Sic01 что за микросхема

Решено SIC01 нужна схема платы и подключение

Информация Неисправность Прошивки Схемы Справочники Маркировка Корпуса Сокращения и аббревиатуры Частые вопросы Полезные ссылки

Справочная информация

Этот блок для тех, кто впервые попал на страницы нашего сайта. В форуме рассмотрены различные вопросы возникающие при ремонте бытовой и промышленной аппаратуры. Всю предоставленную информацию можно разбить на несколько пунктов:

Неисправности

О прошивках

Большинство современной аппаратуры представляет из себя подобие программно-аппаратного комплекса. То есть, основной процессор управляет другими устройствами по программе, которая может находиться как в самом чипе процессора, так и в отдельных микросхемах памяти.

На сайте существуют разделы с прошивками (дампами памяти) для микросхем, либо для обновления ПО через интерфейсы типа USB.

Схемы аппаратуры

Начинающие ремонтники часто ищут принципиальные схемы, схемы соединений, пользовательские и сервисные инструкции. Это могут быть как отдельные платы (блоки питания, основные платы, панели), так и полные Service Manual-ы. На сайте они размещены в специально отведенных разделах и доступны к скачиванию гостям, либо после создания аккаунта:

Справочники

На сайте Вы можете скачать справочную литературу по электронным компонентам (справочники, таблицу аналогов, SMD-кодировку элементов, и тд.).

Современная элементная база стремится к миниатюрным размерам. Места на корпусе для нанесения маркировки не хватает. Поэтому, производители их маркируют СМД-кодами.

При создании запросов в определении точного названия (партномера) компонента, необходимо указывать не только его маркировку, но и тип корпуса. Наиболее распостранены:

Краткие сокращения

При подаче информации, на форуме принято использование сокращений и аббревиатур, например:

Частые вопросы

После регистрации аккаунта на сайте Вы сможете опубликовать свой вопрос или отвечать в существующих темах. Участие абсолютно бесплатное.

Ответ в тему SIC01 нужна схема платы и подключение как и все другие советы публикуются всем сообществом. Большинство участников это профессиональные мастера по ремонту и специалисты в области электроники.

Возможность поиска по всему сайту и файловому архиву появится после регистрации. В верхнем правом углу будет отображаться форма поиска по сайту.

Полезные ссылки

Здесь просто полезные ссылки для мастеров. Ссылки периодически обновляемые, в зависимости от востребованности тем.

Источник

Эксперименты с карбидом кремния (SiC): замедление переключения SiC-MOSFET

На этот раз рассказываю про карбид кремния (SiC) и свои разработки и эксперименты с ним.
Из статьи вы узнаете особенности применения карбид-кремниевых MOSFET-транзисторов и диодов, как выбрать элемент и сравнение с кремниевыми (Si) приборами, и, самое главное результаты моих экспериментов и исследований в замедлении переключения SiC-транзисторов, проведённых на моей недавней разработке – источнике питания для солнечной энергетики.

Под катом немного аналитики и практики в области силовой электроники – добро пожаловать.

Карбид кремния

Карбид кремния – широкозонный полупроводниковый материал, используемый при производстве диодов, транзисторов и тиристоров. В мою практику разработчика силовой электроники карбид кремния вошёл уже очень давно. Ещё около десяти лет назад прочитал статью от Infineon о том, что применение SiC-диода в корректоре коэффициента мощности (ККМ) может существенно повысить КПД преобразователя. Применил. И даже сравнил с кремниевым диодом – действительно, выигрыш оказался весьма существенным. С тех пор применял SiC диоды и транзисторы во многих разработках.

Рассмотрим, какие преимущества имеют SiC MOSFET-транзисторы по сравнению с кремниевыми:

Глядя на это сравнение можно сказать, что карбид кремния по всем параметрам (кроме цены) превосходит кремниевые транзисторы. Несколько слов про сопротивление канала R_DSon. Действительно, этот параметр у выбранных Si транзисторов немного ниже для нормальных условий, однако это с лихвой компенсируется очень сильной зависимостью R_DSon от температуры.

На следующей картинке показаны данные зависимости для двух транзисторов. Видно, что при температуре 100ºС (поставил точки на графиках) превышение для карбида кремния составляет всего 10%, а для кремниевого транзистора 65%.

Мощные полупроводники никогда не работают при комнатной температуре, а влияние температуры кристалла на прямое сопротивление канала может быть весьма существенным. Эту особенность нужно всегда учитывать при расчёте статических потерь и выборе транзисторов. По графику видно, что даже при температуре 75ºС при вычислении эффективного значения R_DSon для кремния нужно применять поправочный коэффициент 1,4.

Мы рассмотрели преимущества карбида кремния, что же с обратной стороны медали?

Что вас может остановить от применения SiC-MOSFET?

Цена. Хоть выше и приводится сравнение цен, это подборка более-менее равнозначных ПП приборов (скажем так, top-класса). А задачу можно решить и более дешёвыми транзисторами. Например, NTHL095N65S3HF – обычный кремниевый транзистор от ONsemi, 650В, 36А, стоит всего 4,86$, а в партии 100шт и того дешевле – 3,3$. Ничего, что сопротивление канала чуть выше, свою задачу он выполнит, просто будет меньше КПД преобразователя. При особом желании можно найти транзистор хорошего китайского производителя за 2,5$.

Очень быстрое переключение. С одной стороны, это плюс – уменьшаются динамические потери. Но с другой – минус, бОльшие значения dV/dt приводят к увеличению уровня помех как кондуктивных, так и излучаемых. А ведь сертификацию и тесты на ЭМС никто не отменял.

Необходимость двуполярного управления затвором (активное запирание). Да, сейчас появляются SiC-транзисторы, где в ДШ прописано, что это не требуется. Но, честно говоря, для жёстких industrial-применений я бы так делать не стал.

После прочтения независимых исследований по лавинному пробою карбида кремния стало понятно, что это настоящая кротовая нора и, пожалуй, обзор этой темы выходит за рамки данной статьи. Единственное, что можно отметить, оказалось, что напряжение лавинного пробоя SiC-MOSFET существенно (в 1,5-1,8 раза) выше чем граничное напряжение сток-исток.

Немного про карбид-кремниевые диоды

SiC-диоды находят широкое применение в корректорах коэффициента мощности (ККМ, PFC). ККМ это почти всегда повышающий (boost) преобразователь, соответственно жёсткая коммутация и большой размах напряжения. Диод с малым временем обратного восстановления здесь идеален. Особенно для режима непрерывного тока (CCM), когда коммутация происходит под током.

Если раньше, когда цена карбид-кремниевых диодов была сравнительно высока, могли быть какие-то варианты, то теперь без сомнений ставьте в ККМ только эти прекрасные диоды.

Также можно найти и иные применения, например, высоковольтные выпрямители.

Исследование процесса переключения SiC-MOSFET

Планируя разработку источника питания со входным напряжением до 1500В, я заранее начал изучать особенности применения карбид-кремниевых транзисторов. Особенно меня интересовали вопросы критических значений скорости нарастания напряжения сток-исток (dV/dt), а также методы замедления переключения. Ответы на эти вопросы удалось получить на вебинаре одного из дистрибьюторов:

После того, как была собрана и отлажена первая итерация преобразователя, я решил провести исследования возможности замедлить процесс переключения. Преобразователь выполнен по полумостовой топологии, мощность 100 Вт, напряжение питания 750В, управление транзисторами сделано по следующей схеме:

При увеличении сопротивления затворных резисторов (R2, R3), измерялись значения длительности фронтов переключения, а также КПД всего преобразователя. Честно говоря, я ожидал, что при затягивании фронтов динамические потери будут расти, а КПД падать. В реальности получилось иначе – изменения КПД были не существенными. Точнее, при измерении с использованием амперметра, встроенного в источник питания разница была не заметна из-за низкого разрешения данного измерителя. Понял свою ошибку и измерил заново уже с использованием более точного амперметра.

В крайних точках получил следующие значения:

Осциллограммы напряжения сток-исток нижнего ключа при затворных резисторах 5,6 Ом:

Осциллограммы напряжения сток-исток нижнего ключа при затворных резисторах 220 Ом:

Зависимость времён переключения от величины затворных резисторов:

Конечно мне было очень интересно, что происходит на затворе при затворном резисторе 330 Ом. Полка Миллера оказалась не такой уж огромной:

Заключение

Напоминаю, что объектом исследования был источник питания мощностью 100 Вт, входное напряжение 200-750 В (постоянное). Выходное напряжение 24В. Топология – полумост. Силовые транзисторы C2M1000170D (карбид кремния).

Итак, самая высокая полученная скорость нарастания напряжения на стоке 18 В/нс, что существенно ниже предельных значений dV/dt 100-150 В/нс.

Важный вывод, который можно сделать из этих исследований – затягивание фронтов переключения карбид-кремниевых транзисторов с помощью увеличения затворных резисторов не особо эффективно. По моему мнению, в реальной разработке можно позволить себе установить затворный резистор 22 Ом, ну, возможно в некоторых случаях 47 Ом. Из результатов исследования видно, что при таких значениях существенного затягивания фронтов не происходит.

Насчёт применения карбид-кремниевых полупроводников — SiC диоды мастхэв в любом PFC (если нет уж совсем жёстких таргетов по цене), что касается транзисторов, я для себя вывел несколько условий, при которых следует их применять:

Источник

Доработка схем светодиодных ламп

Доработка светодиодных лампочек

Сегодняшняя статья – первая в этом году, и первая в Конкурсе статей 2019 года. Но не первая – у её Автора, Алексея Филиппова, который неоднократно публиковался на СамЭлектрик.ру.

На этот раз Алексей расскажет про устройство и электрические схемы светодиодных ламп, и расскажет про 4 простых способа доработки схем светодиодных ламп.

Идеи, изложенные в статье – его собственные. Только идея с уменьшением тока светодиодов не новая, остальное он сам придумал, сам опробовал и применил.

Я лишь буду, как обычно, в цитатах вставлять некоторые комментарии и ссылки.

4 простых доработки светодиодных ламп

Речь пойдёт про современные светодиодные лампочки, которые теперь стали более доступны. Идеи доработки LED ламп, изложенные в статье, пригодятся заядлым самодельщикам. В начале рассмотрим конструкцию, позже доработки.

Современная конструкция ламп получилась в результате эволюции проб конструкторов сделать лампочку доступной и максимально эффективной и сейчас эта конструкция наиболее часто встречается.

Сравнение принципов построения схем светодиодных ламп

Чаще всего встречается неизолированный драйвер, его схему делают на импульсном понижающем преобразователе.

Применение такого драйвера в светодиодной лампочке имеет ряд преимуществ, по сравнению с другими схемами:

Сравнение внешнего вида драйверов светодиодных ламп

Фото платы изолированного драйвера с обратной стороны:

Изолированный драйвер для светодиодов с разделительным трансформатором

Разбираем светодиодную лампочку

Корпус ламп делают из композитного материала, который служит теплоотводом для светодиодов. Разбираются лампочки разных производителей довольно просто. Рассеиватель держится по периметру на защелках и силиконе. Поддеваем ножом и подрезаем герметик по кругу, колпак рассеивателя снимается с некоторым усилием.

Разборка светодиодной лампы

Плата с диодами может быть запрессована или прикручена винтами, контакты могут быть припаяны или съемными. С прикрученной платой всё просто, а вот с запрессованной придётся повозится. Мне обычно удается подковырнуть плату плоской отвёрткой, но каждый раз, у разных производителей это не всегда удаётся совсем без повреждений корпуса, иногда откалывается кусок пластика, который затем можно приклеить обратно, если есть необходимость.

После снятия платы со светодиодами не нужно сразу пытаться извлечь драйвер, это не получится. Будут мешать провода, идущие от цоколя лампы.

Драйвер внутри светодиодной лампы

На заводе сборка происходила в другом порядке, чем мы пытаемся разобрать. Необходимо поддеть и вытащить центральный контакт цоколя лампы, так один вывод освободится, а второй можно отпаять или отрезать от самой платы, а потом при сборке его придётся удлинить.

Смотрим, как устроена LED лампочка

Теперь можно рассмотреть все детали лампы и из чего она устроена. Разработчики ламп заложили определенные характеристики в конструкцию лампы, а именно ток через светодиоды, который обусловлен несколькими требованиям, такими как температурный режим, яркость и мощность потребления, срок службы лампочки и соотношение цены и всех этих характеристик.

Теорию мирового заговора производителей, по которой производители заинтересованы делать не надёжные вещи, мы рассматривать не будем, моё мнение что это миф, всё диктует маркетинг и потребители, а производители делают то что у них заказывают, то что хорошо продаётся, значит всегда ищут середину между надежностью и ценой. В наших реалиях обычно более дешёвые товары выигрывает по продажам, в итоге имеем то что имеем.

Выход из строя лампочки в большинстве случаев происходит из-за обрыва в цепи светодиодов.

Неисправная лампа – на сгоревшем светодиоде, который обрывает цепь, можно видеть черную точку.

При эксплуатации, после включения лампочки, происходит нагрев кристаллов светодиодов и термическое расширение. Токопроводящие выводы от кристаллов делают в виде тонких нитей из золота, так как золото очень пластичный металл и хорошо переносит деформации не разрушаясь. Коэффициент расширения у кристаллов и остальных материалов конструкции светодиода не одинаков, со временем от включений и выключений лампочки, термическая деформация разрушает вывод кристалла светодиода или место его крепления, цепь разрывается и лампа выходит из строя.

К слову, для меньшего воздействия температуры на линейные размеры, хорошее решение делать светодиоды с несколькими более мелкими кристаллами, чем с одним большим такой же общей площади, и за одно это позволяет поднять напряжение питания светодиода при последовательном включении кристаллов внутри одного корпуса светодиода.

Светодиод для лампы с тремя кристаллами, работающими в облегченном режиме

Доработка лампы для увеличения срока службы

Первая доработка заключается в снижении тока через светодиоды, что позволяет значительно продлить срок службы лампы, яркость свечения при этом неизбежно снижается. Снижение яркости при снижении тока через светодиоды происходит не линейно, с некоторым отставанием, так что снижением тока достигается дополнительное повышение КПД светодиода, что в свою очередь еще больше снижает температуру кристаллов, такой доработкой убиваем двух зайцев.

Для наглядности КПД светодиода и потерь в виде тепла, дан график зависимости тока через светодиод и яркости свечения, где показана нелинейная зависимость.

Зависимость яркости светодиода от прямого тока с учетом тепловых потерь

Обычно это легко сделать без схем и даташитов на микросхему драйвера. Нужно найти на плате резистор или пару резисторов включенную в параллель с сопротивлением в несколько Ом – это датчик тока который нас интересует. Такой резистор – датчик тока, есть абсолютно во всех схемах драйверов, как в импульсных, так и в линейных, и везде сопротивление датчика единицы Ом.

Первая переделка схемы драйвера LED лампы

Резистор нужно заменить на резистор бОльшего сопротивления или отпаять один из двух резисторов. Ток через светодиоды снижается пропорционально увеличению сопротивления резистора датчика тока.

Доработка схемы – показан резистор обратной связи

Даже незначительное снижение тока через светодиоды и мощности лампы существенно продлевает срок службы, так как температура самого кристалла светодиода снижается гораздо в большей степени, чем температура наружного корпуса лампы из за теплового сопротивления переходов кристалл-подложка-припой-проводник платы и т.д., и уменьшается тепловое расширение разрушающее место крепления проводника к кристаллу.

Так и с теплом у светодиодов, при одном и том же тепловом сопротивлении, при меньшей мощности на кристалле, тепло лучше передаётся на корпус и в окружающий воздух (меньше “просадка”).

Более дорогие лампы отличаются большим количеством светодиодов на меньшем токе и заниженной мощности, чем у более дешёвых ламп, светоотдача люмен/вт у них больше и режим светодиодов более щадящий. На фото ниже лампочка с заявленной светоотдачей около 108 Лм/вт, тогда как обычно это не более 100 лм/вт.

Светодиодная лампочка с большей светоотдачей

Я обычно занижаю мощность на 20-30%, но делаю это на новой лампе, пока золотые проводники еще крепкие.

Та же лампа, со вскрытой колбой

Делал занижение мощности когда проводил ремонт светодиодной лампы, но тут для надёжного результата нужно снижать ток через светодиоды как минимум на 50%, так как все светодиоды из одной партии и работали в одинаковых условиях, раз один сгорел, то остальные будут один за одним все потихоньку выходить из строя, лампа долго после ремонта не проработает без занижения мощности, если конечно не заменить сразу все диоды на новые, но это не всегда приемлемо.

Плавное увеличение яркости при включении

Вторая доработка позволяет включать лампу плавно, например для применения в спальне.

Для этого нужно включить позистор (терморезистор с положительной температурной зависимостью, или термистор PTC) параллельно всем или большей части светодиодов.

Доработка светодиодной лампы для плавного включения яркости

Работает схема просто: Пока позистор холодный, его сопротивление минимально и ток течет через часть светодиодов и позистор и постепенно разогревает его. По мере прогрева, сопротивление плавно нарастает и плавно включает в цепь остальные светодиоды – яркость плавно нарастает.

Доработка светодиодной лампы позистором

Доработка светодиодной лампы термистором для плавного розжига

Драйвер для последовательно включенных светодиодов, который используется в люстре, и его схему я подробно рассмотрел в статье Почему перестали гореть светодиоды в люстре.

Позистор нужен с холодным сопротивлением 330-470 Ом, его маркировка wmz11a, такие есть в продаже или их можно добыть из энергосберегающей лампы мощностью 32 вт, в менее мощных КЛЛ, позистор с холодным сопротивлением 1 кОм и более, что не очень подходит для нашей доработки, разве что взять их несколько штук и соединить параллельно, но я этот способ не пробовал.

Позистор (терморезистор), который входит в схему КЛЛ

Вариант на Али: https://ru.aliexpress.com/item/MZ8-100R-200R-300R-400R-500R-600R-700R-800R-900R-1-1-2/32906779106.html

Я так доработал 3 лампы в люстре на потолке, мощностью 7Вт (а было 9 вт изначально, мощность занижена для долговечности), и одну лампочку 3Вт в бра. Плавное включение до 100% происходит примерно за 30 сек.

Плавное включение LED лампочки – доработка схемы

Ночник с пониженной яркостью на светодиодной лампочке

Третья доработка заключается в том, чтобы сделать дополнительную функцию – ночник. У меня такая лампа установлена в темном коридоре и это удобно, ночью света достаточно чтобы пройти.

Ночник на переделанной LED лампе

Тут нужно доработать драйвер, убрать резистор который есть на плате драйвера, он нужен в схеме для разрядки выходного фильтрующего конденсатора и допаять резистор 150 кОм мощностью 1 Вт параллельно выводам микросхемы.

Схема доработки светодиодной лампочки для работы в режиме ночника

Резистор на контактах выключателя для переделки схемы LED лампочки

Работает схема так : Образуется делитель напряжения, один из резисторов делителя в выключателе, а второй в лампе. Питание приходит на лампу но с меньшим напряжением благодаря делителю. Для запуска драйвера напряжения недостаточно, ток идет по цепи через резисторы делителя и светодиоды, лампа светится с малой яркостью, которая будет зависеть от сопротивления резисторов.

В некоторых драйверах (не во всех, стоит попробовать в начале без подстроечника) придется поставить подстроечный резистор 100 кОм параллельно керамическому конденсатору фильтра питания микросхемы, чтобы настроить напряжение питания и избежать эффекта мигания лампы в режиме ночника, когда микросхема драйвера пытается стартовать.

Резистор подстроечный для переделки схемы LED лампочки

Подстроечным резистором нужно добиться, чтобы микросхема не стартовала в режиме ночника, а в штатном режиме работала как положено. Мощность потребления ночника с приведенными номиналами резисторов 0,42 вт. Когда выключатель включен, лампа работает как обычно, но мощность лампы становиться выше, чем была раньше, ровно на ту мощность, которая будет рассеиваться на резисторе, припаянном на выводы микросхемы драйвера.

Схема светодиодной лампы с датчиком освещенности

Я уже писал статьи про датчики освещенности (сумеречное реле), которые есть в продаже. Тут про его устройство, а тут его схема.

Схема Светодиодной лампочки с встроенным датчиком освещенности

Схема сумеречного датчика (фотореле) получается энергоэффективной, компактной и дешевой. Потребление в режиме ожидания 0.06 вт.

Гениально по простоте, эффективности и функционалу.

Фоторезистор, обозначенный на схеме LDR применён GL5537, также подходит GL5539, подстроечный резистор любой подходящий, сопротивлением 68-100 кОм.

Схема работает так: фоторезистор включен в схему драйвера параллельно питанию микросхемы, при увеличении освещенности его сопротивление уменьшается и шунтирует питание микросхемы драйвера, позволяя выключать свет, или включать светильник по мере наступления темноты и снижения освещенности. Ток который потребляет микросхема всего 1 мА, это позволяет обойтись без усилителей сигнала. Сопротивления фоторезистора и его мощности рассеивания вполне достаточно для стабильной работы схемы. Одна ножка фоторезистора присоединена к выводу питания микросхемы, которое составляет 17 В, а вторая через подстроечный резистор к выводу с датчика тока.

При подаче питания на микросхему, начинает протекать ток через датчик тока, возникает падение напряжения на датчике тока, возникает положительная обратная связь и обеспечивается гистерезис, повышая стабильность работы. Фильтрующий конденсатор микросхемы драйвера обеспечивает защиту от внешних помех и нежелательных срабатываний при быстрой смене освещенности, например от движущихся теней.

Настройка работы сводится к установке движка подстроечного резистора для желаемой чувствительности срабатывания. Таким способом легко дорабатываются не изолированные драйвера разных производителей на микросхемах с одинаковыми схемами подключения. Было проверено работу схемы на драйверах BP2831, BP2832, BP2833, sic9553, BP9833D, BP2836, и еще с одной микросхемой с неопознанной маркировкой. Аналогичная микросхема CL1501.

У меня выходило делать доработки даже без даташита на микросхему и схемы подключения. Датчик тока легко найти на плате – это резистор сопротивлением несколько Ом, питание микросхемы подается через 2 резистора с сопротивлением сотни кОм (примерно 750К+750К) и обязательно в схеме будет фильтрующий керамический конденсатор, который тоже легко найти.

Было доработано таким сумеречным датчиком 2 светильника, один теперь работает на входе в подъезд дома, его мощность 8 вт, а второй светильник изготовлен с нуля, корпус из банки от косметического крема, его мощность сделал 5 вт, а светодиод использовал 10 вт (китайских 10 Вт :)). Светильник установлен и работает на лестничной клетке. Важно фоторезистор спрятать от света самого светильника. Я расположил его на корпусе светильника и заделал чёрной термоусадочной трубкой, оставив небольшие бортики, чтобы получился колодец для света, иначе светильник будет мигать при попадании на датчик света от светодиодов. Глубины гистерезиса хватает, чтобы отраженный свет от стен не вызывал эффекта мигания.

Самодельный светильник с датчиком освещенности на фоторезисторе

Доработанный светодиодный светильник с датчиком освещенности

Во втором светильнике схему расположил в патроне от КЛЛ, плату и подстроечник приклеил, всё заизолировал каптоновым скотчем, фоторезистор закрепил на корпусе светильника. Получилось универсальное решение, при необходимости можно быстро произвести замену на стандартную лампочку, выкрутить из патрона светильника свой самодельный фотодатчик, а выключатель разомкнуть.

Светильник с выносным датчиком

Сейчас зима, темнеет рано, очень часто приходится вначале пройти по темноте и включить свет, а тогда зайти домой, выходит что мне уже свет не нужен, а с автоматическим датчиком освещённости на много удобнее 🙂

На этом Алексей завершает повествование, и я уверен, он будет рад ответить на все вопросы в комментариях к статье!

Источник