Vccsa voltage что это в биосе
GreenTech_Reviews
Постараемся разобраться что же означают разнообразные функции BIOS материнских плат на базе чипсета Intel Z77.
//обновлено 16.12.2012, 20:53
Ну что ж, вы купили плату на чипсете Z77, процессор с индексом «K» и хотите выжать из них все соки? Заходите в BIOS и видите много разных непонятных опций?
Тогда вы пришли по адресу.
//данный материал будет пополняться
Если вы пропустили семейство процессоров Sandy Bridge, то сразу возникает вопрос — куда делся параметр FSB? Ведь благодаря ему мы разгоняли наши процессоры в прошлом.
Теперь он называется BCLK и равен 100 МГц. Но разгонять придётся множителем (для этого мы и брали процессор с индексом «K»), т.к. разгон по «шине» теперь довольно сильно ограничен.
Заявленная максимальная температура в стресс-тестах — 105 градусов по Цельсию. Но не стоит перегибать палку и рекомендуется не выходить за рамки 85 градусов.
Превышение максимальных значений может привести к деградации или смерти процессора!
Администрация ресурса не несёт ответственности за ваши действия, если они приведут к выходу комплектующих из строя.
VCore (VCC) — напряжение на процессор. Intel не рекомендует превышать отметку 1.52 В. Но если вы охлаждаете процессор воздушным охлаждением или водой, то не превышайте порог 1.45 В.
CPU PLL (VCCPLL) — напряжение на интегрированный генератор тактовой частоты. Уменьшение напряжения может снизить температуру, но и уменьшить стабильность системы в разгоне. Снижение VCCPLL может привести к падению производительности в разгоне, поэтому не опускайте это напряжение ниже 1.71 В. Если вы установили максимально возможное напряжение VCore (VCC), то можете попробовать увеличивать VCCPLL. Но не превышайте порог 1.89 В.
VCCIO (QPI/VTT) — напряжение на интегрированный в процессор контроллер памяти. Не стоит менять значение, если вы разгоняете только процессор. Но для разгона памяти увеличение напряжения может помочь. Номинал обычно 1.05 В. Безопасный максимум 1.25 В.
VCCSA (IMC/System Agent). Если вы новичок, то не изменяйте этот параметр. Увеличение напряжения поможет стабилизировать систему при разгоне памяти и/или BCLK. Максимально допустимое значение — 1.1 В.
DRAM Voltage (DDR Voltage, VDIMM) — напряжение на оперативную память. Intel рекомендует не выходит за рамки 1.5 В, но огромная часть комплектов на рынке имеет рабочее напряжение 1.65 В. Выходить за пределы 1.65 В не рекомендуется.
VGFXVID (IGPU или IGFX Voltage) — напряжение на встроенное графическое ядро. Для разгона процессора изменять не имеет смысла. Максимально допустимое значение — 1.52 В.
Skew Driving Voltage — номинальное значение 1.05 В. Изменять надо только при охлаждении процессора до отрицательных температур при очень высоких значениях BCLK.
2nd VCCIO Voltage (в материнских платах ASUS серии ROG) — разделённое VCCIO, чтобы можно было контроллировать его отдельно. Обычно надо придерживаться их равным значениям, но при сильном разгоне для бенчмарков можно изменять это значение вне зависимости от основного VCCIO.
PCH Voltage — нет смысла изменять это значение при разгоне. На данный момент никакой связи с разгоном не выявлено.
VTTDDR — для памяти с частотой ниже 2400 МГц можно оставлять в Auto. Если вы планируете разгонять память свыше 2400 МГц, то для начала выставляйте 0.85 В. В идеале это значение должно быть равно половине значения напряжения на оперативную память (DRAM Voltage). Для корректного завершения теста Super Pi 32M увеличьте этот параметр на 1-2 шага — этого должно хватить.
DRAM DATA и CTRL References для всех каналов — по умолчанию равно половине значения напряжения на оперативную память (DRAM Voltage). Изменение этого параметра может увеличить стабильность системы на очень высоких частотах памяти.
LLC (Load-Line Calibration). Простыми словами, когда процессор достигает максимальной загрузки, то напряжение на него (VCore (VCC)) имеет свойство снижаться и система может уходить в BSOD (синий экран). Для решения этой проблемы и была придумана данная функция. Работа на каждой плате несколько отличается и названия уровней LLC могут отличаться, но смысл один — поддержание стабильного напряжения даже при 100% нагрузке на процессор.
CPU Spread Spectrum — рекомендуется выключать (Disabled) при разгоне. Иначе система может быть нестабильна.
BCLK Recovery — если данная функция включена, то когда при разгоне по BCLK система не проходит POST, частота BCLK сбрасывается до номинальных 100 МГц.
Копирование любых материалов сайта допускается только с разрешения Администратора сайта (профиль, e-mail) и со ссылкой на источник.
По вопросам сотрудничества можно и нужно обращаться по этим же адресам 🙂
Intel Coffee Lake: разгон Core i7-8700K
Страница 2: Основы разгона и напряжения
Стабилизация напряжений и Loadline/LLC
Еще с процессорами Skylake Intel отказалась от интегрированного стабилизатора напряжений (FIVR, Fully Integrated Voltage Regulator). После Kaby Lake2 то же самое верно и для Coffe Lake. Поэтому производителям материнских плат приходится добавлять собственные стабилизаторы напряжений, которые должны обеспечивать достаточные возможности для разгона. В результате разгон вновь существенно зависит от возможностей материнской платы – по сравнению, например, с процессорами Haswell.
Вместе с тем изменение схемы питания означает, что некоторые напряжения и взаимосвязи, которые оказывали существенное влияние на поведение Haswell и ограничивали разгон, теперь остались в прошлом. Можно сказать, что разгон вновь стал несколько проще (сравним со старыми поколениями Sandy Bridge и Ivy Bridge). Также вернулись эффекты Loadline Vdrop или Vdroop. Новичков могут несколько запутать «разные» значения VCore (UEFI и Windows Idle, реальные значения Windows в режиме бездействия и Windows под нагрузкой).
Начнем с эффекта Vdrop. Под Vdrop понимают разницу между напряжением, выставленным в UEFI BIOS, и реальным напряжением под Windows в режиме бездействия. Например, если в UEFI выставлено фиксированное напряжение Vcore (скажем, 1,2 В), под Windows мы получим несколько иное значение, как правило, немного меньше (скажем, 1,176 В вместо 1,2 В, выставленных в BIOS). Данный феномен и называется Vdrop. Что касается Vdroop, то под этим термином понимают падение напряжения VCore в режиме бездействия и под полной нагрузкой. Если взять наш пример, то напряжение 1,176 В в режиме бездействия под нагрузкой может упасть до 1,120 В. Падения Vdrop/Vdroop сделаны намеренно, чтобы «сгладить» пики напряжений при изменении нагрузок, а также продлить срок службы CPU и подсистемы питания.
Данной особенности противодействует технология LLC (Load Line Calibration). Она предотвращает падение напряжений под нагрузкой или даже повышает напряжение в зависимости от выставленного уровня.
Функция LLC довольно полезна, поскольку при активной LLC в UEFI достаточно выставить 1,3 В, чтобы получить реальные 1,3 В, иначе пришлось бы выставлять 1,4 В в UEFI (при нормальном режиме Intel Loadline). Но не следует забывать, что при использовании LLC и изменении нагрузки возможны пики напряжений, которые существенно превышают уровень, выставленный в UEFI. И они могут быть больше, чем в обычном режиме UEFI с завышенным напряжением (с Intel Loadline).
На материнской плате ASUS ROG Maximus X Apex, которая используется в статье, технология ASUS Loadline реализована следующим образом:
В UEFI для тестов Load Line Calibration мы выставляли напряжение VCore 1,30 В.
Мы получили следующие значения:
Как можно видеть, в режиме LLC Level 1 мы получаем работу Load Line в соответствие со спецификациями Intel. В случае LLC Level 8 мы получаем обратный эффект относительно Intel Load Line (особенно под нагрузкой), напряжение VCore увеличивается, а не падает. Так что уровни LLC от 6 до 8 лучше избегать, особенно на высоких напряжениях VCore.
На материнской плате ASRock Fatal1ty Z370 Gaming K6 технология LLC с процессорами Coffee Lake реализована следующим образом:
В UEFI для тестов Load Line Calibration мы выставляли напряжение Vcore 1,30 В.
Мы получили следующие значения:
Как можно видеть, ASUS и ASRock реализовали LoadLine Calibration по-разному. У ASRock LLC Level 5 соответствует спецификациям Intel Loadline, а в LLC Level 1 напряжение даже увеличивается по сравнению со спецификациями Intel (под нагрузкой). Так что мы рекомендуем избегать LLC Level 1 при выставлении VCore на очень высокие значения.
Важные напряжения
Перейдем к рассмотрению напряжений и их корректного использования.
Конечно, основным напряжением можно назвать VCore, то есть напряжение ядер CPU. Оно обеспечивает питание вычислительных ядер и напрямую влияет на результаты разгона (тактовую частоту CPU). В документации 7-го поколения процессоров Core (она верна и для Coffee Lake) указано максимально допустимое напряжение ядер 1,52 В, однако оно соответствует состоянию без разгона, а также значению в UEFI без LLC. Если учитывать технологию Intel Loadline, то в Windows под нагрузкой напряжение составляет около 1,4 В. Но все же с учетом 14-нм техпроцесса стоит подстраховаться. Для работы в режиме 24/7 лучше не превышать планки VCore 1,35 В (даже если CPU хорошо охлаждается). Кроме того, даже при таком уровне следует помнить о возможном выходе из строя CPU и существенном снижении срока службы.
Следующие значимые напряжения – VCCIO и VCCSA, влияющие на оперативную память и ее частоту, а также встроенный контроллер памяти IMC в CPU. Дополнительного входного напряжения (которое значилось VCCin или Input Voltage), знакомого нам по процессорам Haswell и Haswell Refresh (Devil’s Canyon), больше нет. Отдельного напряжения кэша тоже не предусмотрено – кэш и ядра работают на одном напряжении VCore.
Ниже мы привели краткий обзор отдельных напряжений, а также стандартные и максимальные рекомендованные значения:
Напряжения | |
---|---|
VCore (напряжение ядер) | Зависит от CPU (макс. рекомендованное 1,35 В) |
VCCIO (VTT/IMC/I/O) | 0,95 В (макс. рекомендованное от 1,15 до 1,20 В) |
VCCSA (SA/IMC) | 1,05 В (макс. рекомендованное от 1,15 до 1,20 В) |
VDIMM (RAM) | 1,2 В (макс. рекомендованное от 1,25 до 1,4 В) |
PCH Voltage (чипсет) | 1 В (макс. рекомендованное до 1,15 В) |
VCCPLL (PLL) | 1 В (макс. рекомендованное до 1,1 В) |
VCCST (Standby) | 1 В (макс. рекомендованное до 1,1 В) |
Судя по нашему опыту, напряжения VCCIO и VCCSA можно оставлять на значениях по умолчанию до частоты памяти 3.200 МГц. Только при повышении тактовой частоты памяти напряжения имеет смысл увеличить до уровня 1,1-1,15 В. Вторичные напряжения имеет смысл смотреть, если в тестах нагрузки Prime будут наблюдаться частые «вылеты» или завершения процессов по отдельным ядрам.
Новый уровень свободы – отвязка BCLK и AVX Offset
Ещё одним новшеством платформы Skylake (и всех последующих платформ, в том числе Coffee Lake) стала отвязка базовой эталонной частоты от частоты PCIe. Подобная привязка серьезно ограничивала возможности разгона, в зависимости от CPU и материнской платы можно было рассчитывать на разгон BCLK всего на 3-8%. Сейчас частота PCIe не связана с базовой частотой. В результате BCLK можно выставлять сравнительно свободно, поскольку влияния на другие частоты нет. Возможно, скажем, увеличение BCLK до 300-350 МГц с воздушным или водяным охлаждением.
Самое большое преимущество подобной отвязки заключается в разнообразии способов, с помощью которых можно достичь нужной тактовой частоты. Например, если вы хотите разогнать CPU до 4.500 МГц, то можно выбрать множитель 15 (и частоту 300 МГц BCLK) или множитель 53 (и частоту 85 МГц BCLK). Так что оверклокеры получают больше свободы, чем раньше. Можно выставлять и непривычные тактовые частоты, например, 4.550 МГц.
Разницу по производительности между двумя способами вряд ли стоит ожидать. Но мы получаем интересные возможности для экстремального разгона и тестов, так как можно пытаться выжимать последние мегагерцы. Для обычных пользователей, как мы уже упомянули, мы получаем просто больше степеней свободы.
Еще одной инновацией после процессоров Kaby Lake и материнских плат на чипсете Z270 с кодовым названием Union Point стала функция AVX Offset. Она автоматически снижает тактовую частоту на определенное значение, если приложение задействует инструкции AVX2. В результате можно провести стрессовые тесты без инструкций AVX2, а если приложение задействует AVX2, то частота будет снижена. Дело в том, что требования к стабильности при использовании инструкций AVX2 обычно намного выше, чем в случае приложений, которые эти инструкции не используют.
Vccsa voltage что это в биосе
Особенности разгона процессоров Sandy Bridge на материнских платах ASUS P8P67 (Pro/Evo/Deluxe)
Сохраняем настройки, перезагружаем комп, заходим в биос еще раз.
6. AI Tweaker Menu. Меняем настройки турбо.
— Turbo Ratio = By All Cores (Can Be Chanched in OS)
— By All Cores = 40 (Вот здесь меняется основной множитель проца. Пока можно установить любой безопасный, например, 40).
Сохраняем настройки, перезагружаем комп, заходим в биос еще раз.
Заходим в AI Tweaker Menu. Меняем настройки множителя турбо.
— Turbo Ratio = By All Cores (Can Be Changed in OS)
— By All Cores = 45 / 46 / 47 / 48. Здесь все понятно. Устанавливаете множитель и проверяете систему на стабильность.
ВНИМАНИЕ! Программа CPU-Z в зависимости от настроек TURBO не всегда правильно определяет текщую частоту процессора! (Правильно определяет только последняя бета, которой нет на официальном сайте программы). Для мониторинга частоты используем ИСКЛЮЧИТЕЛЬНО ASUS AI SUITE (присутствует на ДВД с драйверами к материнке), при этом если программа показывает, что Bclock плавает в пределах 98- 102, на самом деле это не так, базовая частота не изменяется.
Примерный вольтаж процессора I7-2600K (моего экземпляра) на разной частоте. (Load Line Calibration в биосе установлен в значение Ultra High).
Частота(МГц) // Vcore (в биосе) // Vcore (в простое) // Vcore (под нагрузкой)
Один момент. В разделе Monitor EFI-биоса ASUS P8P67 (PRO/EVO/DELUXE) есть опция Anti-Surge Support, я ее установил в disabled. Пока не знаю может она влиять на разгон или нет. Хотя понимаю, что вроде-бы не должна.
Приглашую всех владельцев материнок ASUS серии P8P67 поделиться своими рецептами разгона. Будет интересно обменяться опытом.
Разгон оперативной памяти DDR4 на AMD Ryzen и Intel Core
На github.com кто-то заморочился и сделал полноценный гайд по разгону оперативной памяти DDR4 на Intel и AMD Ryzen. А в качестве базовой информации в дополнении к нашему видео он будет полезен каждому.
Делимся переводом, приятного прочтения.
Содержание
Подготовка
Ожидания и ограничения
В этом разделе рассматриваются 3 компонента, влияющие на процесс разгона: микросхемы (чипы памяти), материнская плата и встроенный контроллер памяти (IMC).
Материнская плата
Замечено также, что дешёвые материнские платы могут не разогнаться, возможно по причине низкого качества печатной платы и недостаточного количества слоёв (?).
Микросхемы (чипы памяти)
Отчёты Thaiphoon Burner
По общему мнению, свои отбракованные низкосортные чипы Micron реализует под брендом SpecTek. Многие стали называть этот чип “Micron E-die” или даже просто “E-die”. Если в первом случае ещё куда ни шло, то во втором уже возникает путаница, поскольку подобная маркировка («буква-die») используется у микросхем Samsung, например – “4 Гб Samsung E-die”. Под “E-die” обычно подразумевается чип Samsung, поэтому стоит уточнять производителя, говоря о чипах Micron Rev. E как об “E-die”.
Масштабирование напряжения попросту означает, как чип реагирует на изменение напряжения. Во многих микросхемах tCL масштабируется с напряжением, что означает, что увеличение напряжения может позволить вам снизить tCL. В то время как tRCD и tRP на большинстве микросхем, как правило, не масштабируются с напряжением, а это означает, что независимо от того, какое напряжение вы подаёте, эти тайминги не меняются. Насколько я знаю, tCL, tRCD, tRP и, возможно, tRFC могут (либо не могут) видеть масштабирование напряжения. Аналогичным образом, если тайминг масштабируется с напряжением, это означает, что вы можете увеличить напряжение, чтобы соответствующий тайминг работал на более высокой частоте.
Масштабирование напряжения CL11
На графике видно, что tCL у CJR 8 Гб масштабируется с напряжением почти ровно до 2533 МГц. У B-die мы видим идеально-ровное масштабирование tCL с напряжением.
Некоторые старые чипы Micron (до Rev. E) известны своим отрицательным масштабированием с напряжением. То есть при повышении напряжения (как правило, выше 1,35 В) они становятся нестабильными на тех же таймингах и частоте. Ниже приведена таблица некоторых популярных чипов, показывающая, какие тайминги в них масштабируются с напряжением, а какие нет:
Чип | tCL | tRCD | tRP | tRFC |
8 Гб AFR | Да | Нет | Нет | ? |
8 Гб CJR | Да | Нет | Нет | Да |
8 Гб Rev. E | Да | Нет | Да | ? |
8 Гб B-die | Да | Да | Да | Да |
Тайминги, которые не масштабируются с напряжением, как правило необходимо увеличивать с частотой. Масштабирование напряжения tRFC у B-die.
Примечание: Шкала tRFC в тактах (тиках), не во времени (нс).
Ожидаемая максимальная частота
Ниже приведена таблица предполагаемых максимальных частот некоторых популярных чипов:
Чип | Ожидаемая максимальная частота (МГц) |
8 Гб AFR | 3600 |
8 Гб CJR | 4000* |
8 Гб Rev. E | 4000+ |
8 Гб B-die | 4000+ |
* – результаты тестирования CJR у меня получились несколько противоречивыми. Я тестировал 3 одинаковых планки RipJaws V 3600 CL19 8 Гб. Одна из них работала на частоте 3600 МГц, другая – на 3800 МГц, а последняя смогла работать на 4000 МГц. Тестирование проводилось на CL16 с 1,45 В.
Не ждите, что одинаковые, но разнородные по качеству, чипы производителя одинаково хорошо разгонятся. Это особенно справедливо для B-die.
Суть биннинга заключается в разделении производителем полученной на выходе продукции «по сортам», качеству. Как правило, сортировка производится по демонстрируемой при тестировании частоте.
Чипы, показывающие одну частоту, производитель отделяет в одну «коробку», другую частоту – в другую «коробку». Отсюда и название процедуры – “binning” (bin – ящик, коробка).
B-die из коробки «2400 15-15-15» намного хуже чем из коробки «3200 14-14-14» или даже из «3000 14-14-14». Так что не ждите, что третьесортный B-die даст образцовые показатели масштабирования напряжения.
Чтобы выяснить, какой из одинаковых чипов обладает лучшими характеристиками на одном и том же напряжении, нужно найти немасштабируемый с напряжением тайминг.
Просто разделите частоту на этот тайминг, и чем выше значение, тем выше качество чипа. Например, Crucial Ballistix 3000 15-16-16 и 3200 16-18-18 оба на чипах Micron Rev. E. Если мы разделим частоту на масштабируемый с напряжением тайминг tCL, мы получим одинаковое значение (200). Значит ли это, что обе планки – одного сорта? Нет.
А вот tRCD не масштабируется с напряжением, значит его необходимо увеличивать по мере увеличения частоты. 3000/16 = 187,5 против 3200/18 = 177,78.
Как видите, 3000 15-16-16 более качественный чип, нежели 3200 16-18-18. Это означает, что чипы 3000 15-16-16 очевидно смогут работать и как 3200 16-18-18, а вот смогут ли 3200 16-18-18 работать как 3000 15-16-16 – не факт. В этом примере разница в частоте и таймингах невелика, так что разгон этих планок будет, скорее всего, очень похожим.
Максимальное рекомендованное повседневное напряжение
Спецификация JEDEC указывает (стр. 174), что абсолютный максимум составляет 1,50 В
Напряжения, превышающие приведенные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к выходу устройства из строя. Это только номинальная нагрузка, и функциональная работа устройства при этих или любых других условиях выше тех, которые указаны в соответствующих разделах данной спецификации, не подразумевается. Воздействие абсолютных максимальных номинальных значений в течение длительного периода может повлиять на надежность.
Я бы советовал использовать 1,5 В только на B-die, поскольку известно, что он выдерживает высокое напряжение. Во всяком случае, у большинства популярных чипов (4/8 Гб AFR, 8 Гб CJR, 8 Гб Rev. E, 4/8 Гб MFR) максимальное рекомендуемое напряжение составляет 1,45 В. Сообщалось, что некоторые из менее известных чипов, таких как 8 Гб C-die, имеют отрицательное масштабирование или даже сгорают при напряжении выше 1,20 В. Впрочем, решать вам.
Ниже показано, как самые распространенные чипы ранжируются с точки зрения частоты и таймингов.
Встроенный контроллер памяти (IMC)
IMC от Intel достаточно устойчивый, поэтому при разгоне он не должен быть узким местом. Ну а чего ещё ждать от 14+++++ нм?
Для разгона RAM необходимо изменить два напряжения: System Agent (VCCSA) и IO (VCCIO). Не оставляйте их в режиме “Auto”, так как они могут подать опасные уровни напряжения на IMC, что может ухудшить его работу или даже спалить его. Большую часть времени можно держать VCCSA и VCCIO одинаковыми, но иногда перенапряжение может нанести ущерб стабильности, что видно из скриншота:
предоставлено: Silent_Scone.
Я не рекомендовал бы подниматься выше 1,25 В на обоих.
Ниже – предлагаемые мной значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:
Частота (МГц) | VCCSA/VCCIO (В) |
3000-3600 | 1,10 – 1,15 |
3600-4000 | 1,15 – 1,20 |
4000+ | 1,20 – 1,25 |
Если модулей больше, и/или используются двуранговые модули, то может потребоваться более высокое напряжение VCCSA и VCCIO.
tRCD и tRP взаимосвязаны, то есть, если вы установите tRCD на 16, а tRP на 17, то оба будут работать с более высоким таймингом (17). Это ограничение объясняет, почему многие чипы работают не очень хорошо на Intel и почему для Intel лучше подходит B-die.
В UEFI Asrock и EVGA оба тайминга объединены в tRCDtRP. В UEFI ASUS tRP скрыт. В UEFI MSI и Gigabyte tRCD и tRP видны, но попытка установить для них разные значения приведет просто к установке более высокого значения для обоих.
Ожидаемый диапазон латентности памяти: 40-50 нс.
В Ryzen 1000 и 2000 IMC несколько привередлив к разгону и может не дать столь же высоких частот, как Intel. IMC Ryzen 3000 намного лучше и более-менее наравне с Intel.
SoC voltage – это напряжение для IMC, и, как и в случае с Intel, не рекомендуется оставлять его в “Auto” режиме. Тут достаточно 1,0 – 1,1 В, поднимать выше смысла нет.
На Ryzen 2000 (а возможно и на 1000 и 3000), вольтаж выше 1,15 В может отрицательно повлиять на разгон.
«На разных процессорах контроллер памяти ведет себя по-разному. Большинство процессоров будут работать на частоте 3466 МГц и выше при напряжении SoC 1,05 В, однако разница заключается в том, как разные процессоры реагируют на напряжение. Одни выглядят масштабируемыми с повышенным напряжением SoC, в то время как другие просто отказываются масштабироваться или вовсе демонстрируют отрицательное масштабирование. Все протестированные экземпляры демонстрировали отрицательное масштабирование при использовании SoC более 1,15 В. Во всех случаях максимальная частота памяти была достигнута при напряжении SoC = GDM вкл CR 1T > GDM откл CR 2T.
У процессоров Ryzen 3000 с одним CCD (процессоры серий ниже 3900X) пропускная способность записи вдвое меньше.
«В пропускной способности памяти мы видим нечто странное: скорость записи у AMD 3700X – у которого скорость записи благодаря соединению кристаллов CDD и IOD составляет 16 байт/такт – вдвое меньше, чем у 3900X. AMD заявляет, что это позволяет экономить электроэнергию, снизить нагрев процессора (TDP), к чему так стремится AMD. AMD говорит, что приложения редко делают чистые операции записи, но в одном из наших тестов на следующей странице мы увидим, как это ухудшило производительность 3700X.»
Ryzen | Латентность (нс) |
1000 | 65-75 |
2000 | 60-70 |
3000 | 65-75 (1:1 MCLK:FCLK) 75+ (2:1 MCLK:FCLK) |
Достаточно высокий FCLK у Ryzen 3000 может компенсировать потери от десинхронизации MCLK и FCLK, при условии, что вы можете назначить MCLK для UCLK.
Разгон
Дисклеймер: потенциал разгона сильно зависит от «кремниевой лотереи» (чип чипу рознь), поэтому могут быть некоторые отклонения от моих предложений.
Процесс разгона достаточно прост и выполняется в 3 шага:
Нахождение максимальной частот
На AMD начинать нужно с 1.10 В SoC. Напряжение SoC может называться по-разному в зависимости от производителя.
Обратите внимание, что это добавочное напряжение. Базовое напряжение изменяется автоматически при увеличении частоты DRAM. Напряжение 0,10 В на частоте 3000 МГц может привести к фактическому напряжению 1,10 В, а 0,10 В на частоте 3400 МГц приводит уже к фактическому напряжению 1,20 В. MSI: CPU NB/SOC.
2. Установите напряжение DRAM 1,4 В. Для планок на чипах Micron/SpecTek (за исключением Rev. E) следует установить 1,35 В.
3. Выставите основные тайминги следующим образом: 16-20-20-40 (tCL-tRCD-tRP-tRAS). Подробнее об этих таймингах читайте тут (на англ.)
4. Постепенно увеличивайте частоту DRAM до тех пор, пока Windows не откажет. Помните об ожидаемых максимальных частотах, упомянутых выше. На Intel, быстрый способ узнать, нестабильны ли вы, это следить за значениями RTL и IOL. Каждая группа RTL и IOL соответствует каналу. В каждой группе есть 2 значения, которые соответствуют каждому DIMM. Используйте Asrock Timing Configurator. Поскольку у меня обе планки стоят во вторых слотах каждого канала, мне нужно посмотреть на D1 в каждой группе RTL и IOL. Значения RTL у планок не должны разниться между собой более чем на 2, а значения IOL более чем на 1.
В моём случае, RTL разнятся ровно на 2 (53 и 55), а значения IOL не разнятся вовсе (7 у обоих планок). Все значения в пределах допустимых диапазонов, однако имейте в виду, что это ещё не значит, что всё действительно стабильно.
На Ryzen 3000 – убедитесь, что частота Infinity Fabric (FCLK) установлена равной половине вашей действующей частоты DRAM.
5. Запустите тест памяти на свой выбор.
6. При зависании/краше/BSOD, верните частоту DRAM на ступень ниже и повторите тестирование.
7. Сохраните ваш профиль разгона в UEFI.
8. Теперь вы можете либо попытаться перейти на ещё более высокую частоту, либо начать подтягивать тайминги. Ее забывайте об ожидаемых максимальных частотах, о которых мы говорили ранее. Если вы достигли пределов возможностей чипа и/или IMC, то самое время заняться оптимизацией таймингов.
Пробуем повысить частоты
2. Увеличьте основные тайминги до 18-22-22-42.
3. Повысьте вольтаж DRAM до 1,45 В.
4. Выполните шаги 4-7 из раздела «Нахождение максимальной частоты».
5. Выполните оптимизацию («подтягивание») таймингов.
Дополнительно: Тайминги и частота — разрушаем мифы
Оптимизация таймингов
Обязательно после каждого изменения запускайте тест памяти и бенчмарк-тест, чтобы убедиться в повышении производительности.
На процессорах Ryzen 3000 с одним CCD пропускная способность записи должна составлять 90-95% от половины теоретической максимальной пропускной способности. Можно достичь половины теоретической максимальной пропускной способности записи. См. здесь (англ.)
2. Я бы рекомендовал для начала подтянуть некоторые второстепенные тайминги в соответствии с таблицей ниже, поскольку они могут ускорить тестирование памяти.
Тайминги | Надёжно (Safe) | Оптимально (Tight) | Предельно (Extreme) |
tRRDS tRRDL tFAW | 6 6 24 | 4 6 16 | 4 4 16 |
tWR | 16 | 12 | 10 |
3. Далее идут основные тайминги (tCL, tRCD, tRP).
4. Далее идёт tRFC. По умолчанию для чипов 8 Гб установлено значение 350 нс (обратите внимание на единицу измерения).
Ниже приведена таблица типичных значений tRFC в нс для наиболее распространенных чипов:
Чип | tRFC (нс) |
8 Гб AFR | 260-280 |
8 Гб CJR | 260-280 |
8 Гб Rev. E | 300-350 |
8 Гб B-die | 160-180 |
5. Оставшиеся второстепенные тайминги я предлагаю выставить следующим образом:
Тайминг | Надёжно (Safe) | Оптимально (Tight) | Предельно (Extreme) |
tWTRS tWTRL | 4 12 | 4 8 | — |
tRTP | 12 | 10 | 8 |
tCWL | tCL | tCL-1 | tCL-2 |
На Intel значения таймингов tWTRS/L следует сначала оставить в “Auto”, изменяя вместо них значения tWRRD_dg/sg соответственно. Уменьшение tWRRD_dg на 1 приведет к уменьшению tWTRS на 1. Аналогично с tWRRD_sg. Как только они достигнут минимума, вручную установите tWTRS/L.
6. Третьестепенные тайминги:
Пользователям AMD будет полезен этот текст (англ.)
Тайминг | Надёжно (Safe) | Оптимально (Tight) | Предельно (Extreme) |
tRDRDSCL tWRWRSCL | 4 4 | 3 3 | 2 2 |
Пользователям Intel следует настраивать третьестепенные тайминги группой за раз, как видно из таблицы предлагаемых мной значений.
А тут тайминги на B-die, к сведению.
tREFI – это тоже тайминг, позволяющий повысит ьпроизводительность. В отличие от всех других таймингов, чем выше его значение – тем лучше.
Не стоит слишком увлекаться им, поскольку перепады температур окружающей среды (например, зима-лето) могут быть достаточными для возникновения нестабильности.
7. Также можно увеличить напряжение DRAM, чтобы ещё больше снизить тайминги. Вспомните про масштабирование напряжения чипов и максимальное рекомендованное повседневное напряжение, о чём мы говорили выше.
Дополнительно: Настройка таймингов DRAM на ASUS ROG MAXIMUS XI APEX
Дополнительные советы
Увеличение CLDO_VDDP похоже влияет положительно на частотах выше 3600 МГц, так как, по-видимому, улучшается гибкость и, следовательно, становится меньше ошибок.
Также будет интересно: