Trefi тайминг что это
Тайминги ОЗУ: разбираемся в нюансах
Что означают эти непонятные цифры на оперативной памяти для ПК? Ведь тайминги напрямую влияют на ее быстродействие, но их величина — это вовсе не объем и не скорость. Рассказываем понятным языком и объясняем, какие параметры лучше.
При выборе оперативной памяти для ПК многие пользователи сталкиваются с вопросом изучения характеристик чипов, в том числе рабочих частот и таймингов. Но если с первыми все понятно — чем они выше, тем быстрее память, то со вторыми не все так просто. Мы расскажем, для чего нужен этот параметр и как выбрать планку с оптимальными значениями таймингов.
ЧЧто влияет на скоростные параметры ОЗУ
От скоростных показателей оперативной памяти зависит как быстро будет осуществляться обмен данными между процессором и жестким диском и системой. Чем выше частота работы чипов, тем больше операций чтения/записи она может выполнить в единицу времени. Конечно, от объема оперативной памяти также зависит общее быстродействие ПК, но лишь в определенных программах.
Это можно сравнить с работой экскаватора: процессор (оператор) дает команды экскаватору (ковшу) забрать определенное количество грунта (данных) из котлована (жесткого диска). Чем больше ковш, тем больше грунта (данных) будут забраны и доступны к оперативному использованию. Но быстродействие ПК зависит от слаженной работы всех компонентов системы.
1 байт = 8 бит
Из этого можно вычислить, что DDR3 с частотой 1600 МГц сможет обработать 12800 бит/сек. Аналогично этому DDR4 2400 сможет попустить через себя данные со скоростью 19200 бит/сек. Таким образом, со скоростью обработки данных разобрались.
Теперь плавно переходим к таймингам. Эти цифры также указывают на наклейках на оперативной памяти в виде счетверённых через дефис цифр, например, 8-8-8-24, 9-9-9-24 и т.д. Эти цифры обозначают, какой промежуток времени (задержка) необходим модулю RAM для доступа к битам данных при выборке из таблицы массивов памяти.
Эта задержка характеризует, какое количество тактовых импульсов необходимо для считывания данных из ячеек памяти для 4-х таймингов. Самый важный из четырех цифр — первый, и на этикетке может быть написан только он.
Поэтому, в этих характеристиках действует обратный принцип: чем меньше числа, тем выше скорость. А меньшая задержка обеспечит быстрее считать или записать данные в ячейку памяти и затем достигнут процессора для обработки.
Тайминги замеряют период ожидания (CL, CAS Latency, где CAS — Acess Strobe) чипа памяти, пока он обрабатывает текущий процесс. Т.е. это время между получением команды на чтение и ее выполнением. Со следующими двумя цифрами все несколько сложнее. Вторая цифра в строке таймингов RAS-CAS, ) является ни чем иным, как отрезок времени между получением команды «Active» и выполнением поступающей после нее команды на чтение или запись. Здесь также — чем меньше, тем лучше.
Третья цифра, это RAS Precharge — время, за которое проходит между завершением обработки одной строки и переходом к другой. И последняя цифра демонстрирует параметр памяти Row Active. Он определяет задержку, в течение которой активна одна строка в ячейке.
ККакие тайминги лучше выбирать
Вы также можете подобрать себе оперативную память в качестве апгрейда. Здесь также нужно придерживаться правила равных таймингов, и не допускать, чтобы какой-то из них, например, опережал почти на треть цикла.
Если же вы намерены установить на ПК самую быструю память, что следует учесть, что, например, тайминги 4-4-4-8, 5-5-5-15 и 7-7-7-21 могут обеспечить очень быстрый доступ к данным, но процессор и материнская плата не смогут этим воспользоваться. При этом важно, чтобы в материнской была возможность вручную установить тайминги для ОЗУ.
ККак узнать тайминги оперативной памяти
Для этих целей не обязательно вскрывать корпус и вытаскивать из слотов планки оперативной памяти. Специальная бесплатная утилита CPU-Z позволит быстро узнать нужные цифры таймингов. Для вычиcления тайминга самостоятельно можно использовать довольно простую формулу:
Время задержки (сек) = 1 / Частоту передачи (Гц)
1 / 400 000 000 = 2,5 нсек (наносекунд)
периода полного цикла (время такта). А теперь считаем задержку для обоих вариантов, представленных в рисунках. При таймингах CL-11 модуль будет выдавать «тормоза» периодом 2,5 х 11 = 27,5 нсек. В CPU-Z это значение показано как 28. Как видно из формулы, чем ниже каждый из указываемых параметров, тем быстрее будет ваша оперативная память работать.
ККак вручную задать тайминги в BIOS
Такая возможность есть не в любой материнской плате — лишь в оверклокерских модификациях. Вы можете попробовать выставить тайминги вручную из предлагаемых системой значений, после чего нужно внимательно следить за стабильностью работы ПК под нагрузкой. Если в БИОС специальных настроек не предусмотрено, то стоит смириться с теми, которые установлены по умолчанию.
Да ты гонишь! Почему на одних конфигурациях оперативка разгоняется выше, чем на других
Разгон памяти, дело добровольное. Как понять, от чего зависит разгон памяти, какие есть тонкости в подборе комплектующих и как «прогнать» память, чтобы было за нее не стыдно!
Изучение, анализ и подбор – три составляющих успеха в разгоне памяти. Чтобы начать разгонять память без погружения в пучины технических знаний, необязательно быть специалистом. Половина успеха зависит от платформы, вторая часть – это правильный выбор ранговости, количество модулей и частот памяти Kingston и HyperX.
Чипсеты Intel
Со стороны Intel производитель предлагает россыпь процессоров от начального до топового уровня — есть из чего выбирать. В качестве основы «синих» систем сейчас присутствует 2 поколения чипсетов и их возможности в плане разгона ЦП и памяти очень тривиальны. Официально Intel считает всего одну модель чипсета пригодной для разгона и это семейство Z 390/490. Все остальные проходят мимо.
Впрочем, из-за этого процесс выбора сведен к простому, казалось бы, выбору, но нет. С Z 390/490 все просто – определились с количеством интерфейсов, разъемов PCIe/USB и т.п. Нашли подходящую материнскую плату и купили. Зашли в BIOS или программу для разгона и попали в новый таинственный мир удивительных открытий. Если разгон не нужен, то покупаем любую подходящую плату. А с третьим вариантом притормозим. Хотя компания Intel официально и не признает разгон памяти на любых версиях чипсета за исключением двух ранее упоминавшихся, но производители стараются открыть пользователям скрытые возможности. В зависимости от модели могут быть доступны настройки (базовые или расширенные) таймингов памяти и делители (только ниже частоты, указанной в спецификации Intel для выбранного процессора). Например, некоторые удачные версии плат на чипсете B460/H470 все же наделены опциями по тонкой настройке таймингов памяти и форсировании режимов Turbo на процессорах, так называемая фиксация PL режимов (перевод работы процессора в постоянно поддержание турбо частоты).
Кстати, о доступных частотах памяти на младших B460/H410/H470: фактически, платы либо самостоятельно выставляют частоту памяти по спецификациям Intel (легко проверить, найдя интересующий вас процессор на сайте ark.intel.com и посмотреть на строку «Типы памяти»), либо при первой загрузке ставится минимальная частота согласно спецификации JEDEC (обычно все настройки поддерживаемых частот записаны в микросхеме SDP). Q470 – чипсет аналог Z490 по периферийным интерфейсам, но без разгона процессора. Оставшийся в списке W480 стоит особняком. Он поддерживает разгон памяти и можно выставить повышенные множители для Dram, однако в продаже плат с ним практически не найти.
Тонкости контроллера памяти и разводки плат
Если бы в компьютерном мире все было бы просто, то жить было бы легче! Увы, или к счастью, это не так. Помимо загрузки вашей головы типами чипсетов для разгона памяти важны и другие характеристики комплектующих. Начать стоит со второй составляющей и это контроллер памяти в процессоре. На последних 5 поколениях этот аппаратный блок напрямую связан с System Agent в ЦП и с шиной. Объективно, несмотря на постоянство в выборе тех. процесса (14 нм и различные улучшения +, ++, +++) компания постоянно улучшает их способности держать более высокие частоты без запредельно высоких напряжений. Вспоминая разгон памяти на процессорах от Kaby Lake до Comet Lake, нельзя отрицать тот факт, что процесс упростился, а финальные частоты выросли. Не последнюю очередь это связано с более тщательным подходом написания таблиц таймингов и субтаймингов в XMP комплектов памяти. Это серьезно упрощает алгоритм материнской платы по первоначально загрузке, хотя некоторые производители вносят либо слишком короткий список таймингов, забывая о вторичных/третичных, либо сильно повышают напряжение на контроллер памяти и системный агент. Такие действия приводят систему в нестабильное состояние, а часто повышенное напряжение перегревает процессор. Поэтому стоит внимательно подходить к выбору комплекта памяти. А помимо ранее озвученных составляющих разгона Dram чуть не упустили из виду правильность разводки слотов.
Топология
Для DDR4 обычно используют два вида разводки слотов — Daisy chain и T-topology.
T-Topology обладают редкие экземпляры материнских плат и приспособлены для лучшего разгона 4 модулей памяти. T-Topology разводка позволяет достичь частот более 4 ГГц сразу на 4 планках Dram, в то время как Daisy chain с 2 модулями добирается в руках пользователей до частоты более 4,5 ГГц.
Daisy chain – разводка оптимизирована для 2 модулей памяти. При условии удачного процессора и хорошо разгоняемой памяти лучше выбирать такие платы с 2 занятыми слотами Dimm. Второй вариант разводки косвенно можно отличить по рекомендациям производителей устанавливать память сначала в последние слоты, которые являются своего рода первыми в очереди в логической цепочке ответвлений от контроллера памяти.
Ранги
С топологиями разводки каналов разобрались, переходим к рангам памяти…
Ранг памяти — это блок или область данных, которые создаются с использованием нескольких или всех микросхем памяти в модуле. Ранг — это блок данных шириной 64 бита. Не стоит путать ранги с расположением микросхем памяти на текстолите. Результаты разгона памяти с двумя рангами довольно печальные, контроллеру памяти и шине тяжело справлять с четырьмя рангами. Максимум, что доступно — от 3466 МГц при CL14 до 3600 МГц при CL16. Единственный плюс от четырех рангов — это внушительный объем оперативной памяти и технология чередования рангами, которая увеличит производительность системы в играх. Узнать о количестве рангов можно из расшифровки модулей на сайте производителя, либо через утилиты Thaiphoon/Aida64/ CPU-Z.
В программе Thaiphoon легко определить производителя микросхем, организацию модуля памяти, ранговость и остальные параметры.
• Manufacturer – производитель микросхем;
• Die Density / Count – Емкость одной микросхемы в Гбитах и кодовое название. Его обычно используют в профильных форумах для ориентации среди различных версий микросхем. Обычно говорят Samsung B-die, либо Micron E-die;
• Composition – организация банков в одной микросхеме памяти (2048 Мбит*8=16 Гбит);
• Capacity – емкость всего модуля памяти, в скобках указано количество микросхем;
• Organization – в этом поле можно точно узнать ранговость вашей памяти (1/2 ranks);
Постепенно, начиная с конца 2019 года, Kingston переходит на использование 16 Гбит чипов памяти. Поэтому емкие комплекты Dram организуются из 16 Гбит микросхем с одноранговой адресацией, емкостью 16 ГБ и двухранговой 32 ГБ.
Промежуточный итог
Вкратце, для материнских плат с разводкой:
Daisy chain — лучший вариант для разгона 2 модулей памяти с одноранговой организацией, чуть хуже планки с двумя рангами. Следующая комбинация, состоящая из 4 Dimm с одним рангом, а далее с двумя рангами.
Для T-topology — для разгона подходят 4 модуля памяти с одноранговой организацией, но можно устанавливать 2 модуля с двумя рангами. Совсем неподходящая комбинация 2 или 4 модуля с двумя рангами.
По уровню разгона согласно мировой статистике: 8 Гб B-die > 8 Гб Micron Rev. E > 8 Гб CJR > 4 Гб E-die > 8 Гб AFR > 4 Гб D-die > 8 Гб MFR > 4 Гб S-die.
Чипсеты AMD
Легко выбрать, сложно разогнать! С платформой AMD AM4 все с одной стороны просто в вопросе выбора чипсета, а с другой — во много раз сложнее. Любой современный чипсет AMD поддерживает разгон памяти и процессора, даже сверхбюджетный A520. Другое дело, что некоторые производители материнских плат урезают в BIOS нужны пункты меню, например, редактор PBO режимов. Но в целом, начиная с B450 разгон возможен в полной мере.
О контроллере
Zen 2/3 поколения Ryzen оснащаются контроллером памяти, ведущий свою родословную со времен Bulldozer. Конечно, в него внесены изменения для DDR4, но контроллер построен на все том же 12-нм техпроцессе. В Zen 3 он не претерпел никаких изменений, однако благодаря новой компоновке ядер Zen 3 лишился одной промежуточной шины IF, что положительно сказалось на времени доступа к ОЗУ.
Почему же разгон на AMD сложнее и требует некоторого объема знаний?
Из-за использования специальной шины Infinity Fabric, которая связывает между собой отдельные блоки в процессоре, именуемые CCX. Infinity Fabric имеет свой собственный тактовый домен, который синхронизируется с физической частотой памяти. Начиная со второго поколения Zen получил дополнительный режим, когда частота IF принимает значение частоты памяти, а также 1/2 MEMCLK, который существенно увеличит частотный потенциал DRAM во время разгона. Идеальным режимом работы IF для максимальной производительности все еще остается соотношение 1:1. Не будем вдаваться в подробности, но для игр соотношение работы памяти и IF 1 к 1 дает несколько вариантов оптимальных частот – это 3600, 3800 МГц. В зависимости от удачи, если вам попадется счастливый билет вытянуть процессор со стабильно функционирующим IF в 4 ГГц, то можем вас поздравить, вы уникальный человек.
Разумным выбором для процессоров Ryzen 3ххх было и остается использование модулей памяти DDR4-3600 или DDR4-3733. Предельная частота шины Infinity Fabric составляла 1800-1867 МГц. Далее переключался делитель, который позволял разгоняться памяти выше, но дивидендов система не получала. Все это касается и новых Ryzen 5xxx серии. Происходит это потому, что вместе с IF синхронно увеличивается частота L3-кеша, тем самым поднимая пропускную способность внутри процессора.
О памяти для AMD
Теперь вы ознакомлены с нюансами работы контроллера памяти, шины IF и L3-кеша, а что же с выбором материнской платы. Как и ранее упомянутые топологии (Daisy chain и «Т»), для процессоров AMD производители выпускают оба типа плат с большим перевесом в сторону Daisy chain. Поэтому оптимальные рекомендации по памяти выглядят следующим образом:
Покупка одноранговой памяти в количестве 2 штук максимального объема для максимального разгона. Чипсет не важен, будь то B550 или Х470/570. Этот совет распространяется на 90% любых конфигураций с процессорами AMD. Совсем неоднозначные результаты разгона достигаются на двухранговых модулях памяти. В промежутке стоит комплект с четырьмя одноранговыми модулями. Завершает парад система с четырьмя двуранговыми планками памяти. Как определить топологию материнской платы под AMD? Спасибо, интернету, все за нас определено. Достаточно пройти по ссылке и найти интересующую материнскую плату.
Вернемся к подбору памяти исходя из топологии купленной материнской платы. Конечно, установив память в систему и запустив программу, мы со 100% уверенностью скажем, сколько рангов в нашей памяти. Но есть инструмент и проще, без покупки «кота в мешке». Заходим на страницу памяти, выбираем интересующие нас параметры (тайминги, цвет, объем, подсветку) и смотрим в описание. Для примера рассмотрим два комплекта Fury X объемом 32 Гб и 64 Гб.
64 ГБ комплект HyperX FURY DDR4 RGB, состоящий всего из 2 модулей создан в двухранговой конфигурации. Об этом нам сообщает надпись 2Rx8.
В случае с аналогичным комплектом, но объемом 32 ГБ организация планок превращается в одноранговый тип (1R). Вот такой простой способ определении рангов, используемых в памяти.
Программы, таблицы, алгоритмы помогающие разгонять память
Для платформы Intel
Не всегда память может стартовать с готовых настроек XMP, особенно высокочастотная. Поэтому сначала начните с применения профиля XMP, но на частоте 3200 МГц. В BIOS обязательно убираем MRC Fast boot. Запишите основные тайминги и откройте программу тайфун, чтобы узнать, с какими чипами имеете дело. Запустите TestMem5 и сделайте непродолжительный тест. Для уменьшения времени грубой настройки не ждите часами, при стабильности в несколько минут можно идти и снижать тайминги. Снижайте и изменяйте их по одному, выискивая нестабильные показатели. Обязательно записывайте значения, какие тайминги были нестабильными. Не пытайтесь выставить предельно низкие тайминги или высокую частоту памяти сразу. С двумя модулями и высокой частотой (более 4 ГГц) CR выставить на 2, если стоит 1. С 4 модулями сразу можно начинать тест на значении CR 2. Изменения таймингов лучше начать с CL и RCD. Многие чипы не «любят» синхронных значений, для них CL всегда будет меньше, чем RCD. RAS сразу пробуйте по формуле RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше влияние исчезает. CWL =RRD_S, CKE=5, СCDL>=4.
RDRD_DD и похожие значения требуют внимания при использовании всех 4 слотов Dimm. Значение определять опытным путем и тестированием. Это тонкие настройки для стабилизации работы всех 4 планок.
RDWR_SG(DG) и похожие пункты меню в BIOS опускайте до минимальных, но рабочих значений. Для стабильности сделайте +2 к ним.
RFC настраивать можно в самом конце. Его не нужно понижать или повышать сверх меры, просто найдите число в стабильном диапазоне, который обычно бывает от +20 до +40 пунктов от базового.
REFi требует подгонки с тестированием и стандартно проявляет себя по принципу больше — лучше. Находится в зависимости от значения RFC. Последнее описывает статус времени отдыха памяти, а первый – работы.
Тестируйте тщательно, в том числе на холодную и с перезагрузками.
• Asrock Timing Configurator 4.0.4 – просмотр таймингов;
• Asus MemTweakIt 2.02.44 — просмотр таймингов;
• TestMem5 — тест памяти на стабильность и ошибки;
Для платформы AMD
Открываем программу тайфун и смотрим, какие используются чипы памяти. Далее запускаем калькулятор DRAM Calculator for Ryzen и выбираем начальную частоту (начинать стоит с 3200 МГц) и ваши чипы памяти. В обязательном порядке проходимся по таймингам из калькулятора и вручную заносим их в BIOS’е. Скачиваем программы Ryzen Master, TestMem5, опционально Aida64. Ryzen Master нам понадобится для отслеживания таймингов и сопротивлений, TestMem5 для проверки стабильности, а Aida64 для быстрого и сравнительного замера производительности памяти. Если даже с частотой в 3200 МГц система не стартует, то меняем в большую сторону procodt и tRTP, перед этим tRFC2 и tRFC4 выставляем в автоматическом режиме. Успешное прохождение теста TestMem5 позволит вам выбрать два пути дальнейших действий: при небольшом количестве ошибок можно увеличить напряжение на памяти, при отсутствии пробуем поднимать частоту. По достижении частоты 3600 МГц советуем начать ужимать тайминги.
• DRAM Calculator for Ryzen – база готовых наборов для разгона и подбора таймингов памяти;
• ZenTimings — проверка первичных, вторичных и дополнительных таймингов памяти;
• AMD Ryzen Master – официальная программа от AMD для разгона процессоров и памяти;
• TestMem5 0.12 1usmus V3 config – тест памяти на стабильность и ошибки;
• Ryzen Timing Checker – проверка первичных, вторичных и дополнительных таймингов памяти;
Выводы
Разгон памяти – это хождение по минному полю без металлодетектора, основываясь только на собственной обостренном чутье. Чтобы сократить число минут, процесс стоит начинать с выбора правильной материнской платы, подходящего комплекта памяти и опыта других людей. Коллективный разум и десятки тысяч часов, проведенных в поисках оптимальных комбинаций настроек и параметров, плавно заполонили FAQ. Допустим, вы прекрасно понимаете, какие комплекты памяти подходят для daisy chain или Т-топологии материнских плат. Отличаете 1 и 2 ранговую память. Научились определять производителя микросхем, но немаловажно будет отметить существование QVL листов совместимости у производителей материнских плат. Однако, не найдя требуемого комплекта памяти, не расстраиваетесь. Опыт, ошибки, внимательность позволят вам через n-ное число часов найти те самые настройки, при которых и 2 различных комплекта Kingston (2 ранговых) общим объемом в 96 ГБ будут стабильно работать в неподходящей материнской плате.
Для получения дополнительной информации о продуктах Kingston Technology обращайтесь на официальный сайт компании.
Тайминги RAM: CAS, RAS, tRCD, tRP, tRAS с пояснениями
Оперативная память на самом деле является одним из наиболее важных компонентов компьютера, но когда дело доходит до решения о покупке, на нее редко вкладывают столько же усилий и усилий, сколько на другие компоненты. Обычно емкость — это единственное, что, кажется, волнует обычных потребителей, и хотя это оправданный подход, ОЗУ — это нечто большее, чем просто размер памяти, которую она хранит. Несколько важных факторов могут определять производительность и эффективность ОЗУ, и, вероятно, два из самых важных из них — это частота и время.
Частота ОЗУ — это довольно простое число, которое описывает тактовую частоту, на которую рассчитана работа ОЗУ. Он четко упоминается на страницах продуктов и следует простому правилу «чем выше, тем лучше». В настоящее время часто встречаются комплекты ОЗУ, рассчитанные на 3200 МГц, 3600 МГц, 4000 МГц или даже выше. Другая более сложная часть истории — это задержка или «тайминги» ОЗУ. Их гораздо сложнее понять и может быть непросто понять с первого взгляда. Давайте углубимся в то, что на самом деле такое тайминги RAM.
Что такое тайминги RAM?
Хотя частота является одним из наиболее разрекламированных показателей, тайминги ОЗУ также играют большую роль в общей производительности и стабильности ОЗУ. Тайминги измеряют задержку между различными общими операциями на микросхеме ОЗУ. Поскольку задержка — это задержка между операциями, она может серьезно повлиять на производительность ОЗУ, если она превысит определенный предел. Тайминги ОЗУ отражают внутреннюю задержку, которую может испытывать ОЗУ при выполнении различных операций.
Время RAM измеряется в тактах. Возможно, вы видели строку чисел, разделенных тире на странице продукта комплекта RAM, которая выглядит примерно как 16-18-18-38. Эти числа известны как тайминги набора RAM. По сути, поскольку они представляют задержку, чем меньше, тем лучше, когда дело доходит до таймингов. Эти четыре числа представляют так называемые «основные тайминги» и оказывают наиболее значительное влияние на задержку. Есть и другие суб-тайминги, но пока мы обсудим только первичные тайминги.
4 основных тайминга ОЗУ представлены следующим образом — Изображение: Tipsmake
Основные сроки
В любом списке продуктов или на фактической упаковке время указано в формате tCL-tRCD-tRP-tRAS, что соответствует 4 основным временам. Этот набор оказывает наибольшее влияние на фактическую задержку набора оперативной памяти и является точкой фокусировки при разгоне. Следовательно, порядок чисел в строке 16-18-18-38 сразу показывает нам, какое первичное время имеет какое значение.
Задержка CAS (tCL / CL / tCAS)
Задержка CAS — Изображение: MakeTechEasier
Задержка CAS — это наиболее важный основной момент времени, который определяется как количество циклов между отправкой адреса столбца в память и началом данных в ответ. Это наиболее часто сравниваемые и рекламируемые сроки. Это количество циклов, необходимое для чтения первого бита памяти из DRAM с уже открытой правильной строкой. Задержка CAS — это точное число, в отличие от других чисел, которые представляют собой минимумы. Этот номер должен быть согласован между памятью и контроллером памяти.
По сути, задержка CAS — это время, необходимое памяти для ответа ЦП. При обсуждении CAS необходимо учитывать еще один фактор, поскольку CL нельзя рассматривать отдельно. Мы должны использовать формулу, которая преобразует рейтинг CL в фактическое время, выраженное в наносекундах, которое основано на скорости передачи данных RAM. Формула: (CL / скорость передачи) x 2000. Используя эту формулу, мы можем определить, что комплект RAM, работающий на частоте 3200 МГц с CL16, будет иметь фактическую задержку 10 нс. Теперь это можно сравнить с наборами с разными частотами и таймингами.
Задержка RAS в CAS (tRCD)
Задержка RAS в CAS — Изображение: MakeTechEasier
RAS в CAS — это потенциальная задержка для операций чтения / записи. Поскольку модули RAM используют сеточную структуру для адресации, пересечение номеров строк и столбцов указывает конкретный адрес памяти. tRCD — это минимальное количество тактов, необходимое для открытия строки и доступа к столбцу. Время, необходимое для чтения первого бита памяти из DRAM без какой-либо активной строки, приведет к дополнительным задержкам в виде tRCD + CL.
tRCD можно рассматривать как минимальное время, необходимое ОЗУ для перехода к новому адресу.
Время предварительной зарядки ряда (tRP)
Время предварительной зарядки строки — Изображение: MakeTechEasier
В случае открытия неправильной строки (это называется пропуском страницы), строка должна быть закрыта (так называемая предварительная зарядка), а следующая должна быть открыта. Только после этой предварительной зарядки можно получить доступ к столбцу в следующей строке. Следовательно, общее время увеличивается до tRP + tRCD + CL.
Технически он измеряет задержку между выдачей команды предварительной зарядки для ожидания или закрытия одной строки и активацией команды для открытия другой строки. tRP идентичен второму числу tRCD, поскольку одни и те же факторы влияют на задержку в обеих операциях.
Время активности строки (tRAS)
Время активности строки — Изображение: MakeTechEasier
Также известное как «Задержка активации до предварительной зарядки» или «Минимальное время активности RAS», tRAS — это минимальное количество тактов, требуемых между активной командой строки и выдачей команды предварительной зарядки. Это совпадает с tRCD, и это просто tRCD + CL в модулях SDRAM. В остальных случаях это примерно tRCD + 2xCL.
tRAS измеряет минимальное количество циклов, которое строка должна оставаться открытой для правильной записи данных.
Командная скорость (CR / CMD / CPC / tCPD)
Также есть определенный суффикс –T, который часто можно увидеть при разгоне и который обозначает командную скорость. AMD определяет Command Rate как количество времени в циклах между выбором микросхемы DRAM и выполнением команды. Это либо 1T, либо 2T, где 2T CR может быть очень полезным для стабильности при более высоких тактовых частотах памяти или для конфигураций с 4 модулями DIMM.
CR иногда также называют командным периодом. В то время как 1T быстрее, 2T может быть более стабильным в определенных сценариях. Он также измеряется в тактах, как и другие тайминги памяти, несмотря на уникальное обозначение –T. Разница в производительности между ними незначительна.
Влияние более низкого тайминга памяти
Поскольку тайминги обычно соответствуют задержке набора RAM, более низкие тайминги лучше, поскольку это означает меньшую задержку между различными операциями RAM. Как и в случае с частотой, существует точка уменьшения отдачи, когда улучшение времени отклика будет в значительной степени сдерживаться скоростью других компонентов, таких как ЦП или общей тактовой частотой самой памяти. Не говоря уже о том, что снижение таймингов определенной модели ОЗУ может потребовать от производителя дополнительного биннинга, что, в свою очередь, приведет к снижению урожайности и более высокой стоимости.
Хотя в разумных пределах, более низкие тайминги RAM обычно улучшают производительность RAM. Как мы видим в следующих тестах, более низкие общие тайминги (и, в частности, задержка CAS) действительно приводят к улучшению, по крайней мере, с точки зрения чисел на графике. Может ли улучшение восприниматься обычным пользователем во время игры или во время рендеринга сцены в Blender — это совсем другая история.
Влияние различных таймингов и частот ОЗУ на время рендеринга в Corona Benchmark — Изображение: TechSpot
Точка убывающей доходности быстро устанавливается, особенно если мы опускаемся ниже CL15. На этом этапе, как правило, время и задержка не являются факторами, сдерживающими производительность ОЗУ. Другие факторы, такие как частота, конфигурация ОЗУ, возможности ОЗУ материнской платы и даже напряжение ОЗУ, могут быть задействованы в определении производительности ОЗУ, если задержка достигает точки убывающей отдачи.
Время и частота
Частота и тайминги ОЗУ взаимосвязаны. Просто невозможно получить лучшее из обоих миров в массовых потребительских наборах RAM. Как правило, по мере увеличения номинальной частоты комплекта RAM тайминги становятся более слабыми (тайминги увеличиваются), чтобы несколько компенсировать это. Частота, как правило, немного перевешивает влияние таймингов, но бывают случаи, когда доплачивать за высокочастотный комплект RAM просто не имеет смысла, поскольку тайминги становятся слабее, а общая производительность страдает.
Хорошим примером этого являются споры между ОЗУ DDR4 3200 МГц CL16 и ОЗУ DDR4 3600 МГц CL18. На первый взгляд может показаться, что комплект 3600Mhz быстрее и тайминги не намного хуже. Однако, если мы применим ту же формулу, которую мы обсуждали при объяснении задержки CAS, история принимает другой оборот. Ввод значений в формулу: (CL / Скорость передачи) x 2000 для обоих комплектов RAM дает результат, что оба комплекта RAM имеют одинаковую реальную задержку 10 нс. Хотя да, существуют и другие различия в субтимингах и способе настройки ОЗУ, но аналогичная общая скорость делает комплект 3600 МГц худшим из-за его более высокой цены.
Результаты тестов различных частот и задержек — Изображение: GamersNexus
Как и в случае с таймингом, мы довольно скоро достигаем точки уменьшения отдачи и с частотой. Как правило, для платформ AMD Ryzen DDR4 3600 МГц CL16 считается оптимальным выбором как по таймингу, так и по частоте. Если мы перейдем к более высокой частоте, такой как 4000 МГц, то не только ухудшатся тайминги, но даже поддержка материнской платы может стать проблемой для чипсетов среднего уровня, таких как B450. Мало того, что на Ryzen часы Infinity Fabric и часы контроллера памяти должны быть синхронизированы с частотой DRAM в соотношении 1: 1: 1 для достижения наилучших возможных результатов, а выход за пределы 3600 МГц нарушает эту синхронизацию. Это приводит к увеличению задержки, общей нестабильности и неэффективной частоте, что делает эти комплекты ОЗУ в целом плохим соотношением цены и качества. Как и в отношении таймингов, необходимо установить золотую середину, и лучше всего придерживаться разумных частот, таких как 3200 МГц или 3600 МГц, при более жестких временных интервалах, таких как CL16 или CL15.
Разгон
Разгон оперативной памяти — один из самых утомительных и вспыльчивых процессов, когда приходится возиться с компьютером. Энтузиасты вникали в этот процесс не только для того, чтобы выжать из своей системы все до последнего кусочка производительности, но и из-за проблем, связанных с этим процессом. Основное правило разгона оперативной памяти простое. Вы должны достичь максимально возможной частоты, сохраняя при этом одинаковые тайминги или даже сокращая тайминги, чтобы получить лучшее из обоих миров.
Оперативная память — один из самых чувствительных компонентов системы, и обычно ее не следует настраивать вручную. Поэтому производители оперативной памяти включают предустановленную функцию разгона, известную как «XMP» или «DOCP», в зависимости от платформы. Предполагается, что это будет предварительно протестированный и подтвержденный разгон, который пользователь может включить через BIOS, и чаще всего это самый оптимальный уровень производительности, который нужен пользователю.
Калькулятор DRAM для Ryzen от «1usmus» — фантастический инструмент для ручного разгона на платформах AMD.
Если вы действительно хотите разогнать оперативную память вручную, вам может помочь наше подробное руководство по разгону оперативной памяти. Тестирование стабильности при разгоне — самая сложная часть разгона оперативной памяти, поскольку для правильного выполнения может потребоваться много времени и много сбоев. Тем не менее, эта задача может быть хорошим опытом для энтузиастов, а также может привести к некоторому приросту производительности.
Заключительные слова
ОЗУ, безусловно, является одним из наиболее недооцененных компонентов системы, который может существенно повлиять на производительность и общую скорость отклика системы. Тайминги ОЗУ играют большую роль в этом, определяя задержку, которая присутствует между различными операциями с ОЗУ. Более сжатые тайминги, безусловно, приводят к повышению производительности, но есть точка уменьшения отдачи, которая затрудняет ручной разгон и ужесточение таймингов для минимального прироста производительности.
Достижение идеального баланса между частотой ОЗУ и таймингами при одновременном контроле стоимости ОЗУ — лучший способ принять решение о покупке. Наш выбор лучших комплектов оперативной памяти DDR4 в 2020 году может быть полезен при принятии обоснованного решения относительно вашего выбора оперативной памяти.