Ra14 mosfet чем заменить
Справочник по MOSFET транзисторам
N-канальные MOSFET транзисторы одноканальные
Корпуса для поверхностного монтажа
20V, 4A, 43 mOhm, 3 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23
20V, 6.4A, 21 mOhm, 8 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23
25V, 5.7A, 24 mOhm, 3.6 nC Qg, SOT-23
30V, 2.7A, 100 mOhm, 1.0 nC Qg, SOT-23
30V, 5.2A, 27 mOhm, 3.6 nC Qg, SOT-23
30V, 3.3A, 77 mOhm, 3 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23
30V, 6.3A, 34 mOhm, 7.5 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23
40V, 3.6A, 56 mOhm, 2.6 nC Qg, SOT-23
60V, 1.2A, 460 mOhm, 0.4 nC Qg, SOT-23
60V, 2.7A, 92 mOhm, 2.5 nC Qg, SOT-23
100V, 1.6A, 220 mOhm, 2.5 nC Qg, SOT-23
Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.
20V, 8.5A, 11.7 mOhm, 14 nC Qg, 2.5V drive capable
25V, 8.5A, 13 mOhm, 4.3 nC Qg
30V, 8.5A, 16.2 mOhm, 11nC Qg, 2.5V drive capable
30V, 8.5A, 16 mOhm, 4.2 nC Qg
Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.
20V, 40A, 2.5 mOhm, 52 nC Qg, 2.5V drive capable
30V, 16A, 7.1 mOhm, 9.6 nC Qg
30V, 12A, 12.4 mOhm, 5.4 nC Qg
30V, 24A, 7.8 mOhm, 7.3 nC Qg
30V FETky, 40A, 4.3 mOhm, 13 nC Qg
30V, 40A, 3.8 mOhm, 15 nC Qg
30V, 40A, 3.5 mOhm, 41 nC Qg, 2.5V drive capable
Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.
20V, 20A, 4.4 mOhm, 22 nC Qg, SO-8
25V, 25A, 2.7 mOhm, 35 nC Qg, SO-8
20V, 27A, 2.45 mOhm, 130 nC Qg, 2.5V drive capable
30V, 8.5A, 21mOhm, TSOP-6
30V, 11A, 11.9 mOhm, 6.2 nC Qg, SO-8
30V, 14A, 8.7 mOhm, 8.1 nC Qg, SO-8
30V, 14A, 8.5 mOhm, 8.3 nC Qg, SO-8
30V, 18A, 4.8 mOhm, 17 nC Qg, SO-8
30V, 21A, 3.5 mOhm, 20 nC Qg, SO-8
30V, 21A, 3.3 mOhm, 30 nC Qg, SO-8
30V, 24A, 2.8 mOhm, 44 nC Qg, SO-8
30V, 9.9A, 14.6 mOhm, 11 nC Qg, 2.5V drive capable
30V, 8.5A, 20mOhm, 2.5V drive capable, TSOP-6
40V, 18A, 5 mOhm, 33 nC Qg, SO-8
60V, 12A, 9.4 mOhm, 26 nC Qg, SO-8
80V, 9.2A, 15 mOhm, 31 nC Qg, SO-8
80V, 10A, 13.4 mOhm, 27 nC Qg, SO-8
100V, 7.3A, 22 mOhm, 34 nC Qg, SO-8
100V, 8.3A, 18 mOhm, 28 nC Qg, SO-8
150V, 5.2A, 44 mOhm, 36 nC Qg, SO-8
150V, 5.1A, 43 mOhm, 25 nC Qg, SO-8
200V, 3.7A, 79 mOhm, 39 nC Qg, SO-8
Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.
20
—
25 В
20V, 100A, 1.2 mOhm, 155 nC Qg, 2.5V drive capable, PQFN5x6
20V, 50A, 3.0 mOhm, 54 nC Qg, 2.5V drive capable, PQFN5x6
25V, 51A, 6 mOhm, 7 nC Qg, Low Rg, PQFN 5×6
25V, 100A, 1.15 mOhm, 52 nC Qg, PQFN 5×6
25V FETky, 100A, 1.4 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6
30 В
30V, 16A, 13 mOhm, 4.7 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 25A, 9 mOhm, 7.1 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 44A, 8.1 mOhm, 7.8 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 25A, 6.6 mOhm, 9.3 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 25A, 5 mOhm, 15 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 79A, 4.5 mOhm, 16 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 82A, 4.2 mOhm, 15 nC Qg, Low Rg, PQFN 5×6
30V, 50A, 4.1 mOhm, 14 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 50A, 3.1 mOhm, 19 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 50A, 2.1 mOhm, 33 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 100A, 2.1 mOhm, 29 nC Qg, PQFN 5×6
30V FETky, 100A, 2.5 mOhm, 26 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 100A, 1.85 mOhm, 37 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 100A, 1.4 mOhm, 50 nC Qg, PQFN 5×6
40 В
40V, 100A, 4.3 mOhm, 42 nC Qg, PQFN 5×6
40V, 100A, 3.5 mOhm, 53 nC Qg, PQFN 5×6
40V, 100A, 2.6 mOhm, 73 nC Qg, PQFN 5×6
60V, 40A, 14.4 mOhm, 23 nC Qg, PQFN 5×6
60V, 89A, 6.7 mOhm, 40 nC Qg, PQFN 5×6
60V, 100A, 5.6 mOhm, 50nC Qg, PQFN 5×6
60V, 100A, 4.1 mOhm, 67 nC Qg, PQFN 5×6
75V, 75A, 8.5 mOhm, 48 nC Qg, PQFN 5×6
75V, 71A, 9.6 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6
75V, 100A, 5.9 mOhm, 65 nC Qg, PQFN 5×6
100 В
100V, 55A, 14.9 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6
100V, 63A, 12.4 mOhm, 48 nC Qg, PQFN 5×6
100V, 100A, 9.0 mOhm, 65 nC Qg, PQFN 5×6
150 В
150V, 27A, 58 mOhm, 20 nC Qg, PQFN 5×6
150V, 56A, 31 mOhm, 33 nC Qg, PQFN 5×6
200 В
200V, 20A, 100 mOhm, 20 nC Qg, PQFN 5×6
200V, 41A, 59 mOhm, 36 nC Qg, PQFN 5×6
250 В
250V, 31A, 104 mOhm, 36 nC Qg, PQFN 5×6
25 В
25V, 39A, 7.8 mOhm, 8.1 nC Qg, Small Can
25V, 37A, 5.9 mOhm, 8.8 nC Qg, Small Can
25V, 68A, 4.9 mOhm, 13 nC Qg, Small Can
25V, 95A, 3.0 mOhm, 21 nC Qg, Small Can
25V, 166A, 2.1 mOhm, 29 nC Qg, Med Can
25V, 180A, 1.6 mOhm, 40 nC Qg, Med Can
25V, 180A, 1.6 mOhm, 39 nC Qg, Med Can
25V, 220A, 1.25 mOhm, 46 nC Qg, Med Can
25V, 160A, 1.8 mOhm, 35 nC Qg, Med Can
25V, 210A, 1.4 mOhm, 45 nC Qg, Med Can
25V, 270A, 0.7 mOhm, 64 nC Qg, Large Can
30 В
30V, 35A, 8.0 mOhm, 7.9 nC Qg, Small Can
30V, 36A, 8.9 mOhm, 6.6 nC Qg, Small Can
30V, 47A, 6.6 mOhm, 9.4 nC Qg, Med Can Dual
30V, 47A, 6.6 mOhm, 9.4 nC Qg, Med Can Dual
Как подобрать замену для MOSFET-транзистора
На что нужно обратить внимание
Открыв PDF-даташит, в первую очередь надо выяснить: тип транзистора (MOSFET или JFET), полярность, тип корпуса, расположение выводов (цоколевку).
Для MOSFET-транзистора важным параметром является сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds). От значения Rds зависит мощность, выделяемая на транзисторе. Чем меньше значение Rds, тем меньше транзистор будет нагреваться.
Однако необходимо помнить, что чем больше Id и меньше Rds, тем больше ёмкость затвора у MOSFET-транзистора. Это приводит к тому, что требуется большая мощность для управления этим затвором. А если схема не обеспечит нужную мощность, то возрастут динамические потери из-за замедленной скорости переключения транзистора и, как итог, MOSFET будет больше нагреваться. Поэтому необходимо проверить температурный режим (нагрев) транзистора после включения устройства. Если транзистор сильно нагревается, то дело может быть как в самом транзисторе, так и в элементах его обвязки.
Расшифровка основных параметров MOSFET-транзисторов
Тип транзистора – в реальных устройствах могут использоваться полевые транзисторы разных типов: транзистор с управляющим p-n – переходом (J-FET) или униполярные транзисторы МДП-типа (MOSFET).
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) – при подаче на затвор напряжения более допустимого, возможно повреждение изолирующего оксидного слоя затвора (это может быть и статическое электричество). Не стоит использовать транзисторы с большим запасом по напряжениям Vds и Vgs, т.к. обычно они имеют худшие скоростные характеристики.
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id) – следует иметь ввиду, что иногда выводы из корпуса транзистора ограничивают максимально допустимый постоянный ток стока (переключаемый ток может быть больше). С ростом температуры максимально допустимый ток уменьшается.
Общий заряд затвора (Qg) — заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора. Чем меньше этот параметр, тем меньшая мощность требуется для управления транзистором.
Выше описаны наиболее важные параметры MOSFET-транзисторов. В даташитах производитель указывает много дополнительных параметров: заряд затвора, ток утечки затвора, импульсный ток стока, входная емкость и др.
Что важно учесть при монтаже MOSFET-транзистора
При работе с MOSFET транзисторами нужно учесть, что они могут быть повреждены статическим электричеством на ваших руках или одежде. Перед монтажом на печатную плату необходимо соединить выводы транзистора между собой тонкой проволокой. Для пайки лучше используйте паяльную станцию, а не обычный электрический паяльник. Вместо отсоса для удаления припоя используйте медную ленту для удаления припоя. Это уменьшит вероятность пробоя затвора статическим электричеством. Или используйте антистатический браслет.
Как подобрать замену для MOSFET-транзистора
Как подобрать замену для MOSFET-транзистора
Для большинства MOSFET-транзисторов достаточно просто подобрать аналоги, схожие по параметрам. Если заменить MOSFET-транзистор на такой же невозможно, то для поиска аналога необходимо:
Изучить схему включения MOSFET-транзистора для определения режима его работы (ключ в цепях коммутации, импульсное устройство, линейный стабилизатор и т.д.).
Найти даташит для неисправного MOSFET-транзистора и заполнить форму для подбора аналога на сайте.
Выбрать наиболее подходящий аналог MOSFET-транзистора, учитывая режим его работы в устройстве.
На что нужно обратить внимание
Открыв PDF-даташит, в первую очередь надо выяснить: тип транзистора (MOSFET или JFET), полярность, тип корпуса, расположение выводов (цоколевку).
Для MOSFET-транзистора важным параметром является сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds). От значения Rds зависит мощность, выделяемая на транзисторе. Чем меньше значение Rds, тем меньше транзистор будет нагреваться.
Однако необходимо помнить, что чем больше Id и меньше Rds, тем больше ёмкость затвора у MOSFET-транзистора. Это приводит к тому, что требуется большая мощность для управления этим затвором. А если схема не обеспечит нужную мощность, то возрастут динамические потери из-за замедленной скорости переключения транзистора и, как итог, MOSFET будет больше нагреваться. Поэтому необходимо проверить температурный режим (нагрев) транзистора после включения устройства. Если транзистор сильно нагревается, то дело может быть как в самом транзисторе, так и в элементах его обвязки.
Расшифровка основных параметров MOSFET-транзисторов
Тип транзистора – в реальных устройствах могут использоваться полевые транзисторы разных типов: транзистор с управляющим p-n – переходом (J-FET) или униполярные транзисторы МДП-типа (MOSFET).
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) – при подаче на затвор напряжения более допустимого, возможно повреждение изолирующего оксидного слоя затвора (это может быть и статическое электричество). Не стоит использовать транзисторы с большим запасом по напряжениям Vds и Vgs, т.к. обычно они имеют худшие скоростные характеристики.
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id) – следует иметь ввиду, что иногда выводы из корпуса транзистора ограничивают максимально допустимый постоянный ток стока (переключаемый ток может быть больше). С ростом температуры максимально допустимый ток уменьшается.
Общий заряд затвора (Qg) — заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора. Чем меньше этот параметр, тем меньшая мощность требуется для управления транзистором.
Выше описаны наиболее важные параметры MOSFET-транзисторов. В даташитах производитель указывает много дополнительных параметров: заряд затвора, ток утечки затвора, импульсный ток стока, входная емкость и др.
Что важно учесть при монтаже MOSFET-транзистора
При работе с MOSFET транзисторами нужно учесть, что они могут быть повреждены статическим электричеством на ваших руках или одежде.
Перед монтажом на печатную плату необходимо соединить выводы транзистора между собой тонкой проволокой.
Для пайки лучше используйте паяльную станцию, а не обычный электрический паяльник.
Вместо отсоса для удаления припоя используйте медную ленту для удаления припоя. Это уменьшит вероятность пробоя затвора статическим электричеством. Или используйте антистатический браслет.
Ra14 mosfet чем заменить
Последний раз редактировалось sinsei Чт ноя 21, 2019 17:40:22, всего редактировалось 2 раз(а).
SSkot  | ||||
Карма: 40 |
| |||
| ||||
| alexradio1103 | ||
| ||
| Чумак | ||||
Карма: 84 |
| |||
| ||||
| sinsei |
| |
| Вернуться наверх |
| SSkot | ||||
Карма: 40 |
| |||
| ||||
| АлександрNZ | ||||
Карма: 71 |
| |||
| ||||
| sinsei |
| |
| ||
