Sot 223 что это

транзисторы полевые импортные ₅₂

IRLL024NTRPBF, транзистор Nкан 55В 3.1А SOT223
Infineon

IRFL110PBF, SOT-223
Vishay

IRFL110PBF (IRFL110TRPBF), Транзистор, N-канал 100В 1.5А [SOT-223]
Vishay

IRFL110TRPBF, SOT-223
Vishay

IRFL214TRPBF, SOT-223
Vishay

IRFL4105PBF, Транзистор, N-канал 55В 3.7А [SOT-223]
Infineon

IRFL4105TRPBF, SOT-223
Infineon

IRFL4310PBF, SOT-223
Infineon

IRFL4310PBF, Транзистор, N-канал 100В 1.6А [SOT-223]
Infineon

IRFL4310TRPBF, SOT-223
Infineon

IRFL9014TRPBF, SOT-223
Vishay

IRFL9110PBF (IRFL9110TRPBF) (FF), Транзистор, P-канал 100В 1.1А [SOT-223] (=IRFL9110PBF)
Vishay

IRFL9110TRPBF, SOT-223
Vishay

IRLL014NPBF, SOT-223
Infineon

IRLL014NTRPBF, SOT-223
Infineon

IRLL024NTRPBF, SOT-223
Infineon

IRLL024NTRPBF, Транзистор, N-канал 55В 3.1А logic [SOT-223]
Infineon

IRLL024ZPBF, SOT-223
Infineon

IRLL024ZTRPBF, Транзистор, MOSFET N-CH Si 55V 5A Automotive [SOT-223]
Infineon

IRLL110PBF (IRLL110TRPBF), Транзистор, N-канал 100В 1.5А logic [SOT-223]
Vishay

IRLL110TRPBF, SOT-223
Vishay

IRLL2705TRPBF, Транзистор N-CH 55V 3.8A [SOT-223]
Infineon

IRLL2705TRPBF, SOT-223
Infineon

IRLL014TRPBF, Транзистор N-CH 60V 2.7A [SOT-223]
Infineon

IRFL4315PBF, SOT-223
Infineon

IRFL110PBF, транзистор Nкан 100В 1.5А логи SOT223
Vishay

IRFL110TRPBF, транзистор Nкан 100В 1.5А логи SOT223
Vishay

IRFL214TRPBF, транзистор Nкан 250В 0.8А SOT223
Vishay

IRFL4105PBF, транзистор Nкан 55В 3.7А SOT223
Infineon

IRFL4105PBF, транзистор Nкан 55В 3.7А SOT223
Vishay

IRFL4105TRPBF, транзистор Nкан 55В 3.7А SOT223
Infineon

IRFL4310PBF, транзистор Nкан 100В 1.6А SOT223
Infineon

IRFL4310TRPBF, транзистор Nкан 100В 1.6А SOT223
Infineon

IRFL4315PBF, транзистор (IRFL110)Nкан 150В 2.6А SOT223
Infineon

IRFL4315TRPBF, транзистор (IRFL110)Nкан 150В 2.6А SOT223
Infineon

IRFL9014TRPBF-NN, транзистор IRFL9014TRPBF незначительная деформация выводов
Vishay

IRLL014NPBF, транзистор Nкан 55В 2.8А logic SOT223
Infineon

Источник

МОП-транзистор в корпусе SOT-223 – оптимальный выбор для источников питания малой мощности

Поместив МОП-транзисторы серии CoolMOS™ P7 в корпус SOT-223, компания Infineon добилась более высокого КПД и снижения общей стоимости готового изделия при одновременном уменьшении габаритов и взаимозаменяемости pin-to-pin с предшествующим корпусом DPAK.

Со всех сторон нас окружают устройства, потребляющие электроэнергию. Все они, включая мобильные телефоны, телевизоры в жилых помещениях, освещение на рабочих местах, нуждаются в электропитании или зарядке аккумуляторов. Спрос диктует требования к вновь разрабатываемым источникам электропитания: в каждом новом поколении они должны иметь больший КПД, меньшие габариты и меньшую стоимость, чем прежде.

Тенденция повышения КПД и удельной мощности при одновременном снижении стоимости и сохранении высоких эксплуатационных характеристик диктует необходимость поиска новых альтернативных решений взамен традиционной схемотехники силовых преобразовательных устройств. Среди многочисленных направлений развития силовой электроники можно выделить те, которые требуют полной переработки проектов и те, которые позволяют внедрить новые решения в серийно выпускаемые изделия. Одной из областей, в которых можно добиться существенного снижения стоимости изделий, является разработка новых типов корпусов высоковольтных высокоомных МОП-транзисторов. Новые типы корпусов позволяют свести к минимуму затраты на разработку или модернизацию изделий и сохранить или даже улучшить тепловые характеристики применяемых технических решений.

МОП-транзистор CoolMOS™ P7 в корпусе SOT-223

В 1999 г. компания Infineon представила МОП-транзистор CoolMOS™, отличавшийся инновационной концепцией структуры стока Superjunction. Преимуществом технологии Superjunction является уменьшение удельного сопротивления и, как следствие, – снижение потерь проводимости. Дополнительным преимуществом МОП-транзисторов CoolMOS™ является уменьшение площади кристалла, что приводит к снижению паразитной емкости и динамических потерь.

МОП-транзисторы CoolMOS™ совершенствовались в течение нескольких поколений, и в 2016 г. была выпущена серия CoolMOS™ CE в корпусе SOT-223. Данный корпус был выбран благодаря тому, что он обеспечивает минимальную стоимость транзистора для применений, оптимизированных по стоимости, обладая при этом тепловыми характеристиками, сопоставимыми с корпусом DPAK, и совместимостью посадочного места.

В настоящее время линейка CoolMOS™ в корпусе SOT-223 расширена и включает в себя МОП-транзисторы серии CoolMOS™ P7, сочетающие преимущества последнего поколения МОП-транзисторов технологии Superjunction с малыми габаритами и минимальной стоимостью корпуса SOT-223. В результате был получен недорогой малогабаритный МОП-транзистор для применения в силовых преобразовательных устройствах малой мощности.

На рисунке 1 показаны габаритные размеры корпусов DPAK и SOT-223. Как видим, расположение выводов корпуса SOT-223 позволяет устанавливать его непосредственно на посадочное место корпуса DPAK. Совместимые установочные размеры позволяют использовать п/п прибор в корпусе SOT-223 для непосредственной замены корпуса DPAK на имеющейся печатной плате. Преимуществом SOT-223 по сравнению с DPAK являются габаритные размеры – на 25% меньшая высота и на 35% меньшая ширина.

Рис. 1. Сравнение габаритных размеров CoolMOS™ в корпусах SOT-223 и DPAK

Наиболее значительное отличие корпуса SOT-223 заключается в отсутствии металлического основания, которое является одним из выводов корпуса DPAK. Данное обстоятельство может создать у разработчиков представление об ограниченных возможностях применения этого корпуса вследствие его тепловых характеристик. Можно предположить, что прямая замена DPAK на SOT-223 возможна только за счет работы при более высоких температурах корпуса или в устройствах с малой величиной потерь. Однако, с учетом некоторых ограничений, результаты испытаний опровергают данное предположение.

Для охлаждения МОП-транзистора, рассеивающего более 250 мВт, необходим дополнительный полигон, соединенный с выводом стока. На рисунке 2 показаны зависимости температуры кристалла от площади полигона в области вывода стока для корпусов DPAK и SOT-223. Температура стандартного корпуса DPAK, установленного на стандартное посадочное место с рекомендуемой площадью полигона, составила 85°C (точка A на рисунке 2). В случае pin-to-pin замены корпуса DPAK на SOT-223 мы наблюдаем повышение температуры кристалла на 4…5°C (точка C на рисунке 2). Если увеличить площадь полигона на 20 мм 2 (то есть – до 60 мм 2 ), температура корпуса SOT-223 снижается до уровня температуры корпуса DPAK (точка D на рисунке 2).

Рис. 2. Результаты моделирования температуры кристалла в зависимости от площади полигона при мощности потерь 250 мВт

Тепловые характеристики, измеренные в реальных условиях эксплуатации

Лучшим способом демонстрации взаимозаменяемости корпусов DPAK и SOT-223 являются испытания в реальных условиях эксплуатации. Для проверки возможности pin-to-pin замены был выбран светодиодный драйвер мощностью 52 Вт (рисунок 3), выполненный на 800-вольтовом МОП-транзисторе CoolMOS™ C3 в корпусе DPAK. Основные технические характеристики светодиодного драйвера приведены в таблице 1.

Рис. 3. Плата светодиодного драйвера, использовавшаяся при испытаниях тепловых характеристик МОП-транзисторов

Таблица 1. Основные технические характеристики светодиодного драйвера

Испытания проводились в типовом корпусе при постоянной температуре окружающей среды 25°C и входном напряжении 230 В. Кроме замены МОП-транзистора, в конструкцию драйвера не вносилось никаких дополнительных изменений. Температура МОП-транзистора измерялась посредством термопары, находящейся в тепловом контакте с его корпусом. Измерение КПД драйвера осуществлялось в трех рабочих точках с помощью следующего оборудования:

На рисунке 4 показаны результаты испытаний. График CoolMOS™ C3 (SPD04N80C3) в исходном варианте изделия показан оранжевым цветом. При его замене на CoolMOS™ P7 в корпусе DPAK (IPD80R1K4P7) повышение КПД при максимальной нагрузке составляет 0,25%, при этом температура CoolMOS™ P7 на 3°C меньше температуры CoolMOS™ C3 (оба транзистора – в корпусе DPAK). При замене CoolMOS™ C3 DPAK на CoolMOS™ P7 в корпусе SOT-223 (IPN80R1K4P7) повышение КПД составило 0,15%, а снижение температуры МОП-транзистора – 1…2°C по сравнению с исходным вариантом CoolMOS™ C3 в корпусе DPAK.

Рис. 4. Результаты измерений КПД драйвера и температуры МОП-транзисторов

Результаты испытаний в реальных условиях эксплуатации наглядно показывают возможность прямой замены корпуса DPAK более миниатюрным корпусом SOT-223. Помимо меньших габаритных размеров, МОП-транзистор в корпусе SOT-223 обеспечивает более высокий КПД и существенное снижение стоимости изделия.

МОП-транзистор CoolMOS™ P7 в корпусе SOT-223

МОП-транзистор CoolMOS™ P7 в корпусе SOT-223 выпускается в трех категориях рабочего напряжения – 600, 700 и 800 В. МОП-транзисторы с рабочим напряжением 600 В могут использоваться в ККМ, обратноходовых источниках питания и резонансных преобразователях LLC полумостовой и мостовой топологий. 700- и 800-вольтовые подходят только для тех топологий, в которых отсутствует жесткая коммутация внутреннего диода, например, для ККМ и обратноходового источника питания. В настоящее время доступна линейка МОП-транзисторов, охватывающая диапазон RDS(on) 360…4500 мОм.

Заключение

Выбор МОП-транзистора, сочетающего в себе высокие эксплуатационные характеристики и привлекательную цену, может оказаться непростой задачей. Зачастую компромиссы могут быть найдены в тех областях, где существуют проблемы с реализацией проектных требований. Например, хорошие тепловые характеристики п/п прибора в корпусе большого размера могут обернуться трудностью его размещения в изделии, учитывая тенденцию миниатюризации электронных устройств. В этом проявляется основное преимущество МОП-транзистора CoolMOS™ P7 в корпусе SOT-223 – высокая энергоэффективность, обеспечиваемая технологией Superjunction, сочетается с малой стоимостью корпуса и возможностью установки его на типовое посадочное место корпуса DPAK, в том числе – простой заменой в серийном изделии.

При использовании полигона минимальной площади (рекомендуемой для корпуса DPAK) тепловые характеристики МОП-транзистора остаются в допустимом диапазоне с учетом допусков, закладываемых обычно в проектные требования. При наличии свободного пространства в корпусе изделия можно увеличить площадь полигона для улучшения тепловых характеристик МОП-транзистора. Дополнительные 20 мм 2 площади полигона позволяют привести тепловой режим МОП-транзистора в корпусе SOT-223 к параметрам исходного варианта в корпусе DPAK.

Благодаря малому уровню паразитных колебаний в цепи затвора МОП-транзисторы CoolMOS™ P7 отличаются простотой использования и возможностью быстрого внедрения в различные проекты, включая силовые каскады ККМ и ШИМ-преобразователей. Высокие показатели качества, в частности – малые кондуктивные и коммутационные потери и сниженные потери драйвера затвора, обеспечивают получение максимально высокого КПД и требуемого теплового режима в источниках питания малой мощности.

Уникальные характеристики простоты использования МОП-транзисторов линейки CoolMOS™ P7 являются результатом тщательно подобранного номинала встроенного резистора затвора. В дополнение к этому, внутренний диод 600-вольтового CoolMOS™ P7 обладает высокой устойчивостью к коммутационным стрессам, что позволяет использовать данную серию МОП-транзисторов в топологиях как с жесткой, так и с мягкой коммутацией (LLC). Значительная часть МОП-транзисторов линейки CoolMOS™ P7 устойчива к электростатическому разряду амплитудой более 2 кВ (HBM), что обеспечивает высокий процент выхода годных изделий при серийном производстве.

Два десятилетия инновационного развития технологии Superjunction привели к созданию МОП-транзистора CoolMOS™ P7, который в настоящее время доступен также в корпусе SOT-223. Благодаря новому типу корпуса разработчики получили МОП-транзистор, сочетающий высокие эксплуатационные характеристики, простоту использования, малую площадь посадочного места и низкую стоимость.

Источник

Так как уважаемые Премодераторы изменили название моего первого опуса на нечто более нейтральное, не буду испытывать терпение и давать название из исторических источников. Русский у меня родной. Поэтому попробую писать по-русски. Опять же, тяжелое советское детство, советская школа…Ага… Но рыба в Каме – была!
Да. Отношение к покупке разновекторное.

Посылку ждал почти месяц. Особо интересующимся могу показать трек и фото посылки. Если Вам это очень интересно. Гадом буду – товар предоставлен за деньги. Без купонов и скидок. Обидно-да? Посылочка – кортончик. Внутри – конвертик с письмом и микросхемочки. Пупырышек нет. Жаль. А я так рассчитывал! Достаю инвалида. Снова проверяю все. Вроде чисто. Теперь – припой на место отпайки и чистить от бессвинцовки оплеткой. Промывка изопропилом, флюс, ставлю джуку и резистор. Теперь – мыть! Так чтобы никто и не видел следов преступления. Сушу, проверяю что получилось. Вроде в норме. Ну, чё? “ Шо згорить, то не зогниє”. Врубаю Дыма нет. Эт – хорошо! Работы, правда, – тоже нет. Смотрю скопом – вспышки как при защите по току. Гуглю:
GIS 165T schematic. Настоящих схем нет. О есть похожее. Качаю. Снова проверяю но уже согласно схеме. Все-ok! (Censored).
Транс. Прикидываю – Частота — 100KHz. Витков 100 – 150. С неполной разборкой — работы на час. Разумная альтернатива – выкинуть все к чертям или искать и заказывать. Снова месяц как минимум. Да ну нафиг! Гляжу на транс. Нда… Транс сделан идеально. Провод имеет дополнительную изоляцию. Пробить такую – разве что при помощи ЭМИ ядерного взрыва. Похоже – джука. Но ежели перепаивать – точно после пары раз угроблю плату.

Итак, все по новой. Оплетка, Снятие джуки. Припаиваю удлинительные провода. Лучше – проверить на работоспособность до того. Для проверки явно радиатор не потребуется. Паяю на провода новую.

Собираюсь с мыслями и врубаю. Вау! Еле слышный свист и дым. Опа! Приплыли! Вот только дым – из другого резистора. Мощного. Резистор идет к реле. И далее. Но – при включении на проце есть 5В. Как оказалось, для ограничения тока заряда конденсаторов используется резистор. Который через секунду-две замыкается релюхой. Все правильно. Ну, а пыль на резисторе успевает задымить. А свист –нормальный режим работы микросхемы. Стабилизация идет при помощи генерации пачек импульсов.
Далее – все более чем элементарно. Отпаиваю провода, снимаю оплеткой припой, флюс и ставлю новую. Ну, и снова — отмывка изопропилом.

Скручиваем, проверяем.

И, самый торжественный момент – выбрасываем сгоревшие детали.

Осталось позвонить другу и под шашлык откушать виски.

Итого. Детали китайца очень оставляют желать лучшего. Где они их берут – неизвестно. Даже маркировка выполнена лазером. Современное полупроводниковое производство в подвале невозможно. Так при ремонте супер-пупер усилителя для компа все заказанные микросхемы не пошли. Похоже и кристаллов не содержали. Только лень было колоть и проверять.
Покупка комплектации в Китае – всегда лотерея. При возможности, лучше купить комплектацию у нормального поставщика. Пусть и дороже. Зато выигрыш – время. А оно дороже денег.

Ну, и по традиции сайта. Своего черного кота mr. Obama я уже, вроде, представлял. Жаль скотину. За что ему такое имя? Он-то в чем виноват? Бегают еще несколько. Столуются. Вася, Хамас, Джонни. Вроде, и кошка прибегает. Надо будет дать имя. Псаки – в самый раз! Но коты вроде как уже всем известны
Поэтому, представляю новое независимое почти домашнее животное. Джука!

Вообще-то у меня с ним возникли принципиальные разногласия. Он считал, что является моим домашним животным, а я- нет. Пришлось прибегнуть к вескому аргументу типа тапок. Да. И дома они вообще-то не водятся. Но в определенный период настойчиво залетают на огонек. И все же они гораздо приятнее чем сколопендра. Эдак, сантиметров пятнадцать. По крайней мере после общения, не надо вызывать скорую (

$200) и ехать в больницу.

PS Надеюсь моя “исповедь на заданную тему” не содержит грубых орфографических ошибок и никого не обидела. Извиняюсь а качество фото. Слямзили нормальный телефон. Бывает. На желающих приобрести оный товар не рассчитываю. Всем привет. И не относитесь ко всему изложенному слишком серьезно.

Источник

SOT23: маркировка, даташит и микросхемы

Первый прибор с пластиковым корпусом, используемый для монтажа на поверхности, SOT23, впервые появился в 1969 году. А 3 года назад компания Nexperia смогла продать около 30 миллиардов устройств. Дело в том, что устройство является инновацией в изготовлении полупроводниковых приборов.

Создание устройства

Разработчики полупроводников часто совмещают взаимоисключающие идеи. Например, задают уменьшенные размеры и увеличенные скорости при жестких требованиях к прочности и стабильности системы, расширяют функционал при минимальных системных изменениях, стараются соблюсти баланс между высоким качеством и наименьшими затратами. Все это сочетается в самом распространенном корпусе транзистора SOT23.

Но мгновенного успеха не бывает. К тому же, поверхностный монтаж был, по большому счету, не актуален до 1990-х годов, когда потребительская электроника стала использоваться повсюду. Именно рассматриваемый корпус в те годы был взят за стандарт 3-выводных корпусов поверхностного монтажа. Сегодня почти всю электронику выпускают именно по этой технологии. Корпуса, которые устанавливают в отверстие, популярны. Чаще всего они применяются в разработке макетов и продукции.

Более современные варианты

Корпус SOT23 оставался внешне неизменным в течение нескольких десятков лет, на самом деле, он серьезно совершенствовался:

Сегодня устройство также развивается. Когда понадобилась более высокая плотность монтажа, появилось много “потомков” устройства. Самые популярные из них — SOT223 и SOT323. Взгляните на какой угодно корпус типа SOT для монтажа на поверхности, и заметите очень много общего с SOT23.

Так как эффективность и качество постоянно должны повышаться, появляются технологические инновации. Они актуальны для выпуска и сборки приборов для монтажа на поверхности — smd. Новые способы и линии производства отвечают постоянно растущему спросу на SOT23 и “дочерние” приборы.

Транзисторы MOSFET в корпусе SOT-23

Фирма IR расширяет номенклатуру MOSFET в разных направлениях. Главным является усовершенствование электро параметров транзисторов, а именно:

Повышается эффективность применения корпусов в готовых устройствах, обеспечиваются высокие удельные показатели тока и передающейся мощности.

Сначала не планировались мощные применения транзисторов в корпусе SOT-23, так как он не может рассеивать больше количество тепла. Но при сильном уменьшении открытого сопротивления ключа появилась возможность серьезно увеличить спектр токов коммутации.

К транзисторам предъявляются следующие требования:

У нового семейства p- и n- канальных транзисторов от IR стандартный корпус имеет очень низкое открытое сопротивление. Оно нужно для использования в зарядках для аккумуляторов, нагрузочных коммутаторах, электрических приводах, телекоммуникации, применения в различных видах приложений.

Чем же транзисторы отличаются от предшественников? Это можно узнать при изучении технологии создания кристаллов для подобных корпусов.

Новые способы создания кристаллов помогли сделать транзистор более эффективным, по сравнению с конкурентами. Если сохраняются прежние размеры кристалла, выходят сниженные значения сопротивлений. В итоге достигаются наилучшие значения температуры для данного корпуса. IR производит транзисторы с корпусами SOT-23 и кристаллами, которые выпускаются по технологии Gen 10.7.

Характеристики современных транзисторов с корпусами SOT-23

Как мы уже указывали, главные преимущества новых устройств с корпусами SOT-23 — это наименьшие значения сопротивлений. Чтобы оценить новые приборы, учитываются лишь 2 показателя.

Канальное сопротивление транзистора сильно связано с напряжением в затворе и допустимой температурой. Это особенно важно для устройств с низким порогом напряжения.

На картинке изображена зависимость сопротивления открытого транзистора от напряжения затвора.

Если сравнить транзистор IRLML6344 с AO3400A, то выяснится, что его рабочая температура меньше, за счет лучшего значения теплового сопротивления.

Обозначения разных величин в корпусе транзисторов SOT-23

В наименовании MOSFET присутствует несколько величин:

Например, вот как обозначается новый транзистор: IRLML6244TRPBF, где:

Логическим уровнем называется состояние транзистора, когда он открыт при невысоком затворном напряжении 2,5 B.

ШИМ-контроллеры SOT23

Замена контроллеров широтно-импульсной модуляции с корпусом SOT23 приводит к сложностям в определении их вида. Наименования устройств, как правило, очень длинные, их не разместить на маленьком корпусе. Поэтому туда наносится не оно, а специальный код.

ШИМ-контроллером называется специальная схема sot23, на которой строится блок питания на импульсах. Когда нагрузочный этого прибора меняется, это приводит к изменению импульсной скважности. Имеются в виду импульсы, которые генерирует микросхема.

Для чего предназначены выводы

Обозначение производится следующим образом:

Когда питание подается ко входу контроллера VCC, за ним следует напряжение с помощью резистора указанного моста. С помощью микросхемы запускается выдача импульсов. В дальнейшем питание подается с помощью выпрямления напряжения на нижней левой обмотке трансформатора импульсного типа.

Генерация на микросхеме происходит с фиксированной частотой. Ее задают значением резистора на RI, либо емкости на СТ.

Напряжение стабилизируется с помощью сопоставления силы тока, который протекает через главный транзистор MOSFET и обратного напряжения. Оценка тока осуществляется с учетом величины снижения напряжения резистора в цепи транзисторного стока, при подключении к выходу SEN.

Обратное напряжение снимают с регулирующегося стабилитрона. Минуя оптопару, он попадает на FB. От величины напряжения на заданных выходах зависит импульсная скважность на OUT. В большей части микросхем есть разные защитные системы, которые предотвращают поломку в нестандартных случаях.

Маркировка SOT-23

Взгляните на таблицы, приведенные ниже. Там присутствует расшифровка кодов для нескольких корпусов.

Во время ремонта электронных устройств инженерам часто бывает трудно определить вид микросхемы в каждом из корпусов. Дело в том, что на заводах из-за маленьких размеров корпусов их специально кодируют. В таблицах есть разные виды микросхем, в частности:

Сборка транзисторов тоже отличается, а вот корпуса — похожи. Взгляните на рисунок — здесь видно, как располагаются выводы 3 видов корпусов.

Маркировочные коды ставят на корпусах. Один из элементов кода может быть отмечен знаком “.” Таким символом может быть заменено любое цифровое или буквенное обозначение. Оно может иметь отношение к номеру производственной серии, дате выпуска, так что периодически меняется.

Есть несколько аналогов, идентичных по распиновке. Они могут заменить оригинал, при этом дорабатывать схему или не нужно, или нужно по-минимуму. Однако ее сравнение с datasheet будет не лишним. Замену может осуществлять только инженер.

SOT-23: аналоги

Согласно функционалу, принцип работы рассматриваемых регуляторов аналогичен микросхемам ШИМ xx384x, устойчивым и надежным.

С заменой или выбором аналогов таких регуляторов часто возникают трудности из-за кодировки при обозначении видов микросхем. К тому же, существует много фирм-производителей элементов, которые не выкладывают документацию в открытый доступ. Дело в том, что не каждый изготовитель приборов предоставляет схемы в сервису по ремонту. Так что ремонтники вынуждены осваивать возможные варианты схем по имеющимся компонентам и монтажу именно на плате.

В практическом применении обычно используются ШИМ-микросхемы с кодировкой EAxxx. Вы не найдете официальных документов к ним, но есть картинки из PDF от System General.

Взгляните на таблицу, по которым можно подобрать аналоги с соответствующей выводной цоколевкой. Они отличаются применением 3-го вывода.

ШИМ-регуляторы (PWM), где по-другому используется вывод 3, таблица:

При применении всех указанных ШИМ, присмотритесь к выводу 3. С его помощью можно обеспечить тепловую защиту и избежать увеличения напряжения на входе. Допускается фиксированная или регулируемая конденсатором частота.

Как собрать корпус SOT23 собственноручно

Приготовьте 3 куска монтажного провода подходящей длины, желательно, МГТФ. Из них получатся выводы корпуса.

Для защиты сделайте небольшую зачистку на пару миллиметров со стороны, которая припаивается к корпусу.

Замкните концы кусочков провода на участке, который впаивают в плату и зафиксируйте, чтобы уравнять потенциалы.

С помощью тонкого пинцета сделайте из пластика корпус, и зажмите его так:

Наденьте на паяльник так называемое игольчатое жало, оно, как правило, есть в паяльных станциях.

Установите на станции минимальную температуру, чтобы паять только припой. Ее можно определить только экспериментально.

Возьмите кусок провода в одну руку, паяльник — в другую. Можно паять стандартным припоем из свинца. Ни в коем случае нельзя перегревать контакты корпуса, а контакты паяльника — распаяйте и подпаяйте провода для выводов. Они должны быть уложены в виду пучка.

Припаивайте провода в определенном порядке, начиная с истока, и заканчивая затвором.

Не прикасайтесь к корпусу руками, трогать можно только паяльник и провода. При необходимости поправьте с помощью пинцета положение корпуса.

Готово! Вы не просто собрали корпус, а теперь он выводной. Его можно использовать, как все остальные транзисторы МОП.

На AliExpress очень большой выбор транзисторов в корпусе SOT-23, можете по ссылке перейти и выбрать для себя нужный.

Источник