Spd write protection что это

Thread: DRAM SPD write option

Thread Tools

Search Thread

Display

DRAM SPD write option

Can a good soul let me know how to get dram spd write access in the bios of the rampage VI extreme, trying to run thaiphoon to fix gskill rgb ram, but write capability must be enabled via the bios setup, I could not find that option so far.

ROG Guru: Black Belt Array Korth PC Specs

Join Date Mar 2015 Reputation 152 Posts 2,718

Exactly what are you trying to «fix»?

I doubt any RGB-specific data is encoded within the SPD.

And flashing your own values into the SPD EEPROM only changes what the DIMMs report to firmware, it can’t and won’t actually make the DDR4 silicon itself capable of running any faster. The SPD (and EPP/XMP) profiles are only «autodetect» defaults anyhow, the user can override them through system firmware and software.

The best way to muck around with SPD EEPROM would be through a simpler mainboard with dumber firmware which allows «direct» SMBus access. A complex overclocky motherboard like the ROG R6E is probably packed full of always-active «smart» UEFI firmcode which complicates or undermines attempts to reflash component-level EEPROMs.

nothing like it, like many I do have gskill rgb ram module that seems dead but are not due to some conflict between different rgb controlling software, with dram spd write enabled I can fix it. my question was about how to enable dram spd write in the bios on the rampage vi extreme, nothing else.
thanks for the message though.

ROG Guru: Black Belt Array Korth PC Specs

Join Date Mar 2015 Reputation 152 Posts 2,718

The free/demo version of Thaiphoon Burner software cannot Write SPDs, only the purchased versions can.
I’ve used free RWE software for writing SPDs before, I think it would work for this purpose although I’m not certain.

Источник

Хакаем DDR3 SPD

Я проапгрейдил старый ноутбук двумя модулями памяти 4GB DDR3-1333, но оказалось, что ноутбук совместим максимум с DDR3-1066. Что сделает настоящий мужчина? Конечно же, перепрошьёт EEPROM для ребиннинга DDR3 на более медленную модель!

Рабочее место. Справа Thinkpad для проведения перепрошивки, а слева проблемный MacBook Pro

Будьте очень осторожны. Очевидно, что вы можете повредить или навсегда заблокировать запись на свой DIMM. Возможные более тонкие неполадки, в том числе сбой логической схемы батареи, или материнская плата превратится в кирпич.

Как всё началось

У меня 13-дюймовый MacBook Pro середины 2010 года. Его файловая система была повреждена при обычной перезагрузке, и дисковая утилита (из раздела восстановления) ничего не могла с этим поделать. Ну, я давно этого ждал: пришло время поставить SSD и добавить немного оперативной памяти.

Я купил SSD и мне повезло найти в горе электронного мусора пару сломанных ноутбуков с подходящими модулями оперативной памяти. Вставляем SSD и два модуля по 4 ГБ, запускаем Internet Recovery — и через час у нас должна быть рабочая система. Но нет. Загрузка просто зависает. Из-за чего? Наибольшее подозрение вызывают эти модули RAM, в конце концов, они же из мусора. Поэтому делаем то, что сделал бы любой: создаём USB-флэшку с memtest86 и запускаем её на ночь. Отлично, память в порядке. После многих часов с пробами разных методов установки для разных версий macOS наконец приходит открытие, что всё работает отлично, если просто вставить обратно старую память. 1

Истинная причина

Истинной причиной сбоя является интегрированный графический процессор GeForce 320M, который использует общую память, то есть обычную RAM. Он может работать максимум с PC3-8500 (aka DDR3-1066, то есть с тактовой частотой DRAM 533 МГц), но контроллер системной памяти не знает об этом и повышает максимальную доступную скорость до 667 МГц (т.е. PC3-10600 aka DDR3-1333). У остальных компонентов нет проблем с этим, как и у GPU в режиме VESA (я думаю).

Я не слышал ни о каком другом оборудовании, которое отказывает в работе оперативной памяти, способной к более высоким скоростям, чем оборудование может использовать. Конечно, при покупке модулей памяти на рынке продавцы предупредили бы об этом нюансе. Это всё равно намного лучше, чем припаянная оперативка, как в ноутбуках Apple с 2012 года.

Настройка прошивки

Разобравшись с причиной, я установил один оригинальный модуль PC3-8500 на 2 ГБ и один новый модуль 4 ГБ, и всё заработало. Но ребиннинг DDR3 казался хорошим проектом, поэтому я решил попробовать.

Конечно, я не собираюсь устанавливать Windows только для прошивки EEPROM и не собираюсь покупать причудливое программное обеспечение, если всё можно сделать вручную. Я думал, что задача явно должна выполняться в Linux, возможно, с некоторыми дополнительными инструментами. Я также не хотел устанавливать Linux на макбук только для этого. Поэтому мой старый надёжный Thinkpad X220 с NixOS стал идеальной площадкой для работ. Потребовалось немного времени для его обновления, потому что я не загружал машину год или около того.

Затем наступил черёд выбрать, какой модуль попробовать первым. У Thinkpad уже было два по 4 ГБ, и я нашел четыре модуля 4 ГБ, поэтому мне было из чего выбрать. Я решил начать с самого странного, производства Micron. Все остальные были Samsung. У одного была наклейка Lenovo.

Чтение SPD

Модули памяти поставляются с микросхемой EEPROM, которая содержит метаданные о модуле Serial Presence Detect (SPD). Сам формат простой, а доступ к EEPROM можно организовать через шину SMBus, которая по сути не отличается от I²C. 2

К счастью, для взаимодействия с SMBus и даже чтения EEPROM DDR3 есть драйверы ядра и готовое программное обеспечение.

Во-первых, для просмотра устройств на шине нужны i2c-tools и некоторые модули ядра.

Вот часть выдачи для одного модуля памяти:

Довольно много данных. Часть показанной информации вычисляется из данных. Например, тайминги на стандартных скоростях (т.е. отсчёты цикла) вычисляются на основе параметров тайминга в наносекундном разрешении. Даже они сохранены как величины, кратные блоку развёртки (time base unit), установленному в другом месте на EEPROM, но это не относится к теме статьи. Данный модуль RAM выдаёт 7-7-7-20 на DDR3-1066, что соответствует стандарту DDR3-1066F JEDEC. Не спрашивайте меня, что такое JEDEC, но он быстрее, чем самый дешёвый DDR3-1066G.

Я потратил много времени на подтверждение моего вывода: при попытке ребиннинга памяти единственное важное число — это минимальное время цикла (tCK). Здесь это 1,5 нс, т.е. 667 МГц.

Давайте посмотрим на исходные данные.

Планирование изменений

Чтобы опуститься до DDR3-1066, нам нужно 533 МГц, что составляет 1,875 нс или 15 MTB, или 0x0f. То есть мы хотим написать 0x0f по адресу 0x0c.

Поэтому нужно записать новое минимальное время цикла (0x0f) по адресу 0x0c и новую контрольную сумму в 0x7e как слово.

Запись SPD

Ошибка. Погодите, что?

Будучи педантичным парнем, я начал изучать исходники i2cset, а также соответствующих модулей ядра. В какой-то момент я понял, что это может быть вызвано защитой от записи.

Я взял следующий модуль, и там не было никакого сообщения об ошибке. EEPROM просто не изменился.

Наконец-то, успех!

С третьим модулем наконец-то операция получилась. Я рассчитал CRC и записал его вместе с временем цикла. После загрузки модуля ядра eeprom и запуска decode-dimms модуль выглядел как обычный 4GB PC3-8500. Когда я установил его в MacBook Pro, у меня, наконец, загрузилась система с памятью 8 ГБ.

DDR3 SODIMM после ребиннинга готов к работе в MacBook Pro

До: оригинальный DDR3-1333

После: выглядит как DDR3-1066

Если сразу не видите разницу, то вы не копались в этих свалках так долго, как я.

Свои мысли

Стоит этим заниматься? Финансово, конечно, нет!

Но это было весело и я многому научился. Понятия не имею, где именно можно применить эти знания, но я чувствую, что в определённый момент они понадобятся. И просто само ощущение, что вы можете правильно решить задачу, действительно приятно и даёт уверенность.

1. Моё предположение, что RAM будет работает на данном оборудовании, если оно проходит memtest86, было очевидно неправильным. Тем не менее, даже оглядываясь назад, предположение не кажется глупым. По опыту, не так уж редко встречается странная комбинация аппаратного обеспечения, из-за которой падает стандартный тест. ↑

2. Я недавно я узнал об использовании I²C в другом проекте. Думаю, что смогу считывать и записывать EEPROM на микроконтроллере Cortex-M с помощью собственной программы, но на практике пайка разъёма будет очень сложной, и написание кода — слишком большая работа, чтобы я этим заинтересовался. Тем не менее, я действительно счастлив, что теоретически способен на такое! ↑

Источник

Spd write protection что это

Давайте попробуем произвести настройки северного моста чипсета, который обеспечивает работу быстродействующих компонентов системы: процессора, кэш-памяти, оперативной памяти и видеосистемы. Обычно эти параметры собраны в разделе Advanced Chipset Features, а в версиях BIOS с горизонтальной строкой меню — в меню Advanced или аналогичном.

В некоторых системных платах производства Gigabyte часть настроек чипсета скрыты, и для получения доступа к ним следует нажать клавиши Ctrl+Fl после входа в BIOS Setup.

Оперативная память — один из важнейших компонентов системы, оказывающих заметное влияние на скорость и стабильность работы компьютера. Модули памяти работают по сложным алгоритмам и требуют правильно устанавливать значения рабочих частот и различных временных интервалов. Для обычного (не разогнанного) режима работы системы нет необходимости заниматься наладкой памяти вручную, поскольку в современных модулях памяти все необходимые параметры устанавливаются автоматически. С помощью настройки BIOS вы можете отключить автоматическую наладку и задавать все параметры вручную. При этом можно повысить производительность системы, правда, вам придется взять на себя всю ответственность за стабильность ее работы.

В большинстве компьютеров используется память SDRAM, DDR или DDR2/3. Память стандарта EDO и FPM, выполненная в виде модулей SIMM, является устаревшей и не будем ею засорять себе мозг.

Настройка BIOS, оперативная память, тайминги оперативной памяти.

Оперативная память работает по управляющим сигналам от контроллера памяти, который расположен в северном мосту чипсета (Intel) или непосредственно в процессоре (Athlon 64/FX/X2 и Phenom). Чтобы обратиться к определенной ячейке памяти, контроллер вырабатывает последовательность сигналов с некоторыми задержками между ними. Задержки необходимы, чтобы модуль памяти успел выполнить текущую команду и подготовиться к следующей. Эти задержки называют таймингами и обычно измеряют в тактах шины памяти.

Если тайминги будут слишком большими, то чип памяти выполнит все необходимые действия и будет некоторое время простаивать, ожидая следующую команду. В этом случае память работает медленнее, но стабильнее. Если тайминги излишне маленькие, модуль памяти не сможет корректно выполнить свои задачи, в результате чего произойдет сбой в работе программы или всей операционной системы. Иногда при таких таймингах компьютер может вообще не загрузиться, тогда придется обнулять с помощью перемычки на системной плате.

У каждого модуля памяти свои значения таймингов, при которых производитель гарантирует быструю и стабильную работу памяти. Эти значения записаны в специальном чипе под названием SPD (Serial Presence Detect). Используя информацию SPD, BIOS может автоматически конфигурировать любой модуль памяти из числа тех, которые поддерживаются чипсетом системной платы.

Большинство версий BIOS позволяет отказаться от использования SPD и настроить память вручную. Можно попытаться снизить значения таймингов, чтобы ускорить работу памяти, но после этого следует тщательно протестировать систему.

Для современных модулей памяти SDRAM и DDR выделяют четыре основных тайминга и один параметр работы контроллера памяти. Для понимания их сути кратко рассмотрим работу контроллера памяти.

1. Цикл доступа к определенной ячейке памяти начинается с того, что контроллер устанавливает низкий уровень сигнала выборки строки RAS# (Row Address Strobe) и выставляет адрес строки на линиях адреса. При поступлении этой команды модуль памяти начинает процесс открытия строки, адрес которой был передан по адресным линиям.

2. Через определенный промежуток времени, необходимый, чтобы открыть выбранную строку, контроллер памяти устанавливает низкий уровень сигнала выборки столбца CAS# (Column Address Strobe). На линиях адреса уже будет установлен адрес столбца, который нужно открыть.

3. Через некоторое время после подачи сигнала CAS# модуль памяти начнет передачу запрошенных данных.

4. Для закрытия строки контроллер памяти отключает сигналы RAS# и CAS#, установив на соответствующих выводах высокий уровень. После этого начинается подзарядка закрываемой строки, но при этом может завершаться передача пакета с данными.

5. Если нужно прочитать данные из другой строки, новый сигнал выборки строки (RAS#) может быть подан только через некоторое время после закрытия предыдущей строки, которое необходимо для подзарядки закрываемой строки.

В соответствии с приведенным выше упрощенным описанием выделяют следующие тайминги (в порядке их значимости):

□ tCL, или CAS# Latency — задержка между подачей сигнала выборки столбца CAS# и началом передачи данных, то есть между этапами 2 и 3;

□ tRCD, или RAS# to CAS# delay — задержка между сигналом выборки строки RAS# и сигналом выборки столбца CAS# (этапы 1 и 2);

□ tRP, или RAS# Precharge — задержка для подзарядки строки после ее закрытия (этапы 4 и 5);

□ tRAS, или Active to Precharge Delay — минимальное время между командами открытия строки и ее закрытия (этапы 1-4);

□ CR, или Command Rate — дополнительный параметр, указывающий количество тактов для передачи команды от контроллера к памяти. Оказывает существенное влияние на производительность современных модулей памяти и может принимать значение 1 или 2 такта.

При указании характеристик модуля памяти тайминга обычно указывают по следующей схеме: tCL-tRCD-tRP-tRAS-CR, например модуль памяти Kingston, 1GB DDR2 РС2-5300 имеет тайминга в штатном режиме 4-4-4-12-1Т. Параметр Command Rate (CR) может не указываться, и тогда тайминги будут записываться последовательностью из четырех чисел (4-4-4-12). Если посчитать количество импульсов тактового генератора между основными этапами работы контроллера, то можно получить схему таймингов 2-3-3-7, что характерно для памяти DDR.

Для справки:

DRAM Timing Selectable, Timing Mode

Это основной параметр для настройки оперативной памяти, с помощью которого выбирается ручной или автоматический режим.

Возможные значения:

1. By SPD (Auto) — параметры модулей памяти устанавливаются автоматически с помощью данных из чипа SPD; это значение по умолчанию, и без особой необходимости менять его не следует;

2. Manual — параметры модулей памяти устанавливаются вручную. При выборе этого значения можно изменять установки рабочих частот и таймингов памяти. Ручная настройка оперативной памяти позволяет ускорить ее работу, но при этом в системе могут быть сбои.

Configure DRAM Timing by SPD, Memory Timing by SPD

Смысл этих параметров полностью аналогичен рассмотренному выше DRAM Timing

Selectable, а возможные значения будут такими:

1. Enabled (On) — параметры оперативной памяти устанавливаются автоматически в соответствии с данными SPD;

2. Disabled (Off) — оперативная память настраивается вручную.

Memory Frequency, DRAM Frequency, Memclock Index Value, Max Memclock

Параметр отображает или устанавливает частоту работы оперативной памяти. Эта частота в большинстве случаев задается автоматически в соответствии с информацией из SPD. Настраивая вручную, можно заставить память ускориться, однако далеко не каждый модуль при этом будет работать стабильно.

Возможные значения:

1. Auto — частота оперативной памяти устанавливается автоматически в соответствии с данными SPD (по умолчанию);

2. 100,120,133 (РС100, РС133) — возможные значения для памяти SDRAM;

3. 200, 266, 333, 400, 533 (DDR266, DDR333, DDR400, DDR533) — возможные значения для памяти DDR;

4. DDR2-400,DDR2-566, DDR2-667, DDR2-800, DDR2-889, DDR2-1067 — значения для памяти DDR2.

В зависимости от используемого чипсета список доступных значений может отличаться от приведенного, в нем будут указаны только те частоты, которые поддерживаются платой.

В некоторых платах рассматриваемый параметр доступен только для чтения, а для изменения частоты памяти следует использовать рассмотренный далее параметр FSB/Memory Ratio. В системных платах производства ASRock для ручной настройки памяти следует отключить параметр Flexibility Option.

FSB/Memory Ratio, System Memory Multiplier

Параметр определяет соотношение (множитель) между частотой FSB и частотой памяти. Данный параметр может использоваться вместо рассмотренного выше параметра Memory Frequency для установки частоты работы оперативной памяти.

Возможные значения:

1. Auto — соотношение между частотой FSB и памяти настраивается автоматически в соответствии с данными SPD;

2. 1:1; 1:1, 2; 1:1, 5; 1:1, 66; 1:2, 3:2; 5:4 — выбор одного из этих значений позволит вручную установить соотношение между частотами FSB и памяти. Для расчета частоты памяти следует учитывать, что частота FSB может указываться с учетом четырехкратного умножения (эффективное значение), а частота DDR — с учетом двукратного. Например, при эффективной частоте FSB 1066 МГц и множителе 1:1,5 результирующая частота памяти будет равна (1066:4) х 1,5 х 2 — 800 МГц. В зависимости от модели платы набор соотношений может несколько отличаться от приведенного выше;

3. 2, 00; 2, 50; 2, 66; 3, 00; 3, 33; 4,00 — при наличии подобного ряда частота памяти вычисляется умножением реальной частоты FSB на выбранный коэффициент;

4. Sync Mode — память работает синхронно с частотой FSB.

CAS# Latency, tCL, DRAM CAS# Latency

Параметр устанавливает задержки между подачей сигнала выборки столбца CAS# и началом передачи данных. Эта задержка необходима, чтобы модуль памяти мог сформировать для передачи содержимое запрошенной ячейки памяти. Ручная установка низких значений CAS# Latency увеличивает скорость работы модуля, то есть разгоняет его.

Возможные значения:

1. 1, 5; 2; 2, 5; 3 — для памяти DDR. Меньшие значения соответствует более быстрой работе памяти, однако не все модули могут работать при таких значениях;

2. 3; 4; 5; 6 — для памяти DDR2. Как и в случае с DDR, ускорение памяти достигается уменьшением значения tCL.

В некоторых версиях BIOS к числовому значению таймингов добавляется единица измерения, например 5Т (5 DRAM Clocks).

tRCD, RAS# to CAS# delay, DRAM RAS-to-CAS Delay

Параметр изменяет время задержки между сигналом выборки строки RAS# и сигналом выборки столбца CAS#. Эта задержка необходима, чтобы модуль памяти успел определить и активизировать требуемую строку. Чем меньше значение tRCD, тем быстрее доступ к ячейке, однако, как и в случае CAS Latency, слишком низкие значения могут привести к нестабильной работе памяти.

Возможные значения — от 1 до 7 тактов. Они определяют время задержки между сигналами CAS# и RAS#. Чем меньше значение tRCD, тем быстрее доступ к ячейке, однако, как и в случае CAS Latency, слишком низкие значения могут привести к нестабильной работе памяти.
Настройка BIOS, tRP, DRAM RAS# Precharge, RAS Precharge, SDRAM RAS Precharge, Row Precharge Time

Параметр задает минимально допустимое время, чтобы подзарядить строку после ее закрытия. Другими словами, он определяет паузу между закрытием одной строки и открытием другой с помощью нового сигнала RAS#. При меньших значениях этого параметра память работает быстрее, но слишком низкие могут привести к нестабильной работе памяти.

Возможные значения — от 1 до 7 тактов. Они означают минимальное время в тактах для подзарядки строки и формирования нового сигнала RAS.

tRAS, Active to Precharge Delay, DRAM RAS# Activate to Precharge, Min RAS# Active Time

Параметр устанавливает минимальное время между командой активизации строки и командой закрытия, то есть такое время, в течение которого строка может быть открыта. Слишком высокое значение этого параметра немного снижает производительность, поскольку на закрытие ячейки тратится лишнее время. Чтобы увеличить производительность, попробуйте установить минимальное значение tRAS или же подберите его экспериментально. По имеющимся из разных источников сведениям, параметр tRAS на общую производительность памяти влияет не очень существенно, а оптимальный вариант зависит от типа чипсета.

Возможные значения — от 3 до 18 тактов. Они определяют требуемое время задержки.

DRAM Command Rate, IT/ 2T Memory Timing

Параметр устанавливает задержку при передаче команд от контроллера к памяти. Возможные значения:

1. 2т (2т Command) — величина задержки равна двум тактам; обычно устанавливается по умолчанию и соответствует меньшей скорости, но большей надежности работы памяти;

2. IT (IT Command) — установка задержки в один такт, иногда это позволяет увеличить скорость оперативной памяти. Возможность нормальной работы памяти при таком значении сильно зависит от чипсета и модуля памяти и требует порой экспериментальной проверки. Не рекомендуется устанавливать 1Т при работе памяти на повышенных тактовых частотах или при одновременном использовании нескольких модулей памяти.

2Т Command

Параметр полностью аналогичен рассмотренному выше DRAM Command Rate, но имеет следующие значения:

1. Auto — задержка команд устанавливается в соответствии с данными SPD;

2. Enabled — установлена задержка в 2 такта;

3. Disabled — установлена задержка в 1 такт.
Дополнительные тайминги памяти

Как уже отмечалось, в некоторых системных платах имеются расширенные возможности для настройки памяти и количество доступных таймингов может достигать десятка, а иногда и двух десятков. Дополнительные тайминги оказывают меньшее влияние на производительность, чем рассмотренные выше основные тайминги, поэтому их в большинстве случаев следует оставить по умолчанию. Если же у вас есть время и желание экспериментировать, вы можете несколько повысить производительность системы памяти с их помощью.

Кратко рассмотрим значение дополнительных таймингов.

□ tRRD (RAS to RAS Delay) — задержка между активизацией строк разных банков.

□ tRC (Row Cycle Time), Row Active Time, Raw Pulse Width — длительность цикла строки памяти. Полный цикл состоит из времени от начала активизации строки до ее закрытия (tRAS) и задержки для формирования нового сигнала RAS# (tRP), то есть tRC = tRAS + tRP.

□ tWR (Write Recovery Time) — задержка между завершением операции записи и началом предзаряда.

□ tWTR (Write to Read Delay) — задержка между завершением операции записи и началом операции чтения.

□ tRTP (Precharge Time) — интервал между командами чтения и предварительного заряда.

□ tREF (Refresh period) — частота обновления памяти. Может устанавливаться в тактах или микросекундах.

□ tRFC (ROW Refresh Cycle Time) — минимальное время между командой обновления строки (Refresh) и командой активизации или другой командой обновления. В некоторых версиях BIOS имеется возможность установки данного тайминга для каждого модуля памяти, а параметры будут называться соответственно Trfс 0/½/3 for DIMM 0/½/3.

Важно:

Неудачное изменение любого из таймингов памяти может привести к нестабильной работе компьютера, поэтому при первом же сбое следует установить тайминги по умолчанию.
Bank Interleave

Параметр задает режим чередования при обращении к банкам памяти. В таком режиме регенерация одного банка выполняется в то же время, когда процессор работает с другим банком. Модули памяти объемом 64 Мбайт и более обычно состоят из четырех банков, и включение этого параметра ускоряет работу памяти.

Возможные значения:

1. Auto — режим чередования настраивается автоматически;

2. 2 Way, 4 Way — одно из этих значений устанавливает двух-или четырехбан- ковый режим чередования; рекомендуется использовать 4 Way как обеспечивающий наибольшую производительность, 2 Way может понадобиться, если в системе только один двухбанковый модуль памяти;

3. Disable — режим чередования отключен, что снизит пропускную способность памяти.

DRAM Burst Length, Burst Length

Параметр устанавливает размер пакета данных при чтении из оперативной памяти.

Возможные значения — 4, 8. Они определяют длину пакета данных. При 8 теоретически должна обеспечиваться большая производительность памяти, но практика показывает, что разница копеечная.

Источник