваться бесплатной утилитой GPU-Z. Например, на изображении ниже изображено окно программы GPU-Z, в котором описаны характеристики видеокарты GeForce GTX 980 Ti.
На смену популярной сегодня GDDR5 SDRAM в ближайшем будущем придет GDDR5X SDRAM. Это новая классификация видеопамяти обещает поднять пропускную способность до 512 ГБ/с. Ответом на вопрос, чего хотят добиться производители от такой большой пропускной способности, достаточно прост. С приходом таких форматов, как 4K и 8K, а также VR устройств производительности нынешних видеокарт уже не хватает.
Разница между ОЗУ и ПЗУ
ПЗУ расшифровывается как постоянное запоминающее устройство. В отличие от оперативной памяти, ПЗУ используют для записи информации, которая будет храниться там постоянно. Например, ПЗУ используют в таких устройствах:
Во всех описанных устройствах выше, код для их работы хранится в ПЗУ. ПЗУ является энергонезависимой памятью, поэтому после выключения этих устройств вся информация сохранится в ней — значит это и является главным отличием ПЗУ от ОЗУ.
Подводим итог
В этой статье мы кратко узнали все подробности, как в теории, так и на практике, касающиеся оперативного запоминающего устройства и их классификации, а также рассмотрели, в чем разница между ОЗУ и ПЗУ.
Также наш материал будет особенно полезен тем пользователям ПК, которые хотят узнать свой тип ОЗУ, установленный в компьютере, или узнать какую оперативку нужно применять для различных конфигураций.
Надеемся, наш материал окажется интересным для наших читателей и позволит им решить множество задач, связанных с оперативной памятью.
Видео по теме
Что такое ОЗУ или RAM в компьютере
Изучая технические характеристики компьютеров, пользователи часто сталкиваются с непонятными аббревиатурами или терминами. Яркий пример, аббревиатуры ОЗУ или RAM. Обычно производители и продавцы компьютеров указывают что-то вроде «ОЗУ – 8 Гб» или «RAM – 8 Гб». При этом данные аббревиатуры никак не расшифровываются и не объясняются, предполагается, что покупатели должны знать, что они означают. Но, это далеко не всегда так. В данной статье мы расскажем о том, что такое ОЗУ или RAM в компьютере и для чего они используются.
Начнем с главного, аббревиатуры ОЗУ и RAM обозначают одно и тоже, а именно оперативную память. ОЗУ расшифровывается как оперативное запоминающее устройство, а RAM как Random Access Memory, что переводится как запоминающее устройство с произвольным доступом и означает тоже самое. Поэтому, если в характеристиках компьютера написано «ОЗУ – 8 Гб» или «RAM – 8 Гб», то это означает что объем оперативной памяти данного компьютера составляет 8 Гб.
Теперь чуть подробней о том, что такое ОЗУ в компьютере и для чего она нужна. ОЗУ или проще говоря оперативная память – это энергозависимая память, в которой хранятся данные и команды, которые обрабатываются процессором. Энергозависимая означает, что она работает только при наличии электропитания. Как только питание пропадает, все данные из оперативной памяти удаляются. Именно поэтому оперативная память не может использоваться для долговременного хранения данных.
За время развития компьютеров появилось не мало различных типов ОЗУ, которые работают на основе разных физических принципов. В современных компьютерах уже достаточно давно используется память типа DDR SD RAM или Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory, что можно перевести как синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Сейчас актуальным стандартом является DDR4 – это четвертое поколение оперативной памяти DDR SD RAM и большинство новых компьютеров поставляются именно с DDR4.
Память DDR – это небольшая плата с чипами, которая подключается к специальным слотам на материнской плате компьютера. Обычно такие слоты находятся справа от процессора в количестве двух или четырех штук. На самых продвинутых материнских платах таких слотов может быть шесть или восемь и в этом случае они размещаются по обе стороны от процессора. Модули DDR разных поколений не совместимы друг с другом. Поэтому, установить DDR4 в материнскую плату с поддержкой DDR3 не получится.
На картинке внизу показаны модули оперативной памяти от DDR до DDR4. Как можно заметить, у них есть специальная прорезь (ключ), которая препятствует установке памяти в не подходящую материнскую плату.
Также нужно отметить, что оперативная память для ноутбуков конструктивно отличается от оперативной памяти для настольных компьютеров. Поэтому установить память для ноутбука в настольный компьютер или наоборот также не получится.
Краткая история RAM
Без оперативной памяти представить компьютер сложно. Да и не нужно. Без этого компонента обойтись нельзя. Все манипуляции с данными производятся в RAM, после чего передаются на накопитель или отправляются в иное устройство. Или наоборот, какая-то инфа извне поступает в компьютер (а именно в RAM), обрабатывается, и передается еще куда-то.
Даже краткое рассмотрение истории развития RAM – тема отдельного материала. И весьма обширного. Остановлюсь на используемом ныне типе оперативной памяти – DDR.
Аббревиатура расшифровывается как удвоенная скорость передачи данных (Double Data Rate). В отличие от предыдущей SDR данные передавались по обоим фронтам тактирующего сигнала. Это позволило вдвое повысить пропускную способность по сравнению с SDR, у которой использовался только фронт тактового сигнала.
Первый коммерческий чип был выпущен в 1998 году компанией Samsung. Спецификацию такой памяти организация JEDEC опубликовала в июне 2000 года, а спустя пару месяцев появилась первая материнская плата с поддержкой DDR. Память работала на частотах от 100 МГц до 200 МГц. Эффективная частота, учитывая использование фронта и спада тактового импульса, составляла от 200 до 400 МГц. Количество контактов разъема равнялось 184. Напряжение питания – 2.5 В.
В 2004 году свет увидело новое поколение, DDR2. За счет улучшений рабочие частоты лежали в диапазоне 200-600 МГц (эффективные – 300-1 200 МГц). Изменился разъем, у которого стало 240 контактов. Напряжение питания снизилось до 1.8 В.
Следующее поколение, DDR3, появившееся в 2007 году, вновь удвоило частоту работы (рабочая от 400 МГц до 1 200 МГц, эффективная – 800-2 400 МГц). Количество контактов не изменилось, но сам разъем несовместим с DDR2. Напряжение снижено до 1.5 В. Позже выпущена модификация с пониженным напряжением питания, равным 1.35 В. Такие модули помечались как DDR3L.
В 2014 году вышло актуальное на сегодняшний день поколение DDR4. Привычно удвоились частоты (800-1 600 МГц рабочая частота и 1 600-3 200 МГц эффективная), изменился разъем, в котором стало 288 контактов. Напряжение питания – 1.2 В.
В конце 2021 или в начале следующего года должна быть представлена память DDR5. Опять удвоится пропускная способность, уменьшится напряжение на 100 мВ, запланированы другие изменения.
Все поколения памяти несовместимы, т. е. установить DIMM одного поколения в разъем для памяти другого поколения физически невозможно.
Указанные разъемы, количество контактов справедливо для десктопного форм-фактора DIMM, но параллельно выпускались и компактные модули для ноутбуков.
Форм-фактор RAM
Если не учитывать чипы памяти, которые по тем или иным причинам распаяны на материнских платах (например, в некоторых ноутбуках), установлены на платах видеокарт, накопителей или иных устройств, то форм-факторов модулей RAM два:
Первый используется в десктопных ПК, в серверах. Второй предназначен для ноутбуков, компактных материнских плат (например, Asus PRO H410T/CSM), неттопов (Gigabyte GB-BR) и прочих специализированных устройств.
Хотя размер плат модулей памяти фактически не изменялся у разных поколений, они несовместимы, т. е. установить, например, планrу DDR4 в слот DDR3 невозможно. Почему? Во-первых, физически, различается количество контактов, расположение «ключа» разъема. Во-вторых… Впрочем, достаточно и первого.
Причем, не только между поколениями существуют различия. DDR3 также делится на два типа, «просто» DDR3 и DDR3L. У первой напряжение питания 1.5 В, у второй – 1.35 В, и ставить вместо одной другую не стоит.
Чипы DRAM устанавливаются и в некоторые другие устройства, например, SSD среднего и высокого класса. А видеокарты без них вообще обойтись не могут. Объем памяти в 8, 12, 16, а то и больше гигабайт – обычное дело. Отличия только в типе памяти, в основном это GDDR6(X), и в том, что изменить объем видеопамяти нельзя в силу того, что микросхемы DRAM распаяны на платах.
Посему, о форм-факторе можно говорить только применительно к материнским платам, какие бы они ни были – серверные, для настольных ПК, ноутбучные или для встраиваемых устройств.
Устройство RAM
В основе современной DRAM лежит ячейка, выполненная по схеме 1T1C, т. е. один транзистор (Transistor) и один конденсатор (Capacitor). Схема такой ячейки приведена на иллюстрации ниже.
Если на обкладках конденсатора есть заряд, то при обращении к транзистору ячейки напряжение на нем говорит нам, что в ячейке хранится логическая «1». Если же конденсатор разряжен, то напряжение будет равным нулю и, соответственно, ячейка содержит «0».
Ячейки объединены в большие двумерные массивы, или матрицы, а доступ к каждой конкретной ячейке осуществляется при помощи двух шин – строки и столбца.
Выбранная строка ячеек называется страницей, а n-е количество страниц объединены в банки памяти. Каждая страница подключена к системе адресации строк и столбцов. Чип может содержать несколько таких банков – 4, 8 или более.
При чтении на линии выбора столбцов (битовая линия) подается половинное напряжение питания. Предположим, что оно равно 1.2 В, значит, на шинах выбора столбцов будет 0.6 В. Питание подается на короткое время, после чего линия отключается от общего провода («земли»). Каждая линия обладает определенной емкостью, т. е. фактически представляет собой конденсатор. Напряжение на линиях строк при этом равно нулю, управляющие транзисторы ячеек закрыты.
В действительности, у каждого столбца есть не одна, а пара линий шины строк, которые называются «+» и «-», или четные и нечетные. Между этими парами линий перекрестно установлены инверторы, выполняющие роль усилителей. На обеих линиях устанавливается одинаковое напряжение, т. е. те самые 0.6 В.
Теперь контроллер памяти выдает адрес строки и на нужную строку подается высокое напряжение. Транзисторы открываются и происходит считывание из всех ячеек этой строки в блоке памяти. Физически это означает, что транзисторы каждой ячейки строки открываются, и через них начинает идти ток. Если конденсатор ячейки хранил заряд (логическая «1») то ток течет из конденсатора в одну из двух битовых линий. Если конденсатор был разряжен («логический «0»), то в обратную сторону.
И все бы хорошо, но не обходится без проблем. Сама по себе ячейка, представляющая собой пару транзистор-конденсатор, разового действия и короткоживущая. Не в физическом смысле, а в плане хранения данных. Объясню, что это значит.
Процесс считывания информации из ячейки является деструктивным, т. е. разряжает конденсатор, а это приводит к искажению информации (считали значение – разрядили конденсатор, одноразовое действие). Поэтому, если не принять срочных мер, после считывания информации из ячейки там окажется логический «0», даже если до этого была единица. А ведь мы просто читали из ячейки и ничего менять не собирались.
Такой «срочной мерой» является обновление информации в ячейке, т. е. фактически происходит перезапись ее. Занимается этим сам чип RAM под управлением контроллера. Как это происходит?
В зависимости от того, на какой битовой линии увеличивалось напряжение, происходит подзарядка конденсатора ячейки, в которой хранилась «1», или наоборот, разрядка его, чтобы считывался «0». Выбранная ячейка подключается к шине данных и значение передается контроллеру памяти.
Проблемам видимо скучно приходить в одиночку, и помимо разряда конденсатора при чтении есть еще одна неприятность – конденсатор разряжается как сам по себе (саморазряд), так и за счет утечки в транзисторе между стоком и подложкой.
Чтобы компенсировать это, требуется регенерация памяти. Выполняется она регулярно через определенный интервал времени, например, каждые 64 мс или чаще. Во время регенерации обслуживаемые строки памяти недоступны, т. е. никакие операции чтения/записи производить нельзя.
Выполняться эта операция может по-разному. В некоторых системах все строки банков памяти обновляются одновременно. Может использоваться и метод последовательной регенерации строк.
Думаю, достаточно про устройства DRAM, ибо эта тема весьма обширная, и в механизмы работы ячеек, страниц и проч. можно погружаться долго. Важно то, что оперативная память – это не просто полка, куда что-то положили, и оно там лежит, пока не понадобится. В смысле, оно там конечно лежит, но не скучает, а в тайне от нас участвует во множестве процессов, чтобы мы нашли положенное в том же месте целым и невредимым.
Обратимся к характеристикам материнской платы. Для примера возьмем MSI MAG B550 TOMAHAWK. В разделе, посвященном памяти, в частности, видим такие строчки:
И вот о ранге (или ранке, обзывайте как нравится) чуть подробнее. Процессор имеет 64-битную шину данных каждого канала контроллера. Речь про «гражданские» CPU для десктопов. В то же время каждый чип DRAM 8-битный. Чтобы использовать все возможности процессорного контроллера памяти, каждый модуль RAM имеет как минимум 8 чипов DRAM.
Кстати, узнать размер шины можно в командной строке OC Windows:
wmic memorychip get DataWidth,TotalWidth
Должны отобразиться значения «64, 64», т. е. ширина шины в битах. Если же будет указано значение 72, то значит используется память с ECC, но об этом ниже. 
Учитывая, что технологически оперативная память масштабируется плохо, и новые техпроцессы практически никак не помогают в решении этой задачи, использование нескольких чипов позволяет увеличить объем каждого модуля.
Распараллеливание работы также позволяет повысить скорость обмена, т. к. в каждую единицу времени имеется доступ только к одному банку данных. Наличие второго, работающего в этот момент в фоновом режиме, дает возможность параллельно готовить к доступу следующий банк.
Одноранговая память – это, по сути, один набор чипов DRAM, к которым осуществляется доступ контроллером памяти. Двухранговая – два независимых набора, каждый из которых также может адресоваться контроллером. Доступ к каждому набору осуществляется отдельно, их нельзя использовать одновременно.
Как обычно, обратимся к конкретным примерам. Возьмем пару модулей: Kingston KVR29N21S8/16 это одноранговый DIMM, а KVR26N19D8/16, на котором чипы распаяны с обеих сторон печатной платы, двухранговый. При одинаковой емкости в 16 ГБ.
Есть ли какой-либо профит от двухранговой памяти? Да, кроме возможности получить более емкий DIMM, скажем, в 32 ГБ или больше, есть разница в производительности по сравнению с одноранговыми. Все же параллельность, все дела…
Однако на многое рассчитывать не стоит. В теории, двухранговые модули действительно могут предоставить больше производительности, но реальность не совсем такова. Прирост чаще всего есть, но от наличия второго набора чипов скорость работы отнюдь не удваивается. Мало того, и 50-процентного увеличения нет. В лучшем случае получите плюс несколько процентов, ну максимум десяток.
Как правило, с разгоном у двухранговых модулей также не все так хорошо, как у одноранговых. Хотя тут могут быть варианты, модулей памяти большое количество, а комбинаций их с материнскими платами, позволяющими «гнать» компоненты, вообще не сосчитать.
Думаю, все же не ошибусь, если скажу, что для рекордов оверклокинга надо искать одноранговые модули. А если разгон вам малоинтересен, а вот объем более актуален, то принципиальной разницы нет, сколько там этих рангов. Может даже двухранговые будут работать чуточку быстрее.
Следует сказать немного про расположение чипов на модуле DIMM. Не следует путать «двухранговый» модуль и «двухсторонний» модуль. Выглядеть они могут одинаково (чипы на обеих сторонах платы), но двухсторонний совсем не обязательно должен быть двухранговым.
Может быть и наоборот. Например, Kingston KF436C18BB/16 – 16-гигабайтный одноранговый модуль, чипы которого распаяны с обеих сторон платы. А, скажем, Samsung M378A2G43MX3-CTD – двухранговый с односторонним расположением микросхем памяти.
Ориентироваться по количеству и расположению чипов, чтобы определить ранговость памяти, не совсем верно. Лучше все же обращаться к спецификациям или хотя бы к маркировке модулей, которую обычно наносят на каждый DIMM.
Скажем, Samsung и Crucial обычно указывают это на модулях, хотя и не всегда. Другие бренды этим не заморачиваются, показывают только емкость, частоту и основные задержки. В любом случае, точные данные предоставят спецификации модуля RAM на сайте производителя, или обзоры, форумы в интернете.
Задержки (тайминги)
Чаще всего в характеристиках на модули памяти указываются 3-4 значения в строке «тайминги», они же задержки, они же латентность, т. е. время, необходимое на выполнение тех или иных операций. Далее мы разберем их чуть подробнее. В реальности разных задержек много, но четыре считаются основными и наиболее важными при выборе RAM, особенно параметр CAS.
Чтобы разбираться конкретно, возьмем конкретный же модуль памяти, например, Crucial Value DDR4 CT8G4DFS8213. Это 8-гигабайтная планка RAM с тактовой частотой 2 133 МГц. Давайте обратимся к ее характеристикам, в частности, к строчке «тайминги», где указано: «17-17-17». Что это за цифры, что означают? Вот с этим и предстоит разобраться.
CAS(CL)
CAS расшифровывается как Column Address Strobe, в спецификациях обычно обозначается «CL». Это задержка между моментом, когда контроллер выдал памяти запрос адреса столбца блока, содержащего данные, и началом поступления первого бита информации. При этом нужная строка блока уже выбрана, и тем самым мы имеем все данные для чтения нужной ячейки памяти.
CAS показывает, сколько тактов длится эта задержка. Тут просится вывод, что чем меньше это значение, тем лучше. Отчасти да, но не совсем.
Прибегнем к аналогии. Есть два (не полтора, а именно два) землекопа. Один может выкопать необходимую ямку за 17 взмахов лопатой, второму понадобится 22 таких же телодвижения. Внимание, вопрос: кто из работников лучше?
Я бы не торопился с ответом, т. к. мы пока еще не получили весь необходимый объем исходных данных. В частности, сколько времени тратит каждый из работников на выполнение задачи. Первый делает свое дело не спеша и с перекурами. Второй работает быстрее и курит меньше.
Теперь есть все основания предполагать, что второй справится с работой быстрее, хотя и затрачивает на нее больше движений. Значит, как исполнитель он выгоднее. Вопросы оплаты труда, условий работы и проч. не учитываем, мы же про аналогии говорим.
Получается, что реальная задержка зависит как минимум от двух параметров – количества тактов и частоты работы. Это приводит нас выводу, что для вычисления реальной задержки нам надо посчитать затрачиваемое на нее время.
Сделаем это. Формула проста, делим 1 на значение реальной частоты (для 2 133 МГц это 1 066) и умножаем на значение CAS, результат будет в наносекундах:
(1/1 066) * 17 = 15.9 нс
Таким образом, на CAS со значением 17 для модуля с частотой 2 133 МГц необходимо чуть меньше 16 нс.
Если возьмем такой же модуль памяти, но с частотой 3 200 МГц (Crucial CT8G4DFRA32A), то CAS у него будет уже равняться 22. Опять посчитаем время задержки:
(1/1 600) * 22 = 13.8 нс
Вот и получается, что второй «землекоп» хоть и будет больше махать лопатой, но выполнит работу немного быстрее.
Если еще учесть, что у более высокочастотного модуля RAM и пропускная способность больше (у выбранных в качестве примеров модулей CT8G4DFS8213 и CT8G4DFRA32A это 17 000 МБ/с и 25 600 МБ/с соответственно), то производительность второго модуля выше, как и стоимость. Главное, чтобы система смогла использовать все возможности установленной RAM.
Расшифровывается как Row Address to Column Address Delay. Это минимальное количество тактов между моментом активации строки банка данных (выдача сигнала на выбор строки RAS) и доступом к столбцу (начало чтения и, соответственно, задержки CAS).
Помните цитату из фильма:
Вот и в данном случае речь именно про «подожди ты». Это количество циклов, в течение которых выбранная строка должна находиться в активном состоянии до того момента, как будет запущена процедура регенерации. Причем это минимальное значение, т. е. если задержка CAS – это фиксированное значение, то tRAS – изменяемая величина.
По сути, это ожидание окончания цикла выборки данных, чтобы начать обновление ячеек. Величину этой задержки можно принять равной tRCD+CL+время на обработку команд и некоторые иные служебные нужды.
Расшифровывается Row Precharge, т. е. минимальное время от получения команды на выполнение зарядки (precharge) банка памяти и получением следующей команды на активацию строки tRCD.
B-die, C-die, E…
Интересующиеся темой (про гуру в разгоне я не говорю) наверняка не раз встречали упоминание чипов DRAM Samsung B-die. А у Micron, например, E-die… Это степпинги памяти, которые могут существенно повлиять на скорость работы и разгонные возможности того или иного DIMM.
У меня нет цели углубляться в вопрос оверклокинга RAM. Да и не получится, ибо тема эта неисчерпаема, что подтверждают многостраничные, порой, на сотни и сотни страниц ветки в тематических форумах.
Важно знать, что каждый производитель чипов DRAM (не производитель модулей памяти, а именно чипов) выпускает несколько версий своих микросхем. Отражается это в маркировке степпинга. Так, у Самсунга это A-die, B-die, C-die и прочие. Примерно так же маркируются чипы Micron.
Легендарными среди «гонщиков» являются в первую очередь B-die от Samsung. На изображении выше показана структура микросхемы DDR4 B-die емкостью 8 Гб K4A8G085WD-BCTD производства Samsung. Модули с ними потенциально наиболее гонибельные. Потенциально, потому что нельзя обеспечить абсолютно одинаковые характеристики чипов в разных партиях.
Вполне может попасться модуль, который разгонится, но не дотянет до частот, которые дались знакомому на таком же модуле и на схожей системе. Просто не очень повезло с конкретными чипами. Даже в наборе из двух модулей на B-die оба будут хороши, но один все же окажется чуть хорошее.
В 2019 году планировалось прекращение производства чипов B-die, но произошло ли это в реальности тогда, или произошло позже, или она производится до сих пор – утверждать не стану. В любом случае, если повезло стать обладателем модулей на этих чипах, то хорошая скорость работы, невысокие задержки и разгонный потенциал входят в стоимость.
У других брендов оверклокерскими считаются: E-die у Micron, Hynix C-die CJR. В каких модулях находятся какие чипы из спецификаций не узнать. Ориентироваться надо на обзоры, отзывы владельцев и данные, выдаваемые различными утилитами. Например, подробную информацию о модулях памяти выдает утилита Thaiphoon Burner.
ECC-память
Как обычно, рассмотрим на примере. Скажем, возьмем модуль памяти Kingston KSM ValueRAM DDR4 KSM29ES8/8HD емкостью 8 ГБ.
Что в нем отличается от рассмотренных выше? Девять, а не восемь чипов. Хотя мы предполагаем, что восемь микросхем по 8 бит и емкостью по 8 Гб каждая дают нам итоговые 8 гигабайт. Зачем нам еще одна микросхема?
Чтобы защититься от спонтанных ошибок, существует специальный вид памяти, с защитой от ошибок. Используется технология контроля четности, а сама память в своей маркировке имеет аббревиатуру ECC (Error-Correcting Code memory, память с коррекцией ошибок). Именно для исправления ошибок и требуется дополнительный чип. Как правило, каждые 8 чипов RAM доукомплектовываются еще одним.
Не буду углубляться в принципы работы ECC, ибо это находится за рамками разговора. Важно то, что использование такой RAM действительно позволяет обезопасить себя от возможных ошибок и повышает надежность системы.
Правда, использование таких модулей в обычных компьютерах или ноутбуках особого смысла не имеет. Материнские платы для таких ПК обычно не поддерживают эти модули, и устанавливать их не следует. Работать не будет. К тому же ECC RAM стоит немного больше, а производительность немного ниже из-за расходов на обеспечение этой самой коррекции ошибок.
Регистровая память
RDIMM (Registered Memory), она же buffered memory. Этот тип RAM используется в серверах. Свое название получила от наличия специальной микросхемы, буфера на каждом DIMM. И вновь обратимся к примеру.
Этот самый чип содержит регистры-буферы данных, передающихся от контроллера памяти модулям и обратно. Эта микросхема позволяет также снизить электрическую нагрузку на контроллер памяти и тем самым подключить больше DIMM к каждому его каналу. Соответственно, можно получить больший объем ОЗУ в системе.
Такой вид RAM не предназначен для разгона, у него обычно более высокие задержки, но высокая стабильность работы, система коррекции ошибок и более высокий потолок максимального объема памяти. Также он стоит дороже, и для поддержки необходимы серверные материнские платы и процессоры. Для домашнего/офисного ПК или ноутбука RDIMM не применяется.
Не следует путать ECC-RAM и регистровую RAM. Это не одно и то же. Модуль памяти может быть ECC, но не являться регистровым, а вот регистровый DIMM всегда еще и ЕСС.
Дальнейшим развитием буферной памяти является FB-DIMM (Fully Buffered DIMM – полностью буферизованная DIMM). По сути, это та же RDIMM, но буферизуются данные и адресные команды.
Используется микросхема Advanced Memory Buffer (AMB), располагающаяся между контроллером памяти и чипами DRAM. Используется последовательная шина между контроллером и AMB. Благодаря этой дополнительной микросхеме контроллер теперь непосредственно не общается с чипами памяти, а делегирует эти функции посреднику, AMB.
Введение дополнительного узла между контроллером памяти и чипами RAM увеличивает задержки, но компенсирует это коррекцией ошибок, стабильной работой, возможностью использовать большой объем памяти.
Версия печатной платы DIMM
Давайте посмотрим на следующую иллюстрацию.
На ней изображены печатные платы, используемые для изготовления модулей DIMM. Несложно увидеть, что они различаются. Эти различия принято называть ревизией (версией) печатной платы.
Ревизия «A0» создавалась для модулей с частотой 2 133 МГц. Сейчас она используется преимущественно для бюджетных DIMM с далеко не рекордными частотами работы. Это худший дизайн платы для высокочастотных DIMM. Для рабочих частот порядка 4 600 МГц он вообще неприменим. К тому же разгон модулей на «A0» до значения в 4 000 МГц и выше весьма проблематичен.
Ревизия A1. Этот дизайн частенько используется OEM производителями как универсальный, позволяющий изготавливать как «обычную» память, так и с поддержкой ECC. Оверклокерские возможности повыше, чем у плат ревизии «A0».
Ревизия «A2» является, по сути, референсным дизайном платы для модулей памяти DDR4 с частотой 2 666 МГц. Правда, никто не запрещает использовать подобную разводку платы для модулей с любой частотой, даже для самых младших с рабочей частотой 2 133 МГц. Это лучший вариант для работы RAM на высоких частотах и для разгона.
От ревизий «A0» и «A1» отличается в первую очередь расположением чипов DRAM. Они распаяны группами по 4 ближе к краям модуля, а также ближе к контактам разъема, тем самым оставляют среднюю часть платы свободной. Это улучшает электрические характеристики прохождения сигналов, снижает помехи, и в конечном счете улучшает производительность.
У ревизии «A2» оказался и еще один приятный бонус. В наш век засилья светодиодов везде, где их только можно разместить, 2-я ревизия платы с ее свободной средней частью и расположением чипов ближе к нижнему края модуля оставляет много места для организации подсветки.
Надо сказать, что представленные выше на иллюстрации дизайны печатных плат совсем не догма, и никто не запрещает внести в них свои изменения. В конце концов, для размещения светодиодов это делать приходится в любом случае.
В частности, в серии модулей Corsair Dominator с подсветкой печатная плата «A2» больше по размеру, в верхней части размещены светодиоды, а между ними и чипами памяти находятся изолирующие проводники.
Насколько я знаю, компания GEIL в своих моделях DDR4 с подсветкой использует только «A2» печатные платы. А, например, модуль памяти Crucial MTA8ATF1G64AZ существует как на платах ревизии «A1», так и «A2».
Память памяти (ROM у RAM)
В процессе загрузки компьютера при прохождении процедуры Power-On Self-Test (POST) система узнает, какие модули памяти установлены и какие у них параметры. Кто им это сообщает?
Давайте присмотримся к модулю Crucial Value DDR4 CT8G4DFS8213. Примерно в середине платы, аккурат над вырезом разъема примостилась небольшая микросхема. Разберемся, для чего она нужна.
Небольшой чип – это SPD (Serial Presence Detect), который хранит информацию о параметрах модуля памяти. Производители тестируют каждую микросхему, проверяя, на какой частоте и с какими таймингами можно получить стабильную работу. Затем чипы со сходными характеристиками собираются вместе и устанавливаются на DIMM модуль.
Частоты работы, тайминги, данные о производителе и некоторая другая информация – все хранится в этой маленькой микросхеме, и все это считывается в процессе запуска компьютера до загрузки операционной системы. Эта информация позволяет точно настроить режим обмена с RAM.
В определенной мере данную микросхему можно сравнить с BIOS материнской платы, правда, с большими ограничениями по объему информации и узкой направленностью для обслуживания исключительно данного DIMM.
Многие модели RAM имеют также поддержку XMP. Это разработанный Intel стандарт работы памяти Extreme Memory Profile (XMP). Как можно догадаться из названия, это некий «экстремальный» режим работы модуля. Так и есть, по сути, это выполненный уже на заводе разгон, которым можно и нужно воспользоваться. В результате увеличится частота памяти, изменятся тайминги, напряжение питания.
Правда, при соблюдении некоторых условий:
Профиль XMP необходимо вручную включить в BIOS материнской платы. По умолчанию установленный DIMM будет работать на некоей штатной частоте, скажем, 2 133 МГц, 2 400 МГц и т. п. Например, комплект из двух модулей Ballistix BL2K8G26C16U4R в штатном режиме работает на частоте 2 666 МГц с таймингами 19-19-19-43, а при активации XMP получаем уже 3 200 МГц при таймингах 16-18-18-36 при напряжении питания 1.35 В.
Значения профиля XMP прописаны в той же микросхеме, что и SPD. При этом никто не запрещает самостоятельно поэкспериментировать с параметрами RAM – изменить частоту, увеличить/уменьшить основные задержки, поиграться с напряжением. Естественно, это на ваш страх и риск с шансом на нестабильную работу, синие экраны и прочие подобные «удовольствия».
Опять-таки при условии, что материнская плата позволяет вручную изменять эти параметры, т. е. в ней используются чипсеты с поддержкой разгона памяти. У AMD это X570, B550, а у Intel это можно делать на Z590, W580, H570, B560.
Получить данные об установленных модулях памяти в вашей систем можно, если в командной строке ОС Windows ввести:
wmic memorychip get Manufacturer,Capacity,PartNumber,Speed,DeviceLocator,ConfiguredVoltage,MemoryType
Вы получите информацию об установленных DIMM. Правда, для DDR4 параметр MemoryType скорее всего отобразит 0.
Радиаторы охлаждения
Если открыть каталог с существующими в продаже модулями памяти, то большАя, если не бОльшая их часть будет иметь радиаторы. Для чего они нужны?
Если отбросить факт, что это очень удобная штука для установки подсветки и вообще улучшения внешнего вида планок памяти, то основное назначение этих железок – охлаждение. И если мы говорим о высокочастотной памяти с низкими таймингами, тем более предназначенной для разгона, то установка радиаторов имеет смысл.
При этом в продаже есть немалое количество DIMM вообще без охлаждения. Значит ли это, что мы имеем дело с бюджетной памятью, которая отлично будет работать на штатных частотах, но почти не поддается разгону?
В каких-то случаях да. Судя по имеющейся информации, например, модули Patriot Memory Signature PSD48G320081 обходятся без радиаторов и не гонятся почти никак. Правда, частота у них изначально не самая маленькая, 3 200 МГц, но вот добиться большего вряд ли получится. Тем более, что и ревизия печатной платы тут «A0».
А бывает и наоборот. Например, можно посмотреть на отзывы счастливых владельцев 8-гигабайтных модулей Samsung M378A1K43BB2-CRC, которые разгоняют их со штатных 2 400 МГц или 2 666 МГц до 3 200 МГц и выше. И без всяких радиаторов. Хотя это не значит, что не надо организовывать нормальную вентиляцию корпуса.
Поэтому если изначально идет речь о приобретении высокоскоростного модуля памяти, да еще и с перспективой серьезного разгона до частот порядка 4 000 МГц и выше, то металлический радиатор лишним точно не будет.
Если же речь про штатные частоты в районе 3 000 МГц, а разгон и, особенно, световые шоу в корпусе совсем не интересуют, то отсутствие радиатора отнюдь не причина отказываться от рассмотрения той или иной модели DIMM без дополнительного охлаждения чипов памяти.
Корпусировка чипов RAM
Выше я частенько призывал посмотреть на количество чипов, распаянных на DIMM, и сделать какие-то из этого выводы. Надо признаться, что простой подсчет количества чипов памяти не всегда отражает реальную емкость данного модуля или его конфигурацию.
Приведу пример. Модули Patriot Memory Signature PSD48G320081 и PSD416G240081 имеют по восемь чипов. При этом объем первого 8 ГБ, а второго 16 ГБ. Дело в том, что внутри корпуса микросхемы может располагаться несколько кристаллов памяти.
Отсюда следует вывод, что первый взгляд на модуль следует подкрепить данными из спецификаций, чтобы начать делать выводы об интересности для вас этого DIMM для покупки.
Заключение. Анатомия RAM – сложный маленький организм
Если эстетическая составляющая внутреннего мира системного блока не пустой звук, то к перечисленным выше параметрам следует добавить наличие красивого радиатора с разноцветной подсветкой.
Сложнее с любителями разгона. Здесь в большей степени интересует анатомия RAM. Какой степпинг чипов и кем произведены, ранговость, какая версия печатной платы. Надо учесть платформу, для которой подбирается RAM, тайминги, возможность разгона. Желательно ознакомиться со статистикой результатов оверклокинга данных модулей у коллег по цеху.
В результате, оперативная память хоть и является одним из самых компактных компонентов в ПК (если сравнивать с видеокартами, жесткими дисками, кулерами и т. п.), но не так проста по сути. Знание тонкостей поможет сделать правильный выбор и позволит получить дополнительные FPS в играх, уменьшить время тех или иных расчетов, да и просто сделать компьютер более отзывчивым.