Voltage vid что это
Разгон процессоров AMD и Intel: руководство Hardwareluxx
Страница 11: 990FX: значения напряжений
Если вы будете разгонять процессор «Vishera», то в UEFI/BIOS получите набор разных параметров. Хотя по сравнению с платформой Intel их не так много. Ниже мы привели наиболее важные из них.
Напряжения «Vishera»
Напряжение процессорного ядра – отличается от одного CPU к другому в зависимости от VID/качества процессора. На это напряжение следует обращать внимание большинству оверклокеров.
Напряжение северного моста в CPU (не следует путать с напряжением чипсета); данная часть CPU работает в собственном домене частоты и напряжения. Частота CPU-NB определяет скорость работы контроллера памяти и кэша L3. Компонент CPU-NB довольно существенно влияет на общую производительность системы. На высоких частотах рекомендуется поднимать напряжение CPU-NB для повышения стабильности системы.
Большинство материнских плат позволяют задать напряжение смещения, позволяющее увеличить напряжение выше диапазона напряжений CPU VID. Напряжение смещения добавляется к значению VID, оно может повлиять на разгон как с положительной, так и с отрицательной стороны. Фактическое напряжение рассчитывается следующим образом: CPU Voltage + Offset. Пример: VID 1,350 В + смещение 0,100 В = 1,45 В фактическое напряжение.
Напряжение чипсета. При разгоне через увеличение множителя повышать не требуется.
Если вы хотите разогнать процессор AMD ещё и через интерфейс HT, то может потребоваться увеличение данного напряжения.
Напряжение памяти. Зависит от используемых планок памяти.
LLC/Loadline Calibration:
Предотвращает эффект Vdroop (падение напряжения под нагрузкой). К сожалению, эта настройка встречается далеко не у каждой материнской платы AMD.
core vid что это
Название опции:
CPU VID
Описание:
Данная опция отображает или номинальное напряжение питания ядра процессора в вольтах, или числовой идентификатор этого напряжения (VID — Voltage IDentification).
Номинальное напряжение питания ядра процессора зависит от типа и модификации центрального процессора. Более того, даже два процессора одной модели, работающие на одной и той же частоте, могут иметь разные номинальные напряжения питания ядра. Штатное значение можно уточнить на упаковке процессора, его отображают многие информационные утилиты. Оно как раз и задается идентификатором VID.
К сожалению, однозначно сопоставить числовой идентификатор и напряжение питания ядра процессора не так просто: необходимо обратится к документации на данное семейство процессоров.
Опция CPU VID отображает информацию о текущем напряжении питания ядра процессора или идентификатор напряжения питания ядра процессора (а идентификатор напряжения питания ядра процессора в свою очередь содержит информацию о напряжении питания ядра ЦП).
Страница 11: 990FX: значения напряжений
Если вы будете разгонять процессор «Vishera», то в UEFI/BIOS получите набор разных параметров. Хотя по сравнению с платформой Intel их не так много. Ниже мы привели наиболее важные из них.
Напряжения «Vishera»
Напряжение процессорного ядра – отличается от одного CPU к другому в зависимости от VID/качества процессора. На это напряжение следует обращать внимание большинству оверклокеров.
Напряжение северного моста в CPU (не следует путать с напряжением чипсета); данная часть CPU работает в собственном домене частоты и напряжения. Частота CPU-NB определяет скорость работы контроллера памяти и кэша L3. Компонент CPU-NB довольно существенно влияет на общую производительность системы. На высоких частотах рекомендуется поднимать напряжение CPU-NB для повышения стабильности системы.
Большинство материнских плат позволяют задать напряжение смещения, позволяющее увеличить напряжение выше диапазона напряжений CPU V >
Напряжение чипсета. При разгоне через увеличение множителя повышать не требуется.
Если вы хотите разогнать процессор AMD ещё и через интерфейс HT, то может потребоваться увеличение данного напряжения.
Напряжение памяти. Зависит от используемых планок памяти.
Штатное | Максимальное |
---|---|
1,5 — 1,65 В | 1,75 В |
LLC/Loadline Calibration:
Предотвращает эффект Vdroop (падение напряжения под нагрузкой). К сожалению, эта настройка встречается далеко не у каждой материнской платы AMD.
Этот FAQ содержит информацию по процессорам intel эпохи Core. Рекомендуется к прочтению новичкам, дабы ориентироваться в терминологии. Материал содержит большой объем информации собранной из разных источников, поэтому просьба в случае обнаружения неточностей и ошибок сообщить о них автору данного FAQ alex1974.
Расширение системы команд
MMX (Multimedia Extensions — мультимедийные расширения) — коммерческое название дополнительного набора инструкций, выполняющих характерные для процессов кодирования/декодирования потоковых ау.
Этот FAQ содержит информацию по процессорам intel эпохи Core. Рекомендуется к прочтению новичкам, дабы ориентироваться в терминологии. Материал содержит большой объем информации собранной из разных источников, поэтому просьба в случае обнаружения неточностей и ошибок сообщить о них автору данного FAQ alex1974.
Расширение системы команд
MMX (Multimedia Extensions — мультимедийные расширения) — коммерческое название дополнительного набора инструкций, выполняющих характерные для процессов кодирования/декодирования потоковых аудио/видео данных действия за одну машинную инструкцию. Впервые появился в процессорах Pentium MMX.
SSE (Streaming SIMD Extensions, потоковое SIMD-расширение процессора) — это SIMD (Single Instruction, Multiple Data, Одна инструкция — множество данных) набор инструкций, разработанный Intel и впервые представленный в процессорах серии Pentium III как ответ на аналогичный набор инструкций 3DNow! от AMD, который был представлен годом раньше. Первоначально названием этих инструкций было KNI — Katmai New Instructions (Katmai — название первой версии ядра процессора Pentium III).
Технология SSE позволяла преодолеть 2 основные проблемы MMX — при использовании MMX невозможно было одновременно использовать инструкции сопроцессора, так как его регистры были общими с регистрами MMX, и возможность MMX работать только с целыми числами.
SSE включает в архитектуру процессора восемь 128-битных регистров и набор инструкций, работающих со скалярными и упакованными типами данных.
Преимущество в производительности достигается в том случае, когда необходимо произвести одну и ту же последовательность действий над разными данными. В таком случае блоком SSE осуществляется распараллеливание вычислительного процесса между данными.
SSE2 (Streaming SIMD Extensions 2, потоковое SIMD-расширение процессора) — это SIMD (Single Instruction, Multiple Data, Одна инструкция — множество данных) набор инструкций, разработанный Intel и впервые представленный в процессорах серии Pentium 4. SSE2 расширяет набор инструкций SSE с целью полностью вытеснить MMX. Набор SSE2 добавил 144 новые команды к SSE, в котором было только 70 команд.
SSSE3 (Supplemental Streaming SIMD Extension 3) — это обозначение данное Intel’ом четвёртому расширению системы команд. Предыдущее имело обозначение SSE3 и Intel добавил ещё один символ ‘S’ вместо того, чтобы увеличить номер расширения, возможно потому, что они посчитали SSSE3 простым дополнением к SSE3. Также их называли кодовыми именами Tejas New Instructions (TNI) и Merom New Instructions (MNI) по названию процессоров, где впервые Intel намеревалась поддержать эти новые команды. Появившись в Intel Core Microarchitecture, SSSE3 доступно в сериях процессоров Xeon 5100 (Server и Workstation версии), а также в процессорах Intel Core 2 (Notebook и Desktop версии) и Intel Atom. Новыми в SSSE3, по сравнению с SSE3, являются 16 уникальных команд, работающих с упакованными целыми. Каждая из них может работать как с 64-х битными (MMX), так и с 128-ми битными (XMM) регистрами, поэтому Intel в своих материалах ссылается на 32 новые команды.
SSE4 — новый набор команд микроархитектуры Intel Core, впервые реализованный в процессорах серии Penryn. SSE4 состоит из 54 инструкций, 47 из них относят к SSE4.1 (они есть в процессорах Penryn). Полный набор команд (SSE4.1 и SSE4.2, то есть 47 + оставшиеся 7 команд) доступен только в процессорах Intel с микроархитектурой Nehalem, которые были выпущены в середине ноября 2008 года. Ни одна из SSE4 инструкций не работает с 64-х битными mmx регистрами (только с 128-ми битными xmm0-15).
AVX (Advanced Vector Extensions) — расширение системы команд x86 для микропроцессоров Intel, предложенное Intel в марте 2008. AVX предоставляет различные улучшения, новые инструкции и новую схему кодирования машинных кодов: 1. Размер векторных регистров SIMD увеличивается с 128 до 256 бит. Существующие 128-битные инструкции будут использовать младшую половину новых YMM регистров. В будущем возможно расширение до 512 или 1024 бит. 2. Неразрушающие операции. Набор инструкций AVX позволяет использовать любую двухоперандную инструкцию XMM в трёхоперандном виде без модификации двух регистров-источников, с отдельным регистром для результата. Например, вместо a = a + b можно использовать c = a + b, при этом регистр a остаётся не изменённым. AVX не поддерживает неразрушающие формы операций над обычными регистрами общего назначения, такими как EAX, но такая поддержка, возможно, будет добавлена в последующих расширениях. 3.Требования выравнивания данных для операндов SIMD в памяти ослаблены.
AES (Advanced Encryption Standard) — расширение системы команд x86 для микропроцессоров, предложенное компанией Intel в марте 2008. Целью данного расширения является ускорение приложений, использующий шифрование и дешифрирование по алгоритму AES.
EM64T (также x86-64/ x64/Intel64/) — 64-битная аппаратная платформа для выполнения 64-разрядных приложений. Это расширение архитектуры x86 с полной обратной совместимостью. Основной отличительной особенностью EM64T является поддержка 64-битных регистров общего назначения, 64-битных арифметических и логических операций над целыми числами и 64-битных виртуальных адресов. В процессоры с EM64T добавились 16 целочисленных 64-битных регистра общего назначения, 8 80-битных регистров с плавающей точкой, 8 64-битных регистров Multimedia Extensions, 16 128-битных регистров SSE, 64-битный указатель RIP и 64-битный регистр флагов RFLAGS. Кроме поддержки со стороны процессора, технология так же требует поддержки со стороны материнской платы (чипсета). Технология впервые была реализована в поздних моделях Pentium4.
EIST или Enhanced Intel SpeedStep – программно-управляемая технология энергосбережения, динамически изменяющая множитель и напряжение питания ядра процессора в зависимости от нагрузки и настроек операционной системы, в этом ее главное отличие от C1E. Чрезвычайно полезна в ноутбуках, где с помощью настроек плана электропитания позволяет увеличить длительность работы от батареи, за счет ограничения потребления процессора. На десктопах позволяет тонко настроить в ОС пороги снижения множителя в зависимости от нагрузки. Если в биос EIST включена, а в ОС множитель не снижается – проверьте настройки плана электропитания. О настройке плана электропитания читать тут.
LLC (LoadLine Calibration, Vcore Drop Control ) – интеллектуальная функция устранения просадки напряжения Vcore в нагрузке. Как правило имеет несколько режимов устранения просадок, чем жестче режим, тем выше будет нагрев процессора.
Execute Disable Bit (XD) — атрибут страницы памяти в архитектурах x86 и x86-64. Поскольку в современных компьютерных системах память разделяется на страницы, имеющие определенные атрибуты, разработчики процессоров добавили ещё один: запрет исполнения кода на странице. То есть, такая страница может быть использована для хранения данных, но не программного кода. При попытке передать управление на такую страницу процессор сформирует особый случай ошибки страницы и программа (чаще всего) будет завершена аварийно.
Physical Address Extension (PAE) — режим работы встроенного блока управления памятью x86-совместимых процессоров, в котором используются 64-битные элементы таблиц страниц (из которых для адресации используются только 36 бит), c помощью которых процессор может адресовать 64 ГБ физической памяти (вместо 4 ГБ, адресуемых при использовании 32-разрядных таблиц), хотя каждая задача (программа) всё равно может адресовать максимум 4 ГБ виртуальной памяти.
Температуры, термомониторинг, термозащита
Thermal Monitor 1 (TM1) – он же троттлинг, Throttling, или Thermal Throttling, а также Thermal Trip. Механизм TM1 заключается в снижении тепловыделения за счет пропуска тактов при перегреве процессора. TM1 основан на механизме модуляции тактового сигнала (clock modulation), позволяющем регулировать эффективную частоту работы ядра с помощью введения холостых циклов — периодического отключения подачи тактового сигнала на функциональные блоки процессора. Перегревом считается достижение значения 0 по датчикам DTS. Впервые появился в процессорах Pentium M.
TurboThrottling – выражение, появившееся на страницах оверклокерских форумов. Означает прекращение работы технологии TurboBoost в Nehalem или TurboBoost 2.0 в Sandy Bridge, по сути дальнейшее развитие TM2 в процессорах Core i7(i5, i3), постепенно снижает турбомножитель вплоть до стандартного в нагрузке, если были превышены турболимиты (Sandy Bridge) или превышено TDP (nehalem). TurboThrottling также срабатывает при достижении критической температуры.
Tjmax – значение для вычисления температуры по датчикам DTS, формула проста: Tcore = Tjmax – Distance to tjmax. В процессорах nehalem и более поздних содержится в специальном регистре, и может быть считано программами мониторинга. Для всех процессоров Core 2 значение Tjmax составляет 100 градусов за исключением экстремальных моделей QX****. Автор данного FAQ предпочитает игнорировать Tjmax и в качестве индикатора температуры предпочитает Distance to tjmax.
TDP (Thermal Design Package, Thermal Design Power) – или проще термопакет. Параметр, характеризующий максимальную выделяемую процессором тепловую мощность, необходим для расчета мощности системы охлаждения. Измеряется в ваттах.
ThrottleStop Показывает параметры энергосбережения, турбобуста, потребляемую мощность, реальный множитель для всех ядер. Ну и как видно из названия позволяет заблокировать троттлинг, а так же тонко настроить энергосбережение.
Функциональные блоки, шины, и т.п.
Чипсет (англ. chipset) — набор микросхем, спроектированных для совместной работы с целью выполнения набора каких-либо функций. Так, в компьютерах чипсет, размещаемый на материнской плате, выполняет роль связующего компонента, обеспечивающего совместное функционирование подсистем памяти, центрального процессора (ЦП), ввода-вывода и других.
PCH (Platform Controller Hub) – так называется южный мост в чипсетах для процессоров Lynnfield и Sandy Bridge. Главное отличие от ЮМ в том, что PCH подключается непосредственно к процессору через шину DMI. Функционально – самый обычный ЮМ.
IMC (Integrated Memory Controller) – интегрированный контроллер памяти как правило в процессорах s1156.
FSB (Front Side Bus) – шина эпохи s775 обеспечивающая соединение между процессором и северным мостом.
Частота CPU = BCLK x Множитель процессора
Частота Uncore = BCLK x Множитель Uncore (в процессорах поколения Nehalem)
Частота памяти = BCLK x Множитель памяти
Частота QPI = BCLK x Множитель QPI (в процессорах поколения Nehalem, в исполнении 1366)
iGPU (integrated Graphics processing unit) – интегрированное графическое ядро процессоров интел.
PLL (Phase-locked loop) – ФАПЧ, или Фа́зовая автоподстро́йка частоты.
Absolute maximum and minimum ratings для процессоров Sandy Bridge до сих пор не представлены (отсутствует в даташитах), поэтому о допустимых вольтажах приходится судить по косвенным данным:
Исходя из одинакового техпроцесса (32nm) о допустимых вольтажах для Sandy Bridge можно судить по таблице для i7 32nm для s1366.
Vcore (CPU Voltage)– напряжение питания ядра (ядер) процессора. Увеличение этого напряжения благоприятно влияет на разгон ядер процессора. В процессорах i7(i5, i3), установка Vcore через этот пункт приводит к невозможности энергосберегающих технологий управлять напряжением Vcore.
CPU Offset Voltage (DVID) – параметр биос материнских плат для процессоров i7(i5, i3) устанавливает смещение Vcore в вольтах, может принимать как положительное так и отрицательное значение. При этом параметр CPU Voltage должен быть установлен в normal или в offset mode (зависит от материнской платы). Установка Vcore через этот параметр позволяет корректно работать энергосберегалкам. Так же подобный параметр присутствовал на некоторых платах с чипсетом х38/48 но не был широко распространен.
Vtt (FSB termination voltage)– напряжение питания терминаторов внешних шин процессора, ключевое напряжение в GTL логике. Поднятие напряжения благоприятно влияет на стабильность всех внешних шин процессора, положительно влияет на стабильность операций с памятью.
QPI/VTT, QPI/DRAM – в процессорах поколения Nehalem совмещенное напряжение питающее блок Uncore, а также терминаторы внешних шин процессора. Рекомендуется поднимать при разгоне Uncore/DDRIII.
VccIO – аналог VTT в процессорах Sandy Bridge.
CPU PLL Voltage (VccPLL)— Напряжение питания блока ФАПЧ (Фазовой автоподстройки частоты, и тактового генератора в Sandy Bridge). На материнских платах s775 часто совмещалось с напряжением питания южного моста. На процессорах Core i7(i5, i3) становится полностью самостоятельным параметром. Считается, что напряжение благоприятно влияет на стабильность системы при экстремальном разгоне. При среднем и низком разгоне параметром можно пренебречь, а иногда и снизить (на Nehalem и Sandy Bridge).
NB Core Voltage (MCH Voltage)– напряжение питания Северного Моста на материнских платах эпохи s775. Поднятие напряжение положительно влияет на стабильность при высоких шинах FSB, а также на стабильность подсистемы памяти.
SB Core Voltage (ICH Voltage, PCH Voltage)– напряжение питания Южного Моста, теоретически поднятие этого напряжения положительно влияет на стабильность внешних интерфейсов материнской платы, таких как IDE, SATA, USB, etc.
IMC Voltage – напряжение питания контроллера памяти в процессорах Lynnfield.
DDR Voltage (DRAM Voltage)– напряжение питания модулей памяти, в процессорах поколения Nehalem так же питает шину памяти процессора.
Стабильность, тесты, мониторинг
Prime95 является клиентом распределенных вычислений для решения математической задачи – поиска простых чисел Мерсенна. Как и любой другой подобный клиент, программа загружает задание с центрального сервера, производит необходимые вычисления и возвращает результат. Но компьютерным энтузиастам Prime95 известна благодаря другим способностям – ее можно использовать как достаточно эффективный тест стабильности компьютера. Сравнение полученных результатов с эталонными помогает выявить ошибки в работе связки процессор–память (правда, определить, что именно «виновато» в возникновении ошибок – процессор или же память, бывает затруднительно). Имеется три режима проверки стабильности, причем Large FFT более эффективно тестирует CPU, а Blend – память. Для уверенности в стабильности рекомендуется тестирование праймом проводить не менее 3 часов, а для железной стабильности не менее 12.
Linpack — программная библиотека, написанная на языке Фортран, которая содержит набор подпрограмм для решения систем линейных алгебраических уравнений. Изначально предназначалась для работы на суперкомпьютерах которые использовались в 1970-х — начале 1980-х годов.
Сегодня переработанный и оптимизированный компанией intel линпак используется для измерения производительности системы в гигафлопсах. В оверклокерской среде линпак получил популярность благодаря способности создавать максимальную нагрузку сопровождаемую максимальным энергопотреблением и нагревом процессора. Поэтому тест рекомендуется использовать в первую очередь для испытания на прочность охлаждения и проверки достаточности Vcore. При тестировании используйте максимальный объем задачи и минимум 20 проходов (рекомендую не менее 50-ти). Память линпак тестирует плохо, и даже с заведомой нестабильностью подсистемы память-северный мост может пройти успешно как 20 так и 100 проходов. Так что тест не самодостаточен, и без тестов основанных на прайм коде не обойтись.
График зависимости нагрузки от объема вычислений в линпак, взят с сайта интел:
Если результаты в Linx снижаются с каждым следующим проходом или «прыгают» от прохода к проходу возможно сработал троттлинг, турботроттлинг (i7, i5, i3) или троттлинг памяти (i7, i5, i3 только ахитектуры Sandy Bridge). Попытайтесь понизить температуру процессора, если с температурой все в порядке, проверьте установку турболимитов, а также память соотв софтом (см. выше).
Программа поддерживает несколько процессоров (от номера версии), имеет оптимизированные тесты прогрева с обнаружением ошибок под процессоры AMD, Intel Pentium4 и Core2. Тест памяти может проверять любой объем памяти. Тестирование так-же сегментами, тесты сделаны по образу и подобию TM1 и TM2.
Тест диска, особенно тест интерфейса, тоже вовсе не декоративный элемент программы. 🙂
Тест-комбайн включающий в последних версиях практически все популярные тесты стабильности почти для всех узлов системы.
CPU OCCT основан на прайм коде, может заменить прайм95.
Кроме самих тестов в программу встроен очень недурной мониторинг, сопровождаемый графическими логами.
После тестирования можно просмотреть графики просадки напряжений и сопоставить их с нагрузкой на разные узлы системы. Как вы уже наверное поняли, для непредвзятых пользователей OCCT Perestroïka 3.1.0 способен заменить линпак прайм и фурмарк.
Перед запуском теста рекомендуется установить в свойствах максимально допустимую температуру равной tjmax вашего камня.
Intel Thermal Analysis Tool (TAT) – отличная грелка для процессоров Pentium 4, Pentium D, Core 2 65 нм. Не работает с камнями архитектуры Penryn и более поздними. Отслеживает троттлинг, мониторит температуры.
Известен наверное всем. Утилита работает из под DOS, и отлично тестирует память на дефекты. В качестве теста стабильности памяти для разогнанной системы подходит слабо (очень долго выявляет ошибки). Для разогнанной системы желательно пройти несколько полных циклов тестирования (хотя бы три). Для тестирования систем на базе Sandy Bridge используйте версию не младше 4.2.
Новый тест памяти от камрада serj, подробности можно прочесть в теме https://forums.overclockers.ru Программа имеет очень гибкие настройки и оптимизирована под современные многоядерные процессоры.
BSOD в разогнанных системах
BSOD Codes for i7 x58 chipset:
0x101 = необходимо увеличить Vcore.
0x124 = увеличить или уменьшить QPI/VTT, если не помогло увеличить Vcore.
0x1A = Возможно неисправный модуль памяти, проверить память с помощью MemTest. Так же возможна нехватка Vddr.
0x1E = Увеличить Vcore.
0x3B = Увеличить Vcore.
0x3D = Увеличить Vcore.
0xD1 = увеличить или уменьшить QPI/VTT, если не помогло увеличить Vddr.
0x9C = увеличить или уменьшить QPI/VTT, если не помогло увеличить Vcore.
0x109 = увеличить/уменьшить Vddr.
0x116 = занижен IOH (NB) voltage, либо проблемы с видиосистемой, особенно актуально для систем с несколькими видеокартами.
BSOD Codes for SandyBridge:
0x101 = необходимо увеличить Vcore.
0x50 = неверно подобраны тайминги или множитель памяти, увеличить/уменьшить Vddr, если не помогло VccIO и/или VccSA.
0x1E = необходимо увеличить Vcore.
0x3B = необходимо увеличить Vcore.
0xD1 = увеличить VccIO /или VccSA.
0x9C = увеличить или уменьшить VccIO и/или VccSA, если не помогло увеличить Vcore.
Разгон оперативной памяти DDR4 на AMD Ryzen и Intel Core
На github.com кто-то заморочился и сделал полноценный гайд по разгону оперативной памяти DDR4 на Intel и AMD Ryzen. А в качестве базовой информации в дополнении к нашему видео он будет полезен каждому.
Делимся переводом, приятного прочтения.
Содержание
Подготовка
Ожидания и ограничения
В этом разделе рассматриваются 3 компонента, влияющие на процесс разгона: микросхемы (чипы памяти), материнская плата и встроенный контроллер памяти (IMC).
Материнская плата
Замечено также, что дешёвые материнские платы могут не разогнаться, возможно по причине низкого качества печатной платы и недостаточного количества слоёв (?).
Микросхемы (чипы памяти)
Отчёты Thaiphoon Burner
По общему мнению, свои отбракованные низкосортные чипы Micron реализует под брендом SpecTek. Многие стали называть этот чип “Micron E-die” или даже просто “E-die”. Если в первом случае ещё куда ни шло, то во втором уже возникает путаница, поскольку подобная маркировка («буква-die») используется у микросхем Samsung, например – “4 Гб Samsung E-die”. Под “E-die” обычно подразумевается чип Samsung, поэтому стоит уточнять производителя, говоря о чипах Micron Rev. E как об “E-die”.
Масштабирование напряжения попросту означает, как чип реагирует на изменение напряжения. Во многих микросхемах tCL масштабируется с напряжением, что означает, что увеличение напряжения может позволить вам снизить tCL. В то время как tRCD и tRP на большинстве микросхем, как правило, не масштабируются с напряжением, а это означает, что независимо от того, какое напряжение вы подаёте, эти тайминги не меняются. Насколько я знаю, tCL, tRCD, tRP и, возможно, tRFC могут (либо не могут) видеть масштабирование напряжения. Аналогичным образом, если тайминг масштабируется с напряжением, это означает, что вы можете увеличить напряжение, чтобы соответствующий тайминг работал на более высокой частоте.
Масштабирование напряжения CL11
На графике видно, что tCL у CJR 8 Гб масштабируется с напряжением почти ровно до 2533 МГц. У B-die мы видим идеально-ровное масштабирование tCL с напряжением.
Некоторые старые чипы Micron (до Rev. E) известны своим отрицательным масштабированием с напряжением. То есть при повышении напряжения (как правило, выше 1,35 В) они становятся нестабильными на тех же таймингах и частоте. Ниже приведена таблица некоторых популярных чипов, показывающая, какие тайминги в них масштабируются с напряжением, а какие нет:
Чип | tCL | tRCD | tRP | tRFC |
8 Гб AFR | Да | Нет | Нет | ? |
8 Гб CJR | Да | Нет | Нет | Да |
8 Гб Rev. E | Да | Нет | Да | ? |
8 Гб B-die | Да | Да | Да | Да |
Тайминги, которые не масштабируются с напряжением, как правило необходимо увеличивать с частотой. Масштабирование напряжения tRFC у B-die.
Примечание: Шкала tRFC в тактах (тиках), не во времени (нс).
Ожидаемая максимальная частота
Ниже приведена таблица предполагаемых максимальных частот некоторых популярных чипов:
Чип | Ожидаемая максимальная частота (МГц) |
8 Гб AFR | 3600 |
8 Гб CJR | 4000* |
8 Гб Rev. E | 4000+ |
8 Гб B-die | 4000+ |
* – результаты тестирования CJR у меня получились несколько противоречивыми. Я тестировал 3 одинаковых планки RipJaws V 3600 CL19 8 Гб. Одна из них работала на частоте 3600 МГц, другая – на 3800 МГц, а последняя смогла работать на 4000 МГц. Тестирование проводилось на CL16 с 1,45 В.
Не ждите, что одинаковые, но разнородные по качеству, чипы производителя одинаково хорошо разгонятся. Это особенно справедливо для B-die.
Суть биннинга заключается в разделении производителем полученной на выходе продукции «по сортам», качеству. Как правило, сортировка производится по демонстрируемой при тестировании частоте.
Чипы, показывающие одну частоту, производитель отделяет в одну «коробку», другую частоту – в другую «коробку». Отсюда и название процедуры – “binning” (bin – ящик, коробка).
B-die из коробки «2400 15-15-15» намного хуже чем из коробки «3200 14-14-14» или даже из «3000 14-14-14». Так что не ждите, что третьесортный B-die даст образцовые показатели масштабирования напряжения.
Чтобы выяснить, какой из одинаковых чипов обладает лучшими характеристиками на одном и том же напряжении, нужно найти немасштабируемый с напряжением тайминг.
Просто разделите частоту на этот тайминг, и чем выше значение, тем выше качество чипа. Например, Crucial Ballistix 3000 15-16-16 и 3200 16-18-18 оба на чипах Micron Rev. E. Если мы разделим частоту на масштабируемый с напряжением тайминг tCL, мы получим одинаковое значение (200). Значит ли это, что обе планки – одного сорта? Нет.
А вот tRCD не масштабируется с напряжением, значит его необходимо увеличивать по мере увеличения частоты. 3000/16 = 187,5 против 3200/18 = 177,78.
Как видите, 3000 15-16-16 более качественный чип, нежели 3200 16-18-18. Это означает, что чипы 3000 15-16-16 очевидно смогут работать и как 3200 16-18-18, а вот смогут ли 3200 16-18-18 работать как 3000 15-16-16 – не факт. В этом примере разница в частоте и таймингах невелика, так что разгон этих планок будет, скорее всего, очень похожим.
Максимальное рекомендованное повседневное напряжение
Спецификация JEDEC указывает (стр. 174), что абсолютный максимум составляет 1,50 В
Напряжения, превышающие приведенные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к выходу устройства из строя. Это только номинальная нагрузка, и функциональная работа устройства при этих или любых других условиях выше тех, которые указаны в соответствующих разделах данной спецификации, не подразумевается. Воздействие абсолютных максимальных номинальных значений в течение длительного периода может повлиять на надежность.
Я бы советовал использовать 1,5 В только на B-die, поскольку известно, что он выдерживает высокое напряжение. Во всяком случае, у большинства популярных чипов (4/8 Гб AFR, 8 Гб CJR, 8 Гб Rev. E, 4/8 Гб MFR) максимальное рекомендуемое напряжение составляет 1,45 В. Сообщалось, что некоторые из менее известных чипов, таких как 8 Гб C-die, имеют отрицательное масштабирование или даже сгорают при напряжении выше 1,20 В. Впрочем, решать вам.
Ниже показано, как самые распространенные чипы ранжируются с точки зрения частоты и таймингов.
Встроенный контроллер памяти (IMC)
IMC от Intel достаточно устойчивый, поэтому при разгоне он не должен быть узким местом. Ну а чего ещё ждать от 14+++++ нм?
Для разгона RAM необходимо изменить два напряжения: System Agent (VCCSA) и IO (VCCIO). Не оставляйте их в режиме “Auto”, так как они могут подать опасные уровни напряжения на IMC, что может ухудшить его работу или даже спалить его. Большую часть времени можно держать VCCSA и VCCIO одинаковыми, но иногда перенапряжение может нанести ущерб стабильности, что видно из скриншота:
предоставлено: Silent_Scone.
Я не рекомендовал бы подниматься выше 1,25 В на обоих.
Ниже – предлагаемые мной значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:
Частота (МГц) | VCCSA/VCCIO (В) |
3000-3600 | 1,10 – 1,15 |
3600-4000 | 1,15 – 1,20 |
4000+ | 1,20 – 1,25 |
Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, то может потребоваться более высокое напряжение VCCSA и VCCIO.
tRCD и tRP взаимосвязаны, то есть, если вы установите tRCD на 16, а tRP на 17, то оба будут работать с более высоким таймингом (17). Это ограничение объясняет, почему многие чипы работают не очень хорошо на Intel и почему для Intel лучше подходит B-die.
В UEFI Asrock и EVGA оба тайминга объединены в tRCDtRP. В UEFI ASUS tRP скрыт. В UEFI MSI и Gigabyte tRCD и tRP видны, но попытка установить для них разные значения приведет просто к установке более высокого значения для обоих.
Ожидаемый диапазон латентности памяти: 40-50 нс.
В Ryzen 1000 и 2000 IMC несколько привередлив к разгону и может не дать столь же высоких частот, как Intel. IMC Ryzen 3000 намного лучше и более-менее наравне с Intel.
SoC voltage – это напряжение для IMC, и, как и в случае с Intel, не рекомендуется оставлять его в “Auto” режиме. Тут достаточно 1,0 – 1,1 В, поднимать выше смысла нет.
На Ryzen 2000 (а возможно и на 1000 и 3000), вольтаж выше 1,15 В может отрицательно повлиять на разгон.
«На разных процессорах контроллер памяти ведет себя по-разному. Большинство процессоров будут работать на частоте 3466 МГц и выше при напряжении SoC 1,05 В, однако разница заключается в том, как разные процессоры реагируют на напряжение. Одни выглядят масштабируемыми с повышенным напряжением SoC, в то время как другие просто отказываются масштабироваться или вовсе демонстрируют отрицательное масштабирование. Все протестированные экземпляры демонстрировали отрицательное масштабирование при использовании SoC более 1,15 В. Во всех случаях максимальная частота памяти была достигнута при напряжении SoC = GDM вкл CR 1T > GDM откл CR 2T.
У процессоров Ryzen 3000 с одним CCD (процессоры серий ниже 3900X) пропускная способность записи вдвое меньше.
«В пропускной способности памяти мы видим нечто странное: скорость записи у AMD 3700X – у которого скорость записи благодаря соединению кристаллов CDD и IOD составляет 16 байт/такт – вдвое меньше, чем у 3900X. AMD заявляет, что это позволяет экономить электроэнергию, снизить нагрев процессора (TDP), к чему так стремится AMD. AMD говорит, что приложения редко делают чистые операции записи, но в одном из наших тестов на следующей странице мы увидим, как это ухудшило производительность 3700X.»
Ryzen | Латентность (нс) |
1000 | 65-75 |
2000 | 60-70 |
3000 | 65-75 (1:1 MCLK:FCLK) 75+ (2:1 MCLK:FCLK) |
Достаточно высокий FCLK у Ryzen 3000 может компенсировать потери от десинхронизации MCLK и FCLK, при условии, что вы можете назначить MCLK для UCLK.
Разгон
Дисклеймер: потенциал разгона сильно зависит от «кремниевой лотереи» (чип чипу рознь), поэтому могут быть некоторые отклонения от моих предложений.
Процесс разгона достаточно прост и выполняется в 3 шага:
Нахождение максимальной частот
На AMD начинать нужно с 1.10 В SoC. Напряжение SoC может называться по-разному в зависимости от производителя.
Обратите внимание, что это добавочное напряжение. Базовое напряжение изменяется автоматически при увеличении частоты DRAM. Напряжение 0,10 В на частоте 3000 МГц может привести к фактическому напряжению 1,10 В, а 0,10 В на частоте 3400 МГц приводит уже к фактическому напряжению 1,20 В. MSI: CPU NB/SOC.
2. Установите напряжение DRAM 1,4 В. Для планок на чипах Micron/SpecTek (за исключением Rev. E) следует установить 1,35 В.
3. Выставите основные тайминги следующим образом: 16-20-20-40 (tCL-tRCD-tRP-tRAS). Подробнее об этих таймингах читайте тут (на англ.)
4. Постепенно увеличивайте частоту DRAM до тех пор, пока Windows не откажет. Помните об ожидаемых максимальных частотах, упомянутых выше. На Intel, быстрый способ узнать, нестабильны ли вы, это следить за значениями RTL и IOL. Каждая группа RTL и IOL соответствует каналу. В каждой группе есть 2 значения, которые соответствуют каждому DIMM. Используйте Asrock Timing Configurator. Поскольку у меня обе планки стоят во вторых слотах каждого канала, мне нужно посмотреть на D1 в каждой группе RTL и IOL. Значения RTL у планок не должны разниться между собой более чем на 2, а значения IOL более чем на 1.
В моём случае, RTL разнятся ровно на 2 (53 и 55), а значения IOL не разнятся вовсе (7 у обоих планок). Все значения в пределах допустимых диапазонов, однако имейте в виду, что это ещё не значит, что всё действительно стабильно.
На Ryzen 3000 – убедитесь, что частота Infinity Fabric (FCLK) установлена равной половине вашей действующей частоты DRAM.
5. Запустите тест памяти на свой выбор.
6. При зависании/краше/BSOD, верните частоту DRAM на ступень ниже и повторите тестирование.
7. Сохраните ваш профиль разгона в UEFI.
8. Теперь вы можете либо попытаться перейти на ещё более высокую частоту, либо начать подтягивать тайминги. Ее забывайте об ожидаемых максимальных частотах, о которых мы говорили ранее. Если вы достигли пределов возможностей чипа и/или IMC, то самое время заняться оптимизацией таймингов.
Пробуем повысить частоты
2. Увеличьте основные тайминги до 18-22-22-42.
3. Повысьте вольтаж DRAM до 1,45 В.
4. Выполните шаги 4-7 из раздела «Нахождение максимальной частоты».
5. Выполните оптимизацию («подтягивание») таймингов.
Дополнительно: Тайминги и частота — разрушаем мифы
Оптимизация таймингов
Обязательно после каждого изменения запускайте тест памяти и бенчмарк-тест, чтобы убедиться в повышении производительности.
На процессорах Ryzen 3000 с одним CCD пропускная способность записи должна составлять 90-95% от половины теоретической максимальной пропускной способности. Можно достичь половины теоретической максимальной пропускной способности записи. См. здесь (англ.)
2. Я бы рекомендовал для начала подтянуть некоторые второстепенные тайминги в соответствии с таблицей ниже, поскольку они могут ускорить тестирование памяти.
Тайминги | Надёжно (Safe) | Оптимально (Tight) | Предельно (Extreme) |
tRRDS tRRDL tFAW | 6 6 24 | 4 6 16 | 4 4 16 |
tWR | 16 | 12 | 10 |
3. Далее идут основные тайминги (tCL, tRCD, tRP).
4. Далее идёт tRFC. По умолчанию для чипов 8 Гб установлено значение 350 нс (обратите внимание на единицу измерения).
Ниже приведена таблица типичных значений tRFC в нс для наиболее распространенных чипов:
Чип | tRFC (нс) |
8 Гб AFR | 260-280 |
8 Гб CJR | 260-280 |
8 Гб Rev. E | 300-350 |
8 Гб B-die | 160-180 |
5. Оставшиеся второстепенные тайминги я предлагаю выставить следующим образом:
Тайминг | Надёжно (Safe) | Оптимально (Tight) | Предельно (Extreme) |
tWTRS tWTRL | 4 12 | 4 8 | — |
tRTP | 12 | 10 | 8 |
tCWL | tCL | tCL-1 | tCL-2 |
На Intel значения таймингов tWTRS/L следует сначала оставить в “Auto”, изменяя вместо них значения tWRRD_dg/sg соответственно. Уменьшение tWRRD_dg на 1 приведет к уменьшению tWTRS на 1. Аналогично с tWRRD_sg. Как только они достигнут минимума, вручную установите tWTRS/L.
6. Третьестепенные тайминги:
Пользователям AMD будет полезен этот текст (англ.)
Тайминг | Надёжно (Safe) | Оптимально (Tight) | Предельно (Extreme) |
tRDRDSCL tWRWRSCL | 4 4 | 3 3 | 2 2 |
Пользователям Intel следует настраивать третьестепенные тайминги группой за раз, как видно из таблицы предлагаемых мной значений.
А тут тайминги на B-die, к сведению.
tREFI – это тоже тайминг, позволяющий повысит ьпроизводительность. В отличие от всех других таймингов, чем выше его значение – тем лучше.
Не стоит слишком увлекаться им, поскольку перепады температур окружающей среды (например, зима-лето) могут быть достаточными для возникновения нестабильности.
7. Также можно увеличить напряжение DRAM, чтобы ещё больше снизить тайминги. Вспомните про масштабирование напряжения чипов и максимальное рекомендованное повседневное напряжение, о чём мы говорили выше.
Дополнительно: Настройка таймингов DRAM на ASUS ROG MAXIMUS XI APEX
Дополнительные советы
Увеличение CLDO_VDDP похоже влияет положительно на частотах выше 3600 МГц, так как, по-видимому, улучшается гибкость и, следовательно, становится меньше ошибок.
Также будет интересно: