Si4134dy t1 ge3 чем заменить
Si4134dy t1 ge3 чем заменить
Наименование прибора: SI4134DY
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 187 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm
SI4134DY Datasheet (PDF)
0.1. si4134dy.pdf Size:251K _vishay
Si4134DYVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition 0.014 at VGS = 10 V 14 TrenchFET Power MOSFET 30 7.3 nC0.0175 at VGS = 4.5 V 12.5 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSO-8 DC/DC Conversion-
9.1. si4136dy.pdf Size:237K _vishay
New ProductSi4136DYVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.002 at VGS = 10 V 46 100 % Rg and UIS Tested20 34 nC0.0025 at VGS = 4.5 V 41APPLICATIONS OR-ing DC/DCSO-8D SD1 8SD2 7SD3 6GD G 4 5
Si4134dy t1 ge3 чем заменить
Наименование прибора: SI4459ADY
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 19.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 129 nC
Время нарастания (tr): 16 ns
Выходная емкость (Cd): 860 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.005 Ohm
SI4459ADY Datasheet (PDF)
0.1. si4459ady.pdf Size:250K _vishay
6.1. si4459ad.pdf Size:266K _vishay
9.1. si4456dy.pdf Size:240K _vishay
Si4456DYVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0038 at VGS = 10 V 33 TrenchFET Gen II Power MOSFET40 37.5 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0045 at VGS = 4.5 V 31APPLICATIONS Secondary Rectification Point of LoadSO-8 D SD1 8
9.2. si4450dy.pdf Size:215K _vishay
Si4450DYVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.024 at VGS = 10 V 7.5 TrenchFET Power MOSFET600.03 at VGS = 6.0 V 6.5DSO-8S D1 8S D2 7GS D3 6G D4 5Top ViewSOrdering Information: Si4450DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)Si4450DY-T1-GE3
9.3. si4451dy.pdf Size:224K _vishay
9.4. si4453dy.pdf Size:225K _vishay
9.5. si4455dy.pdf Size:255K _vishay